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[发明专利]生长系统-CN202310261445.4在审
发明人：李彬;吕洪申;杜强强;徐高翔 -专利权人：深圳国际量子研究院;实陆仪器科技（上海）有限公司
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本申请公开了一种生长系统，用于材料的生长，生长系统包括样品室、生长平台和束流源。生长平台容纳于样品室，生长平台设有多个生长工位，生长工位用于固定材料；束流源容纳于样品室，且束流源的出口朝向生长工位，束流源用于材料的生长。生长平台设置在样品室中，生长平台设有多个生长工位，每个工位对应固定一个材料，束流源的出口朝向生长工位设置，用于生长材料，通过多个生长工位生长多个材料，然后一次取出多个生长工位，将多个生长的材料一次取出，节约了时间，提高了生产效率，且一个工位对应固定一个材料，放置材料的空间充足，对材料尺寸的限制较小，且便于固定待生长的材料，提高了操作的便利性。
生长系统

[发明专利]生长平台及生长系统-CN202310271533.2在审
发明人：李彬;吕洪申;杜强强;徐高翔 -专利权人：深圳国际量子研究院;实陆仪器科技（上海）有限公司
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本申请公开了一种生长平台及生长系统，生长平台包括主体、生长工位和测试组件，生长工位设置于主体，生长工位包括样品托；测试组件包括测试件，测试件与样品托能够相对活动，测试件能够与材料接触以测试材料。通过生长平台的生长工位的样品托用于材料的生长，通过测试件对样品托上的材料进行原位测试电学性能，以此判断材料生长的过程中，生长的材料的品质好坏以及材料的生长阶段，不需要再将材料从样品托上取下，保障生长材料的质量的同时，能够节约时间，提高生长材料的效率，同时测试件与样品托活动连接，当需要测试材料时，测试件与样品托连接，当不需要测试材料时，测试件与样品托分离，避免了影响材料的生长，保证了材料的生长质量。
生长平台系统

[发明专利]一种半导体衬底及选择性生长半导体材料的方法-CN201510456231.8在审
发明人：程志渊;陈韬;王安琦 -专利权人：浙江大学
申请日： 2015-07-29 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体衬底及选择性生长半导体材料的方法，所述半导体衬底包含一个用于半导体材料外延的晶体生长面，以及一个或多个用于限制半导体材料生长的介质层表面。所述半导体材料生长方法为半导体材料选择性生长，通常情况下，所述选择性生长过程中，半导体材料只能生长在所述晶体生长面上，无法直接生长在介质层表面上，所述介质层表面用于限制选择性生长过程中半导体材料在某个方向上的生长本发明的特殊结构衬底结合选择性生长，可以有效抑制半导体材料生长过程中的位错等缺陷的传播，从而显著提升半导体材料的质量。
一种半导体衬底选择性生长半导体材料方法

[发明专利]二维材料生长的定位观测方法-CN201910129446.7在审
发明人：狄增峰;李攀林;王天波;薛忠营;张苗 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2019-02-21 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： G01N21/01 文献下载
摘要：本发明提供一种二维材料生长的定位观测方法，包括如下步骤：1)获取标记石墨烯；2)提供生长衬底，并将标记石墨烯转移到生长衬底的上表面；3)于生长衬底的上表面生长二维材料；4)以标记石墨烯为标记对二维材料进行定位观测本发明的二维材料生长的定位观测方法可以实现对二维材料的生长情况进行精确地定位观测；本发明中使用原子力显微镜定位观测二维材料的生长情况，对二维材料层的生长条件没有严格的要求，操作简单易行，测试成本较低；在生长衬底的上表面进行二维材料的多次生长时，二维材料每次生长的生长条件可以不同，可以实现对二维材料在不同生长条件下于同一区域的生长情况进行定位观测。
二维材料生长观测衬底生长条件上表面石墨烯原子力显微镜测试成本同一区域

[实用新型]一种提升红光外延AlGaInP亮度的结构-CN201520187848.X有效
发明人：郭艳 -专利权人：山西南烨立碁光电有限公司
申请日： 2015-03-31 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种提升红光外延AlGaInP亮度的结构，可以有效提升内量子效率；采用的技术方案为：窗口层位于GaAs基板层上部，窗口层和GaAs基板层之间从上到下依次设置有P-clading生长层、MQW生长层、N-clading生长层、DBR生长层和buffer生长层，窗口层的生长材料为GaP，P-clading生长层的生长材料为AlInP，MQW生长层为多重量子阱发光层，其生长材料为AlGaInP，N-clading生长层的生长材料为AlInP，DBR生长层的生长材料为AlAs和AlGaAs，buffer生长层的生长材料为GaAs；本实用新型可广泛应用于红光LED领域。
一种提升红光外延 algainp 亮度结构

[发明专利]一种在蓝宝石图形化衬底上生长高质量GaN晶体材料的生长技术-CN201110156994.2无效
发明人：姜涛 -专利权人：姜涛
申请日： 2011-05-31 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：一种在蓝宝石图形化衬底上生长高质量GaN晶体材料的生长技术，使用MOCVD设备在蓝宝石衬底上生长GaN晶体，其特征在于在衬底上低温生长GaN晶体成核层材料，在成核层生长完毕后升高衬底材料温度后进行GaN晶体再结晶生长。在结晶过程结束后，降低衬底材料温度再次进行GaN晶体成核生长即GaN晶体三维生长。在再次成核过程结束后，将衬底材料重新升温进行GaN晶体再结晶生长。在完成以上各步生长后，升高衬底片温度，同时降低反应室的压力进行GaN晶体体材料的生长，即可获得表面平坦且高质量的GaN材料层。本发明中采用的两次低温成核层生长并结合高温再结晶过程的工艺，相比较于传统的单次成核层生长工艺可以获得更低缺陷密度和更低材料应力的GaN材料。
一种蓝宝石图形衬底生长质量 gan 晶体材料技术

[发明专利]一种AlGaAs/AlGaInP混合材料的外延生长方法-CN202010240167.0有效
发明人：马骁宇;赵碧瑶;熊聪;林楠;刘素平;仲莉 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种AlGaAs/AlGaInP混合材料的外延生长方法，包括：在衬底表面生长AlGaAs材料；在衬底表面生长AlGaAs材料的过程中进行生长停顿，将反应腔室内As原子耗尽；以及生长停顿结束后在AlGaAs材料表面生长AlGaInP材料。本发明提出的方法，通过调整各元素组分，利用各自材料特点，能够减小混合材料界面处的缺陷和位错。
一种 algaas algainp 混合材料外延生长方法

[发明专利]用于修复神经损伤的生长因子复合胶原支架材料及功能胶原支架材料-CN201710092354.7在审
发明人：戴建武;赵燕南;崔熠;陈冰 -专利权人：北京中科再康生物技术有限公司
申请日： 2017-02-21 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： A61L27/24 文献下载
摘要：本发明公开了用于修复神经损伤的生长因子复合胶原支架材料及功能胶原支架材料。本发明公开的生长因子复合胶原支架材料，由功能胶原支架材料与生长因子组成；功能胶原支架材料，由神经丝与包被神经丝的胶原组成；生长因子为神经生长因子或碱性成纤维细胞生长因子；胶原为胶原管。实验证明，本发明的功能胶原支架材料(LOCC)可以用于修复神经损伤，生长因子复合胶原支架材料也可用于修复动物神经损伤，表明本发明的功能胶原支架材料与生长因子复合胶原支架材料均可应用于动物神经损伤修复。
支架材料生长因子功能胶复合胶神经损伤胶原修复动物神经神经丝碱性成纤维细胞生长因子神经生长因子损伤修复包被可用损伤应用

[实用新型]一种制备太阳能薄膜材料的团簇装置-CN201921871798.1有效
发明人：邹杨;孙蕾;邹松东 -专利权人：洛阳奥尔材料科技有限公司
申请日： 2019-11-02 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本实用新型涉及真空镀膜技术领域，且公开了一种制备太阳能薄膜材料的团簇装置，包括进出样室，所述进出样室的左侧设置有P型薄膜材料生长室，所述进出样室的上方设置有I型薄膜材料生长室，所述进出样室的右侧设置有N型薄膜材料生长室，每个两个生长室之间均设置有门阀，所述进出样室、P型薄膜材料生长室、I型薄膜材料生长室、N型薄膜材料生长室上均设置有真空抽气口。本方案一种制备太阳能薄膜材料的团簇装置结构，通过样片传递小车带动样片在进出样室和生长室来回运动，并根据需要在每个生长室掺杂沉积相应的薄膜材料，不会交叉污染，而且不用破坏真空，从而制备出高纯度的太阳能薄膜材料，薄膜材料质量更有保障、生长效率更高。
一种制备太阳能薄膜材料装置

[实用新型]可重复使用骨生长定量测试盒-CN201020055003.2无效
发明人：田晓滨 -专利权人：田晓滨
申请日： 2010-01-06 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： G01N33/48 文献下载
摘要：一种可重复使用骨生长定量测试盒，属于骨生长测试盒底、测试盒盖(11)通过螺钉(7)固定在测试盒底(10)上，形成圆柱形测试盒，测试盒通过上端的外螺纹与固定板(1)中间的螺纹孔配合，形成T字形，在测试盒底(10)内心隔板(4)两边有并排的试验材料槽(5)和骨生长材料槽(9)，在试验材料槽下部的圆周上有试验材料诱导骨细胞长入孔(6)，在骨生长材料槽下部的圆周上有骨生长材料诱导骨细胞长入孔(8)，本实用新型在同一测试盒内并列试验材料槽和骨生长材料槽，在两个槽内放置两种骨生长材料，以便在相同条件下观察不同骨生长材料的成骨能力，便于选择更好的骨生长材料，服备临床工作，此骨生长测试盒可定量观测、操作简便、可重复使用、实验周期短，适用于骨生长定量测试。
重复使用生长定量测试

[发明专利]一种晶体生长方法和装置-CN202080004445.0有效
发明人：王宇;杨田;梁振兴;李敏 -专利权人：眉山博雅新材料股份有限公司
申请日： 2020-04-14 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本申请实施例公开了晶体生长方法及装置。所述晶体生长方法包括：将籽晶和目标源材料置于晶体生长装置的生长腔体中；基于所述籽晶和所述目标源材料，通过物理气相传输法生长晶体；在晶体生长过程中，判断是否满足预设条件；以及当满足预设条件时，将升华后的目标源材料替换为备选源材料本申请通过以备选源材料替换升华后的目标源材料，可以生长得到大尺寸、高质量的晶体。
一种晶体生长方法装置

[发明专利]半导体衬底及选择性生长半导体的方法-CN201510454436.2在审
发明人：王安琦;程志渊;陈韬 -专利权人：浙江大学
申请日： 2015-07-29 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体衬底及选择性生长半导体的方法，所述半导体衬底包含一个用于半导体材料生长的孔和一个促使半导体材料横向生长的腔，孔的底面是晶体生长面，孔的侧壁和腔的内表面均是用于限制半导体材料生长的介质层通过上述衬底可实现半导体材料的选择性生长，最终形成大面积的半导体薄膜材料。本发明的特殊衬底结构结合选择性生长，可以有效抑制半导体材料生长过程中的位错等缺陷的传播，从而显著提升半导体材料质量。
半导体衬底选择性生长方法

[发明专利]一种长效杀毒杀菌的固体材料及其制备方法-CN202310040862.6在审
发明人：孙国明;王亚楠;王梓刚 -专利权人：上海心尔新材料科技股份有限公司;上海心尔工程科技有限公司
申请日： 2023-01-12 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： A01N25/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种长效杀毒杀菌的固体材料及其制备方法，包括主体固体材料，利用表面技术和纳米技术，通过原位的或者类似于原位的方法，使其具有消杀功能，并牢牢地和结构材料结合在一起，包括以下制备方式：一、同质固体材料：采取原位生长技术，在基础结构材料表面生长出具有长效消杀功能的生长材料；二、异质固体材料：经过表面修饰技术，先让一种附加材料通过原位生长方法生长在结构材料表面，再让长上去的附加材料通过加工，生长出具有长效消杀功能的生长材料本发明，能够在保证材料的杀菌消毒能力的同时，使得材料的消毒杀菌持续时长与使用寿命得到延伸，减少对材料特性的影响，保证材料在使用的使用效果，降低长效杀毒杀菌材料的生产成本。
一种长效杀毒杀菌固体材料及其制备方法

[发明专利]一种连续化生长二维原子晶体材料的生长单元、系统和设备-CN201710049714.5有效
发明人：王钰;顾伟 -专利权人：中国科学院过程工程研究所
申请日： 2017-01-23 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种连续化生长二维原子晶体材料的生长单元，所述生长单元包括筒状保温层，设置于筒状保温层内部的，用于承载生长基底的承载面，设置于所述承载面下方的加热部件；所述加热部件与承载面电绝缘；所述生长基底在承载面的承载作用下本发明提供了连续化生长二维原子晶体材料的生长单元，为二维原子晶体材料的生长提供了环境；可以将多个所述生长单元连接，并将所述每个生长单元的筒状保温层无缝连接得到连续化生长二维原子晶体材料的生长系统，实现二维原子晶体材料生长过程的温度可控
一种连续化生二维原子晶体材料生长单元系统设备

[发明专利]材料生长速率测量方法-CN202010482034.4有效
发明人：金鹏;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种材料生长速率测量方法，具体针对由两种材料交替生长构成的多量子阱或超晶格结构，能同时测量组成两种材料不同组分的生长速率的方法，或能同时测量两种材料的各自生长速率的方法。本公开采用多个在相同生长速率下制备的样品，结合X射线衍射(XRD)或透射电子显微镜等测量，构建函数计算得到材料的生长速率，使得对于厚度很薄的薄膜的材料生长速率的测量更加精确。
材料生长速率测量方法

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