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- [发明专利]制备理想析氧硅晶片的工艺-CN99810597.X无效
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罗伯特·J·福斯特
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MEMC电子材料有限公司
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1999-08-27
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2004-06-23
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H01L21/322
- 本发明公开一种对单晶硅晶片进行热处理以便在后续热处理步骤中影响晶片的析氧特性的工艺。该硅晶片具有前表面、后表面、位于前后表面之间的中分面。在本工艺中,对晶片进行热处理以形成晶格空位,该空位在硅主体中形成。接着,为了在晶片内建立空位浓度分布,通过在含氧气氛中加热,对已经过热处理的晶片进行氧化。然后,已氧化的晶片从所述氧化热处理温度以一定速度冷却,该冷却速度允许晶格空位的一部分,但不是全部,扩散进前表面中以形成具有一定空位浓度分布的晶片,在该空位浓度分布中:峰值密度出现在或接近中分面处,并且空位浓度一般在晶片前表面方向上减少。
- 制备理想析氧硅晶片工艺
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