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[发明专利]一种柔性三维石墨烯硅氧烯复合膜的制备方法-CN202211129563.1有效
发明人：张二辉;唐婧;毛月圆;过家好;郑胜彪;周永生;李子荣 -专利权人：安徽科技学院
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C01B32/184 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种柔性三维石墨烯硅氧烯复合膜的制备方法，属于碳硅基复合膜材料的制备、表面功能化修饰和应用的技术领域，本发明采用氧化石墨、硅氧烯为原料，用海藻酸钠促使成膜，经流动自组装及乙二胺气相还原转换构筑石墨烯硅氧烯复合膜，此制备方法工艺先进，数据精确翔实，石墨烯硅氧烯复合膜呈黑色薄膜状，硅氧烯均相插层在石墨烯片层之间，形成三维分级孔隙结构；由石墨烯硅氧烯复合膜构筑的器件可以点亮1.5 V的发光二极管；器件的最大功率密度为该方法是一种简单且易规模化制备三维石墨烯硅氧烯复合膜的方法。
一种柔性三维石墨烯硅氧烯复合制备方法

[发明专利]基于Ni膜退火的结构化石墨烯制备方法-CN201210158388.9有效
发明人：郭辉;张晨旭;张玉明;张克基;雷天民;邓鹏飞 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2012-05-22 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Ni膜退火的结构化石墨烯制备方法，主要解决用现有技术制备石墨烯连续性不好、层数不均匀，导致制作器件时由于光刻工艺使石墨烯的电子迁移率降低的问题。1200℃-1350℃下生长3C-SiC薄膜；(2)在3C-SiC薄膜表面淀积一层SiO2，并在SiO2上刻出图形窗口；(3)将开窗后裸露的3C-SiC在800-1000℃下与气态CCl4反应，生成双层碳膜；(4)将生成的双层碳膜样片置于缓冲氢氟酸溶液中去除剩余的SiO2；(5)将去除SiO2后的双层碳膜样片置于Ni膜上，再将它们置于Ar气中，在温度为900-1100℃下退火15-25min，以在窗口位置处生成双层结构化石墨烯本发明制备的双层结构化石墨烯表面光滑，连续性好，孔隙率低，可用于制作微电子器件。
基于 ni 退火结构化石制备方法

[发明专利]基于Cu膜退火的结构化石墨烯制备方法-CN201210158541.8无效
发明人：郭辉;张晨旭;张克基;张玉明;雷天民;邓鹏飞 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2012-05-22 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Cu膜退火的结构化石墨烯制备方法，主要解决现有技术制备的石墨烯连续性不好、层数不均匀，且制作器件时由于光刻工艺使石墨烯中电子迁移率降低的问题。下进行3C-SiC薄膜异质外延生长；再在3C-SiC样片表面淀积一层0.5-1μm厚的SiO2，并在SiO2上刻出结构化图形窗口；然后将裸露的3C-SiC在800-1000℃下与气态CCl4反应，生成双层碳膜；再将生成的双层碳膜样片置于缓冲氢氟酸溶液中去除窗口以外的SiO2；再将去除SiO2后的双层碳膜样片置于Cu膜上，将它们一同置于Ar气中，在温度为900-1100℃下退火10-25min生成双层结构化石墨烯本发明制备的双层结构化石墨烯表面光滑，连续性好，孔隙率低，可用于制作微电子器件。
基于 cu 退火结构化石制备方法

[实用新型]一种快速检测痕量重金属离子的电化学探头-CN201620920391.3有效
发明人：王鹏;吴康兵 -专利权人：湖北出入境检验检疫局检验检疫技术中心
申请日： 2016-08-22 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： G01N27/26 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种快速检测痕量重金属离子的电化学探头，包括2个以上玻碳电极、位于玻碳电极检测面的石墨烯膜以及与玻碳电极电性连接的导电丝，各玻碳电极均固定于绝缘外壳中，相邻两个玻碳电极通过绝缘外壳隔离，玻碳电极的检测面位于绝缘外壳的底面和/或侧面上；本实用新型提供的快速检测痕量重金属离子的电化学探头，在普通玻碳电极的用于检测的表面上均匀附着石墨烯膜，借助石墨烯高的比表面积，强的吸附能力和优良的导电性能，显著提高了Cd2+、Pb2+电化学溶出峰信号，最终实现了检测Cd2+、Pb2+的灵敏度高、检测速度快；设置多个玻碳电极并且各玻碳电极的空间位置不相同，大大提高检测精度和检测范围。
一种快速检测痕量重金属离子电化学探头

[发明专利]一种水性氟碳树脂重防腐涂料及制备方法-CN201911048234.2在审
发明人：宾月珍;严晓宇;赵巍;武雪杉;曲美洁;李世瀚;王晓霖;王刚 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司大连石油化工研究院;大连理工大学
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： C09D127/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种水性氟碳树脂重防腐涂料及制备方法。所述防腐涂料以质量计包括：水性氟碳树脂50~60%，水8~15%，分散剂2~3%，消泡剂0.1~1.0%，增稠剂0.6~1.0%，钛白粉18~28%，成膜助剂1~4%，固化剂4~9%，润湿分散剂0.1~3%、改性石墨烯或石墨烯‑碳纳米管0.1~3%；所述改性石墨烯或石墨烯‑碳纳米管为聚合物包覆的石墨烯或石墨烯/碳纳米管。本发明涂料添加的改性石墨烯或石墨烯/碳纳米管，由于包覆了聚合物，而提高了溶解性，从而可以大幅度提高氟碳涂料的力学强度、硬度以及附着性。本发明的氟碳涂料以水为溶剂，在满足防腐需求的同时还具有清洁环保的特性。
一种水性树脂防腐涂料制备方法

[实用新型]超薄石墨烯偏光片-CN201520890228.2有效
发明人：蔡福水;黄睿;陈国华;杨洋 -专利权人：厦门祥福兴胶粘制品有限公司
申请日： 2015-11-10 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种偏光片，特别涉及一种超薄石墨烯偏光片，其包括依次层叠设置的石墨烯膜层、高倍数延伸聚乙烯醇层、石墨烯膜层和离型膜层，以上各层依次层叠粘合，其中高倍数延伸聚乙烯醇膜层中的“高倍数”指的是拉伸倍数为5—5.5倍；所述石墨烯膜层为纳米级薄层石墨烯薄膜；所述石墨烯膜层的碳层数为1‑3层；所述高倍数延伸聚乙烯醇膜层的厚度为40—50微米。由于石墨烯膜层为薄层石墨烯薄膜，所以大大降低了偏光片的厚度；石墨烯膜层作为聚乙烯醇层的保护膜，其具有良好的综合力学性能，并且有着很好的导电性能以及阻隔空气的性能，还能够有效降低静电对电子产品产生的损害，
超薄石墨偏光

[发明专利]一种制备Janus结构的悬空石墨烯支撑膜的方法-CN201910237780.4有效
发明人：彭海琳;郑黎明;邓兵;王雅妮 -专利权人：北京大学
申请日： 2019-03-27 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： C01B32/194 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备Janus结构的悬空石墨烯支撑膜的方法。该方法包括：通过化学气相沉积法在金属基底表面生长石墨烯薄膜，再制备悬空石墨烯薄膜，最后将所得悬空石墨烯置于等离子体清洗机中，对石墨烯表面进行功能化处理，得到亲疏水性可控、完整度高(80％)的Janus石墨烯支撑膜该制作方法工艺简单，一步等离子体处理便能够调控石墨烯的亲疏水性；并能通过增加掩模板制备图案化的Janus悬空石墨烯支撑膜。所得石墨烯支撑膜接触角范围广(50‑90°)，涵盖了商用无定形碳电镜支撑膜的接触角范围(60‑80°)，有利于生物蛋白、纳米颗粒等水溶性样品的有效负载和高分辨成像。
一种制备 janus 结构悬空石墨支撑方法

[实用新型]一种基于石墨烯的温热理疗电极片及其装置-CN201822196221.7有效
发明人：华成云;王小飞 -专利权人：江苏泽康医疗科技有限公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： A61N1/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及医疗设备技术领域，且公开了一种基于石墨烯的温热理疗电极片及其装置，所述温热理疗电极片包括贴片，所述贴片的右侧插装有端子线，所述贴片包括碳膜层，所述碳膜层的底部设置有第一包覆层，所述碳膜层的顶部固定安装有数量为四个的导电片，所述碳膜层的顶部且位于导电片的顶部铺设有粘接层，所述粘接层的顶部铺设有第二包覆层，所述端子线内部的碳纤维线分别与四个导电片的顶部固定连接。该基于石墨烯的温热理疗电极片及其装置，便于使用者将插头放回放置槽，将机体放置存取，且使脉冲传输稳定，减小端子线与碳膜层连接时的电阻，提高使用者的使用体验，且本电极片结构简单，成本较低，便于贴合人体的不规则肌体
一种基于石墨温热理疗电极及其装置

[发明专利]一种保温型石墨烯电热膜的制备方法-CN201910573890.8在审
发明人：黄治鸿;夏有良;刘杰;蒋建华 -专利权人：乐福之家纳米材料有限责任公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H05B3/20 文献下载
摘要：本发明涉及石墨烯电热膜制造技术领域，尤其是一种保温型石墨烯电热膜的制备方法，包括保温底层和石墨烯电热膜，所述石墨烯电热膜的一侧与所述保温底层通过耐高温胶进行粘连，其具体制备方法为：S1、保温底层的预制：S2、石墨烯电热膜的预制；S3、石墨烯电热膜与保温底层的胶接；本发明采用硅丙乳液和水性氟碳乳液和陶瓷颗粒为保温底层的基材，保持较高的保温性能，能有效地降低辐射传热和对流传热，从而降低物体表面的热平衡温度，为石墨烯电热膜(发热底板的使用)在只需单面发热的应用情景下，能有效石墨烯电热膜靠近地面的一侧热量不向下扩散，达到保温的目的。
电热膜石墨烯保温底层制备保温型预制辐射传热和对流传热水性氟碳乳液保温性能单面发热发热底板硅丙乳液耐高温胶陶瓷颗粒物体表面向下扩散应用情景热平衡有效地粘连基材胶接保温制造

[发明专利]基于Ni膜退火的SiC衬底上大面积石墨烯制备方法-CN201310078982.1无效
发明人：郭辉;张晨旭;张玉明;韦超;雷天民 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2013-03-12 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： C04B41/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Ni膜退火的SiC衬底上大面积石墨烯制备方法，主要解决现有技术中制备的石墨烯连续性不好、表面不光滑、层数不均匀的问题。盐酸和双氧水的混合溶液对SiC衬底进行清洗；接着对清洗后的SiC衬底进行氢刻蚀处理，并去除生成的Si的化合物；再将清洗后的SiC置于反映设备中，使SiC与气态CCl4在750℃～1150℃下反应，生成碳膜；然后在碳膜上电子束沉积一层Ni膜，并将镀有Ni膜的样片置于温度为900℃～1200℃下的Ar气中退火10min～20min生成石墨烯；最后用盐酸和硫酸铜的混合溶液将Ni膜从石墨烯样片上去除。本发明制备的石墨烯面积大，连续性好，表面光滑，孔隙率低，能够大规模批量生产。
基于 ni 退火 sic 衬底大面积石墨制备方法

[发明专利]基于Ni膜退火和氯气反应的SiC衬底上制备石墨烯的方法-CN201310078910.7无效
发明人：郭辉;凌显宝;张玉明;张晨旭;雷天民 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2013-03-12 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Ni膜退火和氯气反应的SiC衬底上制备石墨烯的方法，主要解决现有技术中制备的石墨烯连续性不好、表面不光滑的问题。其实现过程是：先对SiC衬底进行RCA清洗；对清洗后的SiC进行氢刻蚀，并去除刻蚀残留物；向石英管反应室中通入Ar气和Cl2的混合气体，在700℃～1100℃下SiC与Cl2反应3min～8min，生成碳膜；然后在碳膜上电子束沉积一层Ni膜；再将沉积有Ni膜的样片置于Ar气中，在温度为950℃～1150℃下退火10min～30min生成石墨烯；最后利用盐酸和硫酸铜的混合溶液将Ni膜从石墨烯样片上去除。本发明具有生成的石墨烯表面光滑，连续性好，孔隙率低的优点，可用于制作微电子器件，生物传感器或气体和液体的密封。
基于 ni 退火氯气反应 sic 衬底制备石墨方法

[实用新型]一种用于室内取暖的石墨烯复合发热板-CN201821656155.0有效
发明人：程文立 -专利权人：佛山市欣中茂节能建材科技有限公司
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： E04F13/075 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于室内取暖的石墨烯复合发热板，包括复合板材以及包围所述复合板材侧边的金属包框，所述复合板材包括有依次设置有第一防火材料层、第一碳镁复合板层、石墨烯发热膜层、阻热反射膜层、真金保温板层、第二碳镁复合板层以及第二防火材料层。
复合板材石墨烯防火材料层复合板层室内取暖碳镁复合保温板层发热膜层反射膜层依次设置发热板包框侧边真金阻热发热包围金属

[发明专利]一种空气阴极微生物燃料电池及其阴极制备方法-CN202011228080.8有效
发明人：朱冬冬;尤晓慧;周莉;杭小帅;陈玉东;丁程成;崔益斌 -专利权人：生态环境部南京环境科学研究所
申请日： 2020-11-06 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01M8/16 文献下载
摘要：阴极包括PVC管和经活化的质子交换膜，以及经石墨烯和催化剂修饰的碳布。碳布和质子交换膜依次包裹在PVC管下部，质子交换膜上部超出碳布，PVC管的包覆段均匀开设若干通气孔，碳布中穿插一根用于串联连接的铜导线，铜导线穿过PVC管并向上穿出。本发明中，阴极碳布通过石墨烯进行修饰有力的降低电池阴极的电阻，减小电池的内电阻。阴极碳布通过二氧化锰和活性碳粉的涂刷，有效得提高对空气中氧气的催化作用，加快反应过程效率。
一种空气阴极微生物燃料电池及其制备方法

[发明专利]基于Cl₂反应的SiC衬底上制备结构化石墨烯的方法-CN201210162173.4有效
发明人：郭辉;邓鹏飞;张玉明;张克基;雷天民;张凤祁 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2012-05-23 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： C04B41/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Cl2反应的SiC衬底上制备结构化石墨烯的方法，主要解决现有技术制备的石墨烯表面不光滑，层数不均匀，制作器件时由于光刻工艺导致石墨烯中电子迁移率降低的问题。；再在SiC样片表面淀积一层SiO2，并在SiO2上刻出图形窗口；再将开窗后的样片置于石英管中，向石英管中通入Ar气和Cl2的混合气体，在700-1100℃下裸露的SiC与Cl2反应3-8min，生成碳膜；将生成的碳膜置于Ar气中，在温度为1000-1200℃下退火10-30min，使碳膜在窗口位置重构成结构化石墨烯。用本发明工艺简单，安全性高，生成的结构化石墨烯表面光滑，孔隙率低，可用于制作微电子器件。
基于 cl sub 反应 sic 衬底制备结构化石方法

[发明专利]以SiC为基底的结构化石墨烯制备方法-CN201210159246.4无效
发明人：郭辉;张克基;张玉明;张凤祁;邓鹏飞;雷天民 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2012-05-22 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了以SiC为基底的结构化石墨烯制备方法，主要解决现有技术中制备的石墨烯表面不光滑、层数不均匀，制作器件时由于光刻工艺导致石墨烯电子迁移率降低的问题。样片表面淀积一层0.4-1.2μm厚的SiO2，并在SiO2上刻出图形窗口；将开窗后的样片置于石英管中，利用Ar气携带CCl4蒸汽进入石英管，在800-1100℃下气态CCl4与裸露的SiC反应，生成双层碳膜；再将生成的双层碳膜样片在Ar气中温度为1000-1200℃下退火10-30min，使双层碳膜在窗口位置重构成双层结构化石墨烯。本发明具有工艺简单，安全性高，双层结构化石墨烯表面光滑，孔隙率低的优点，可用于制作微电子器件。
sic 基底结构化石制备方法