“用三温区管式炉”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果12694089个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种超声雾化热分解炉-CN201921910572.8有效
发明人：邾根祥;朱沫浥;江晓平;方辉;李东明 -专利权人：合肥科晶材料技术有限公司
申请日： 2019-11-07 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： F27B17/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超声雾化热分解炉，包括三温区管式炉，所述三温区管式炉的一侧连接设置有超声雾化装置，且三温区管式炉的另一侧连接设置有高压静电收集装置，所述超声雾化装置远离三温区管式炉的一侧连接设置有注射泵，所述高压静电收集装置远离三温区管式炉的一侧连接设置有真空泵，注射泵、超声雾化装置、高压静电收集装置及真空泵组成一套完整的设备系统，同时三温区管式炉的外部设置有管式炉炉箱，管式炉炉箱的内部卡合设置有炉膛罩，通过此种方式，实现了炉膛罩的便捷拆装，从而有利于三温区管式炉使用时，内部的检修和维护，同时也有利于炉膛罩使用时的拆装和损毁时的更换。
一种超声雾化分解

[发明专利]一种高温熔盐腐蚀试验系统-CN201810183465.3在审
发明人：王维龙;李小龙;官邦;丁静;陆建峰 -专利权人：中山大学
申请日： 2018-03-06 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： G01N17/00 文献下载
摘要：本发明涉及试验系统，并且尤其涉及一种高温熔盐腐蚀试验系统，所述试验系统包括顺次连接的高压气源、第一控制阀、三温区管式炉系统、第二控制阀、傅里叶变换红外光谱烟气分析仪、数据采集分析系统，所述三温区管式炉系统设有两个石英炉管和三个独立的温控区，所述两个石英炉管均穿过三个独立的温控区，三个独立的温控区均设有独立的温控仪。本发明一种高温熔盐腐蚀试验系统通过所述三温区管式炉系统设有两个石英炉管和三个独立的温控区，所述两个石英炉管均穿过三个独立的温控区，三个独立的温控区均设有独立的温控仪的设置，使得本高温腐蚀试验系统采用三温区管式炉系统
温控区石英炉管管式炉温区腐蚀试验系统高温熔盐高压气源试验系统控制阀傅里叶变换红外光谱高温腐蚀试验系统数据采集分析系统穿过烟气分析仪时间研究顺次连接温控仪温控腐蚀配合

[实用新型]一种高温熔盐腐蚀试验系统-CN201820306886.6有效
发明人：王维龙;李小龙;官邦;丁静;陆建峰 -专利权人：中山大学
申请日： 2018-03-06 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： G01N17/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及试验系统，并且尤其涉及一种高温熔盐腐蚀试验系统，所述试验系统包括顺次连接的高压气源、第一控制阀、三温区管式炉系统、第二控制阀、傅里叶变换红外光谱烟气分析仪、数据采集分析系统，所述三温区管式炉系统设有两个石英炉管和三个独立的温控区，所述两个石英炉管均穿过三个独立的温控区，三个独立的温控区均设有独立的温控仪。本实用新型一种高温熔盐腐蚀试验系统通过所述三温区管式炉系统设有两个石英炉管和三个独立的温控区，所述两个石英炉管均穿过三个独立的温控区，三个独立的温控区均设有独立的温控仪的设置，使得本高温腐蚀试验系统采用三温区管式炉系统
温控区石英炉管管式炉温区腐蚀试验系统高温熔盐本实用新型高压气源试验系统控制阀傅里叶变换红外光谱高温腐蚀试验系统数据采集分析系统穿过烟气分析仪时间研究顺次连接温控仪温控腐蚀配合

[实用新型]高精度单温区均温区的管式电阻炉-CN201020279277.X有效
发明人：王辉 -专利权人：辽宁同辉科技发展有限公司
申请日： 2010-08-03 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： F27B17/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高精度单温区均温区的管式电阻炉，包括炉壳、炉衬、保温层、控温仪、加热体、高铝外丝管、炉头保护砖、炉盖、控温偶，其特征在于，所述的温度控制系统分为各自独立的多段，每段均由控温仪、控温偶构成，控温仪、控温偶分别与该段的加热体相连接。本实用新型的有益效果是：1、炉体长度相同条件下高精度均温区的管式电阻炉均温区长度比单温区独立控温管式电阻均温区长度大幅增加；2、炉体长度相同条件下高精度均温区的管式电阻炉均温区控制精度比单温区独立控温管式电阻均温区控制精度大幅提高；3、在均温区长度、精度相同条件下，高精度均温区的管式电阻炉长度可大幅缩短。
高精度单温区均温区电阻炉

[发明专利]硒碲合金薄膜、光导型红外光探测器及制备方法-CN202210548998.3有效
发明人：王飞;赵东旭;王云鹏;范翊 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C23C16/06 文献下载
摘要：所述制备方法包括：将碲粉、硒粉和衬底放入三温区CVD管式炉中加热，并向所述三温区CVD管式炉中通入惰性气体；实现在所述衬底上所述硒碲合金薄膜的生长；所述硒粉和碲粉的摩尔比为(1：10)～(10：1)；所述三温区CVD管式炉沿所述惰性气体的气流方向依次包括低温区、高温区和第三温区；所述碲粉置于所述高温区，所述硒粉置于所述低温区；所述衬底置于所述第三温区。
合金薄膜光导型红外光探测器制备方法

[发明专利]一种过渡金属硫族化合物复合光纤材料的制备方法-CN201910772548.0有效
发明人：刘开辉;左勇刚;于文韬;刘灿;梁晶 -专利权人：北京大学
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种过渡金属硫族化合物复合光纤材料的制备方法，所述方法包括如下步骤：将硫族材料放置于管式炉的第一温区，过渡金属源与促进剂的混合物置于所述管式炉的第二温区，光纤置于所述管式炉的第三温区；控制所述第一温区、第二温区和第三温区分别升温至105‑180℃、550‑650℃和780‑850℃，于所述光纤内壁面上形成所述过渡金属硫族化合物。
一种过渡金属化合物复合光纤材料制备方法

[发明专利]一种二维Zn掺杂Ca2-CN201910816710.4有效
发明人：温翠莲;彭建邦;余新江;萨百晟;蔡书畅 -专利权人：福州大学
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： C23C16/42 文献下载
摘要：将装有Ca粉末的石英皿放置在三温区高温管式炉的前端区域，将装有Zn粉末的石英皿放置在三温区高温管式炉的中间区域，预处理后的玻璃基底放置在三温区高温管式炉的末端区域。在氩气和SiH4的载气下，以一定的升温速率加热三温区管式炉的前端、中间和末端区域，反应一段时间，反应生成物沉积于玻璃基底上，再将反应生成物在管式炉中进行原位退火处理
一种二维 zn 掺杂 ca base sub

[发明专利]直立交错式花瓣状二硫化锡纳米片及其制备方法-CN201711420397.X有效
发明人：唐成春;贾宪生;李俊杰;顾长志;金爱子 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： C01G19/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种直立交错式花瓣状二硫化锡纳米片的制备方法，所述方法使用四控温区水平管式炉，所述方法包括以下步骤：1)第一控温区放置硫，第二控温区放置碘化亚锡作为反应源，然后在第四控温区放置衬底；2)对所述四控温区水平管式炉抽真空至0.1Pa以下，通入惰性气体作为保护气和载气；3)分别对第二、三、四控温区加热；4)将第一控温区加热至90℃‑200℃，并保温1‑3小时；5)将水平管式炉降温至室温，从第四控温区中取出衬底，得到直立交错式花瓣状二硫化锡纳米片
直立交错花瓣硫化纳米及其制备方法

[发明专利]大尺寸三氧化钼单晶晶体及其金属氧化沉积制备方法-CN202310858555.9在审
发明人：梁涛;张津铖;薛琪超;潘雨婷;杨陈楹;邵宇川 -专利权人：国科大杭州高等研究院
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种大尺寸三氧化钼单晶晶体及其金属氧化沉积制备方法，制备方法包括以下步骤：(1)排出双温区管式炉中的空气，持续通入惰性气体和氧气的混合气并保持常压；(2)将钼源置于双温区管式炉中的下游温区中心并加热，钼源与氧气反应并挥发，在气体下游低温区域沉积生长，生成三氧化钼晶体。本发明的制备方法过程简单、产量高、制备时间短、获得的三氧化钼晶体尺寸大、质量高。
尺寸氧化钼晶体及其金属氧化沉积制备方法

[实用新型]一种陶瓷磨料烧结用三温区管式炉-CN201922061618.X有效
发明人：边华英;王学涛;王焱;尹蕊;袁兴龙;吕现文 -专利权人：河南建筑材料研究设计院有限责任公司
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： F27B17/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种陶瓷磨料烧结用三温区管式炉，属于化工设备技术领域。其包括炉体，炉管、温控系统和烟气输送管道，炉体分为I II III三段式，每段温区之间由隔热墙分割；每段温区内内设有炉管、和一套温控系统，温控系统由测温仪、控温操作台和加热元件组成，每段炉管采用不同的耐热材质，每段炉管由浇铸耐火材料三通管连接，并在炉体内横向排列。Ⅰ段温区的炉管和Ⅱ段温区的炉管连接处设有升降闸板，闸板内嵌于隔热墙近Ⅱ段炉管侧的侧面，将炉管分割为Ⅰ段低温区和Ⅱ段高温区两个区，三通管上部分别封接耐温防腐蚀烟气输送管。
一种陶瓷磨料烧结用三温区管式炉

[发明专利]碲纳米带阵列及其制备方法-CN202211236203.1在审
发明人：张凯;李杰;张君蓉;赵新新;张严;汪永杰;俞强 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： C01B19/02 文献下载
摘要：本发明揭示了一种碲纳米带阵列及其制备方法，所述制备方法包括：S1、提供管式炉，所述管式炉包括第一温区和第二温区；S2、将碲源和云母衬底分别放置于第一温区和第二温区；S3、对管式炉进行抽真空；S4、对管式炉进行升温、保温及冷却，同时通入防氧化载气，将第一温区中的碲源输送至第二温区，并沉积于云母衬底上形成碲纳米带阵列，其中，所述第一温区的最高温度为350℃～450℃，第二温区的最高温度为330℃～390℃。
纳米阵列及其制备方法

[发明专利]一种大尺寸单层硒分区掺杂二硫化钨薄膜材料的制备方法-CN201810944786.0在审
发明人：封伟;岳玉琛;冯奕钰 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-08-19 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种大尺寸单层硒分区掺杂二硫化钨薄膜材料的制备方法，制备过程如下：将Al₂O₃基板置于盛有钨源的石英舟之上，并将该石英舟置于双温区管式炉的高温区；将盛有硫源和硒源的石英舟置于双温区管式炉低温区，其中硫源和硒源的质量比S:Se为0.25‑4，并将双温区管式炉封装起来；在氩气气氛下使反应腔室的压强为常压，设置双温区管式炉中低温区的加热速率为7‑8℃/min，30‑40min后升至反应温度240‑280℃，并维持这个反应温度15‑20min；设置双温区管式炉中高温区的加热速率为20‑22.5℃/min，40‑50min后升至反应温度900‑1000℃，并维持这个反应温度5‑10min；等反应结束后自然降至室温
双温区管式炉石英舟薄膜材料二硫化钨单层硫源硒源加热制备掺杂分区压强反应腔室制备过程中低温区氩气气氛低温区高温区质量比中高温常压基板钨源封装

[发明专利]一种大尺寸二维三硒化二铟晶体的制备方法及其应用-CN202010247224.8在审
发明人：夏从新;李睿智;苏健;白浩博;王瑞奇;闫勇;宋孝辉;耿振铎 -专利权人：河南师范大学
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种大尺寸二维三硒化二铟晶体的制备方法及其应用，将纯净的In2Se3粉末放于石英舟中，置于双温区管式炉石英管中，用干净的云母作为生长衬底置于双温区管式炉石英管的另一侧，使用物理气相沉积的方法在云母衬底上制备出大尺寸二维三硒化二铟晶体，制得的In2Se
一种尺寸二维三硒化二铟晶体制备方法及其应用

[发明专利]一种单层二硫化钼薄膜的制备方法-CN201710382686.9有效
发明人：蒲红斌;杨勇;杜利祥;张珊;邸君杰 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2017-05-26 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明的公开了一种单层二硫化钼薄膜的制备方法，包括以下步骤：步骤1，通过使用真空管式炉设置三个温区，将硫粉置于一温区；将三氧化钼粉置于二温区；将衬底放在带盖的坩埚底部，然后将坩埚放置在三温区；步骤2，向真空管式炉中通载气；步骤3，将二温区加热到150～350℃，将三温区加热到150～350℃；步骤4，将二温区加热到580～800℃，得气态的MoO
一种单层二硫化钼薄膜制备方法

[实用新型]一种双温区管式加热炉-CN202320043950.7有效
发明人：张明亮;张顺安 -专利权人：上海贵尔机械设备有限公司
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： F27B17/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种双温区管式加热炉，涉及管式加热炉领域。该双温区管式加热炉，包括加热炉主体、两个承重座和两个支撑杆，加热炉主体的上方设置有炉体，炉体的上表面转动连接有炉盖，两个承重座设置在炉体的两侧，支撑杆转动连接在炉盖与炉体的外表面。该双温区管式加热炉，通过固定组件，使得隔绝座移动到合适位置，此时即可完成对两个温区的调节，通过调节组件，使得两个加热器能够进行移动，当使得两个加热器处于由隔绝座隔离的两个温区的中心位置时，在调节组件的作用下对两个加热器的位置进行固定
一种双温区管式加热炉

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条