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[发明专利]粒子线治疗装置-CN202211290689.7在审
发明人：佐佐井健藏 -专利权人：住友重机械工业株式会社
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： A61N5/10 文献下载
摘要：本发明提供一种粒子线治疗装置，能够减少多个照射空间中的治疗的粒子线的品质偏差。所述粒子线治疗装置(1)具备设置于多个分支路径(31A、31B)的每一个上并变更粒子线的能量的多个能量变更部(50A、50B)。即，能够对多个照射室(101A、101B)的照射空间设置个别的能量变更部(50A、50B)。此时，在各个分支路径(31A、31B)的比能量变更部(50A、50B)更靠下游的位置，容易减小与粒子线的传输参数的调整有关的结构上的差异。因此，调整针对多个照射室(101A、101B)的照射空间的各传输路径(4)中的传输参数变得容易。
粒子治疗装置

[发明专利]硅的结晶方法-CN200410038353.7有效
发明人：俞载成 -专利权人： LG.菲利浦LCD株式会社
申请日： 2004-05-24 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：一种硅的结晶方法包括制备一其上形成有非晶硅薄膜的基板；在形成于基板上的非晶硅薄膜的第一区域上方对准具有第一能量区域和第二能量区域的掩模；将激光束穿过掩模的第一和第二能量区域照射到非晶硅薄膜的第一区域上；穿过掩模的第一能量区照射激光束，使非晶硅薄膜的第一区域结晶；以及穿过第二能量区照射激光束来激活结晶的第一区域。
结晶方法

[发明专利]表面形成方法及装置、磁头及其制造方法-CN200610005988.6无效
发明人：伊藤善映;中田刚;上田国博 -专利权人：新科实业有限公司
申请日： 2006-01-16 - 公布日： 2006-08-02 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：本发明提供一种具有对规定结构体R进行表面形成处理的表面形成部的表面形成装置，其中，表面形成部是对结构体照射具有规定照射能量、并可向一定方向照射的能量束的照射部(1)。
表面形成方法装置磁头及其制造

[发明专利]结晶半导体膜的制造方法-CN201380065862.6有效
发明人：次田纯一;泽井美喜;町田政志;郑石焕 -专利权人：株式会社日本制钢所
申请日： 2013-11-11 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种结晶半导体膜的制造方法，在对非单晶半导体膜实施激光退火时，通过线射束形状的脉冲激光对非单晶半导体膜相对地扫描来按每一脉冲移动，并且通过照射次数n从而实施交叠照射，线射束的射束短轴宽度为100～500μm，且射束短轴方向的射束断面形状具有平坦部，晶体管的沟道长度为b，脉冲激光具有比通过该脉冲激光的照射而在非单晶半导体膜上发生微结晶化的照射脉冲能量密度低且能通过多次照射使结晶粒径成长达到饱和的照射脉冲能量密度，通过照射脉冲能量密度的脉冲激光的照射而使结晶粒径成长达到饱和时的照射次数为n0，照射次数n≥(n0‑1)，脉冲激光的扫描方向为所述晶体管的沟道长度方向，并且所述每一脉冲的移动量c＜b。
照射脉冲激光射束非单晶半导体膜脉冲能量结晶半导体膜结晶粒径晶体管沟道饱和短轴方向断面形状激光退火脉冲移动扫描方向射束形状平坦部微结晶移动量短轴交叠脉冲制造扫描

[发明专利]活性能量线固化性压敏粘合剂、压敏粘合片以及层合体-CN201410122863.6在审
发明人：江岛由多加;高桥洋一 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2014-03-28 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： C09J133/08 文献下载
摘要：本发明提供对缘于印刷层等的高差追随性优异，同时耐久性也优异的活性能量线固化性压敏粘合剂、压敏粘合片以及层合体。为了解决上述课题，提供活性能量线固化性压敏粘合剂，将活性能量线固化性压敏粘合剂形成厚度为600μm的压敏粘合剂层时，将压敏粘合剂层的表面，在5mm×5mm的面积上，以6mm/分钟的速度压入至深度为500μm10秒后的压入应力在对压敏粘合剂层照射活性能量线前为4.0N～7.0N，对压敏粘合剂层照射活性能量线后为7.0N～15.0N，对压敏粘合剂层照射活性能量线后的压入应力相对于对压敏粘合剂层照射活性能量线前的压入应力之比为
活性能量固化性压敏粘合剂粘合以及合体

[发明专利]活性能量线固化性压敏粘合剂、压敏粘合片以及层合体-CN202210790063.6在审
发明人：江岛由多加;高桥洋一 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2014-03-28 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： C09J7/38 文献下载
摘要：本发明提供对缘于印刷层等的高差追随性优异，同时耐久性也优异的活性能量线固化性压敏粘合剂、压敏粘合片以及层合体。为了解决上述课题，提供活性能量线固化性压敏粘合剂，将活性能量线固化性压敏粘合剂形成厚度为600μm的压敏粘合剂层时，将压敏粘合剂层的表面，在5mm×5mm的面积上，以6mm/分钟的速度压入至深度为500μm10秒后的压入应力在对压敏粘合剂层照射活性能量线前为4.0N～7.0N，对压敏粘合剂层照射活性能量线后为7.0N～15.0N，对压敏粘合剂层照射活性能量线后的压入应力相对于对压敏粘合剂层照射活性能量线前的压入应力之比为
活性能量固化性压敏粘合剂粘合以及合体

[发明专利]质量分析装置及质量分析方法-CN202180094318.9在审
发明人：平尾健;内藤康秀;小杉典正 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G01N27/64 文献下载
摘要：本发明的质量分析装置具备：试样台；照射部，其对试样照射能量线，在维持被照射能量线的区域的试样的位置信息的情况下使试样的成分离子化；引出电极，其通过与试样台的电位差来从试样的表面引出离子化试样；MCP，其放出相应于离子化试样的电子；摄像部，其取得基于通过MCP而放出的电子的图像；及控制部，其控制照射部、引出电极及摄像部的动作。控制部在由照射部进行的的能量线的照射后，在相应于检测对象成分的时刻，使引出电极的电位变化，且在相应于检测对象成分的期间，使摄像部取得作为分析对象的图像。
质量分析装置方法

[发明专利]一种用于防止血小板冷藏损伤的近红外低能量激光照射方法以及血小板保存方法-CN202310330112.2在审
发明人：谢如锋;杨洁;莫琴;黄宇闻;杨懿铭;刘李栋 -专利权人：上海市血液中心
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： A01N1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种近红外低能量激光防止血小板冷藏损伤的方法以及血小板保存方法。该近红外低能量激光防止血小板冷藏损伤的方法用近红外低能量激光照射冷藏后的血小板，开始照射血小板的时间为冷藏血小板线粒体和胞浆ROS显著升高的时间点T0。通过优化近红外低能量激光照射的条件和照射时间，用物理干预方法减少血小板冷藏损伤，为临床上血小板的保存提供了新的方法。
一种用于防止血小板冷藏损伤红外能量激光照射方法以及保存

[发明专利]3D造型装置、3D造型方法和造型物体-CN201110358106.5有效
发明人：安河内裕之 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-11-11 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： B29C67/00 文献下载
摘要：该3D造型装置包括：支持体，支持通过层叠树脂材料所形成的造型物体，树脂材料通过能量射线的能量而固化；照射机构，基于层叠的截面的图像数据用能量射线照射树脂材料以形成造型物体，其中图像数据构成作为造型对象的造型对象物的3D数据；以及供给机构，基于截面的图像数据，向被照射机构照射而固化的树脂材料供给构成造型物体的一部分并且不同于树脂材料的材料。
造型装置方法物体

[发明专利]粒子成分分析装置及其使用方法以及粒子复合分析装置-CN201710176345.6在审
发明人：长谷川祥树;武田直希;小泉和裕;浅野贵正 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2017-03-23 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： G01N1/22 文献下载
摘要：通过对捕获体照射能量线，使捕获体的温度上升。由此，粒子从捕获体脱离。在对从捕获体脱离的粒子进行分析时，在不控制捕获体的温度的情况下，捕获体的温度发生变化而难以将测定条件保持为恒定。粒子成分分析装置具有捕获体，其捕获成为测定对象的气溶胶中的粒子；能量线照射部，其向被捕获体捕获的粒子照射能量线；分析器，其基于通过能量线的照射而从捕获体脱离的粒子的脱离成分对粒子的成分和每种成分的量中的至少一项进行分析，捕获体具有温度测定部，粒子成分分析装置还具备控制部，控制部基于通过温度测定部测得的捕获体的温度对能量线照射部的输出进行控制。
粒子成分分析装置及其使用方法以及复合

[发明专利]图像处理方法和图像处理装置-CN201110205170.X有效
发明人：石见知三;川原真哉;浅井敏明;堀田吉彦 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2011-07-13 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： B41J2/475 文献下载
摘要：图像处理方法，其包括：基于待记录字符的类型、大小和线宽的信息，计算字符的密度；基于字符的密度，调节用于记录字符的激光束的照射能量；和用照射能量被调节的激光束照射记录介质，以在其上记录字符。
图像处理方法装置

[发明专利]用于添加式地制造三维物体的设备-CN201810187678.3在审
发明人： M·赖兴贝歇尔;J·斯坦贝格尔;C·维尔林 -专利权人： CL产权管理有限公司
申请日： 2018-03-07 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： B29C64/153 文献下载
摘要：本发明涉及一种通过依次逐层地选择性地照射和固化由能借助能量束(4)固化的建造材料(3)构成的层来添加式地制造三维物体(2)的设备(1)，其中设备(1)包括照射装置(5)，所述照射装置适于产生用于照射所述建造材料(3)的至少一个能量束(4)，其中，设有包括至少一个检测单元(11)的安全装置(10)，所述检测单元适于检测通过照射建造材料(3)产生的过程光(12)，其中，安全装置(10)适于根据检测结果控制照射装置
建造材料照射安全装置三维物体照射装置能量束固化检测控制照射装置检测结果制造

[发明专利]金刚石平滑化方法-CN201880096204.6在审
发明人：池上浩;吉武刚;片宗优贵;村泽功基 -专利权人：国立大学法人九州大学;国立大学法人九州工业大学;OSG株式会社
申请日： 2018-08-01 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：检测产生烧蚀的阈值能量密度Es，以基于该阈值能量密度Es设定的平滑化照射能量密度Ef进行平滑化处理，因此，即使产生烧蚀的阈值能量密度Es由于多晶金刚石膜的晶体尺寸、品位、掺杂元素等而不同，也能够始终以可产生烧蚀的平滑化照射能量密度另外，平滑化照射能量密度Ef设定为阈值能量密度Es的1倍～15倍的范围内这一较低值，因此，抑制激光向多晶金刚石膜的内部的透射，优先抛光除去凹凸表面的凸部，能够以自凹凸表面至凹陷部的底部的抛光量及改性层厚度的合计尺寸为
金刚石平滑方法

[发明专利]用于添加式地制造三维物体的设备的照射装置-CN201711373410.0在审
发明人： F·舒德尔;P·庞蒂勒-许穆拉;B·艾肯伯格 -专利权人： CL产权管理有限公司
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： B29C64/153 文献下载
摘要：一种用于通过依次逐层地选择性照射和固化由能借助能量束固化的建造材料构成的层来添加式地制造三维物体的设备的照射装置，其适合于借助至少一个能量束依次逐层地选择性照射和固化由建造材料构成的层，照射装置包括：分别适合于产生具有给定射束特性的至少一个能量束的多个射束产生单元，每个射束产生单元均能与或与至少一个射束引导元件联接；多个射束引导元件，特别是射束引导纤维，每个射束引导元件均能与或与至少一个射束产生单元联接并能与或与至少一个照射头联接；至少一个照射头，其能与或与多个射束引导元件联接，并包括适合于单独地修改通过相应的射束引导元件耦合到照射头中的每个能量束的射束特性的至少一个射束修改单元。
射束引导元件能量束联接产生单元照射装置照射头固化选择性照射建造材料三维物体射束特性单独地耦合到制造纤维

[发明专利]结晶半导体膜的制造方法-CN201080052451.X有效
发明人：次田　纯一;町田　政志;泽井　美喜 -专利权人：株式会社日本制钢所
申请日： 2010-09-17 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供一种结晶半导体膜的制造方法，在对非单晶半导体膜进行激光退火时，能够用恰当的扫描间距和照射次数来使所述半导体膜结晶。该结晶半导体膜的制造方法是在非单晶半导体膜上照射线光束形状的脉冲激光来使非单晶半导体膜结晶，其中，脉冲激光在扫描方向上的光束截面形状具有强度均匀的平坦部（光束宽度a），通过脉冲激光照射而结晶的半导体膜所形成的晶体管的沟道区域宽度为b，脉冲激光具有的照射脉冲能量密度E低于使非单晶半导体膜发生微晶化的照射脉冲能量密度，通过具有照射脉冲能量密度E的脉冲激光的照射而使结晶粒径生长达到饱和的照射次数为n0，则脉冲激光的照射次数n为（n0-
结晶半导体制造方法