专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]制备理想析氧硅晶片的工艺-CN99810597.X无效
  • 罗伯特·J·福斯特 - MEMC电子材料有限公司
  • 1999-08-27 - 2004-06-23 - H01L21/322
  • 本发明公开一种对单晶硅晶片进行热处理以便在后续热处理步骤中影响晶片的析氧特性的工艺。该硅晶片具有前表面、后表面、位于前后表面之间的中分面。在本工艺中,对晶片进行热处理以形成晶格空位,该空位在硅主体中形成。接着,为了在晶片内建立空位浓度分布,通过在含氧气氛中加热,对已经过热处理的晶片进行氧化。然后,已氧化的晶片从所述氧化热处理温度以一定速度冷却,该冷却速度允许晶格空位的一部分,但不是全部,扩散进前表面中以形成具有一定空位浓度分布的晶片,在该空位浓度分布中:峰值密度出现在或接近中分面处,并且空位浓度一般在晶片前表面方向上减少。
  • 制备理想析氧硅晶片工艺
  • [发明专利]一种缓解忆阻加速器非理想因素的方法及装置-CN202110506629.3在审
  • 梁峰;卞鼐;李冰;梁辉;张洁;李佩嵘;张国和 - 西安交通大学
  • 2021-05-10 - 2021-10-19 - G06N3/063
  • 本申请提供了一种缓解忆阻加速器非理想因素的方法及装置,属于电子信息技术领域。所述方法包括:获取已训练好的神经网络中卷积层和/或全连接层的浮点值表示的原始权重、映射各层权重的量化位宽以及忆阻器表示精度;根据所述量化位宽和所述忆阻器表示精度,量化所述原始权重,得到第一理想硬件级权重;将所述第一理想硬件级权重映射到所述忆阻器单元中,得到第一非理想因素硬件级权重;根据所述第一非理想因素硬件级权重,重建浮点值表示的第一非理想因素权重;对所述第一非理想因素权重进行处理,得到浮点值表示的抗非理想因素权重;根据所述抗非理想因素权重,得到第二理想硬件级权重,将所述第二理想硬件级权重,重映射到所述忆阻器单元中。
  • 一种缓解加速器理想因素方法装置
  • [发明专利]一种体温测量方法和装置-CN201510874794.9在审
  • 闫宇;陈培鑫 - 广东宝莱特医用科技股份有限公司
  • 2015-12-02 - 2016-02-24 - A61B5/01
  • 该方法将温度探头检测到的实际升温曲线视为第一理想升温曲线和第二理想升温曲线拟合而成的结果。通过实际升温曲线上四个等时间间隔点以及各个等时间间隔点对应的实际温度,计算各个等时间间隔点在第一理想升温曲线上对应的第一理想温度,以及在第二理想升温曲线上对应的第二理想温度。进而,基于第一理想升温曲线或第二理想升温曲线对人体温度进行预测,得到人体温度。与现有技术相比,本发明采用理想升温曲线对人体温度进行预测,满足牛顿热传导公式的要求,提高了预测准确度。
  • 一种体温测量方法装置
  • [发明专利]一种理想的益智保健茶-CN201510314643.8在审
  • 徐加英 - 徐加英
  • 2015-06-10 - 2017-01-04 - A23F3/34
  • 本发明公开了一种理想的益智保健茶,其主要是由:肉桂、石菖蒲、巴戟天、茯苓、山药、鹿茸、熟地黄、山茱萸、牛膝、当归、甘草进行组合,按一定重量配比而制成。具有配方合理,饮用方便,口感好,保健效果佳,无病保健,有病治病等优点;将上述药物合用后具有补肾益髓、健脑强知、对肾精亏虚、脑髓不充所致的健忘、失眠盗汗、智力减退等病症有较好的保健作用,是一种理想的益智保健之良药
  • 一种理想益智保健茶
  • [发明专利]自偏置理想二极管电路-CN201980029884.4在审
  • J·L·希斯;T·W·巴塞罗 - 亚德诺半导体国际无限责任公司
  • 2019-04-24 - 2020-12-11 - H03K17/30
  • 描述了一种使用NMOS晶体管作为低损耗理想二极管的理想二极管电路。晶体管的控制电路以阳极电压为参考,而不是以地为参考,因此即使输入电压非常高,控制电路系统也可以是以地为参考的低电压电路系统。在理想二极管的正常工作期间,通过控制耦合在阴极和电容器之间的第二晶体管的导电性,电容器被充电到箝位电压,使得电路能够在宽范围的频率和电压下使用。施加到差分放大器的所有电压等于或小于该箝位电压。
  • 偏置理想二极管电路

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