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[发明专利]超低表面能型氟碳树脂-CN03112337.6无效
发明人：徐平先;陆青田;江翠萍;王春梅;李壮贤 -专利权人：青岛宏丰集团建材有限公司
申请日： 2003-04-21 - 公布日： 2003-10-22 - 主分类号： C08F14/18 文献下载
摘要：本发明涉及超低表面能型氟碳树脂，其采用氟氯乙烯、烯酯、烯酸、烯醚、引发剂，并使用醚酯和酮作溶剂，在聚合生产时引入有机硅烯酸酯，使含氟碳树脂的涂料在成膜时具有更低的表面张力，进一步提高漆膜的自洁性。
表面能型氟碳树脂

[发明专利]用于检测铅离子和镉离子的纳米三氧化二铋石墨烯复合膜电极的制备方法-CN201711287123.8有效
发明人：崔闻宇;曹吉越;吕江维 -专利权人：哈尔滨商业大学
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： G01N27/42 文献下载
摘要：用于检测铅离子和镉离子的纳米三氧化二铋石墨烯复合膜电极的制备方法，它属于电极材料技术领域。本发明取1～2mg纳米三氧化二铋石墨烯复合粉末，超声分散至500μL的10％的Nafion溶液中，得到纳米三氧化二铋复合石墨烯玻碳电极修饰液；将玻碳电极依次用乙醇、硝酸、去离子水分别超声5min，再依次用粒径的α‑Al2O3粉末反复打磨至镜面，用去离子水超声清洗5s后干燥；将6～10μL步骤5制备的纳米三氧化二铋复合石墨烯玻碳电极修饰液滴涂在处理后的玻碳电极表面，氮气干燥后，即得纳米三氧化二铋石墨烯复合膜电极。本发明在三氧化二铋石墨烯复合膜电极上，待测重金属离子溶出峰峰形对称，重现性好，灵敏度高，检出限低。
用于检测离子纳米氧化石墨复合电极制备方法

[发明专利]导电聚合物/离子聚合物/石墨烯多功能膜层包覆碳/硫复合正极材料及其制备方法-CN201710406673.0有效
发明人：徐辉;刘强;覃旭松;邓远富;齐威虎;陈国华 -专利权人：深圳启辰新能源科技有限公司
申请日： 2017-06-02 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：一种导电聚合物/离子聚合物/石墨烯多功能膜层包覆碳/硫复合材料：在导电碳/硫复合物的表面上，依次包覆有石墨烯功能膜层、离子聚合物功能膜层和导电聚合物功能膜层；制备方法：S1，将导电碳与硫混合后放入有机溶剂中进行超声溶解，然后进行低温真空蒸发；S2，将所得放入氧化石墨烯水溶液中进行搅拌，添加还原剂，快速搅拌得到黑色絮状沉淀物，常规处理；S3，将所得分散到离子聚合物单体水溶液中进行包覆，常规处理；S4，将所得放入低温气相沉积容器内本法制备出的导电聚合物/离子聚合物/石墨烯多功能膜层包覆碳/硫复合正极材料，结构新颖性能优异且实现了高比容量、高库伦效率和长循环寿命。
导电聚合物离子石墨多功能膜层包覆碳复合正极材料及其制备方法

[发明专利]基于SiC与氯气反应的Ni膜退火图形化石墨烯制备方法-CN201210484535.1无效
发明人：郭辉;胡彦飞;张玉明;赵艳黎;雷天民;张克基 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2012-11-23 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于SiC与氯气反应的Ni膜退火图形化石墨烯制备方法，主要解决现有技术中制备的石墨烯在制成元器件前需要利用电子束刻蚀进行形状剪裁的问题。其实现过程是：先对SiC样片进行标准清洗；再在清洗后的SiC样片表面淀积一层SiO2，并刻出图形；将图形化的样片置于石英管中，在700-1100℃下生成碳膜；再将生成的碳膜样片置于缓冲氢氟酸溶液中去除图形之外的SiO2；最后在碳膜上利用电子束沉积一层350-600nm厚的Ni膜，并将沉积有Ni膜的样片置于Ar气中，在温度为900-1100℃下退火10-30min生成图形化石墨烯材料。本发明制备的图形化石墨烯电子迁移率稳定，连续性好，且不用进行刻蚀，可直接用于制做基础元器件。
基于 sic 氯气反应 ni 退火图形化石制备方法

[发明专利]一种锂离子电池用硅碳负极及锂离子电池-CN202110614359.8在审
发明人：徐哲;解惠东;邵成蒙 -专利权人：浙江中科玖源新材料有限公司
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提出了一种锂离子电池用硅碳负极及锂离子电池，所述硅碳负极包括负极集流体以及附着在负极集流体上的聚合物膜，所述聚合物膜包括硅基活性材料、石墨烯以及聚酰亚胺，该锂离子电池用硅碳负极是采用下述方法制备得到：将二酐与二胺进行缩聚形成聚酰胺酸后，再与氨基化改性石墨烯进行缩合，得到石墨烯聚酰胺酸的共聚物；将上述石墨烯聚酰胺酸的共聚物与硅基活性材料进行混合形成浆料后，涂覆在负极集流体上，加热进行亚胺化，即得到所述锂离子电池用硅碳负极本发明所述硅碳负极材料可有效抑制硅的体积膨胀，同时具备硅活性材料的高比容量特性和碳活性材料的高循环稳定性。
一种锂离子电池用硅碳负极

[发明专利]一种类富勒烯碳基复合薄膜及其制备方法-CN201911363974.5有效
发明人：冯兴国;周晖;张凯锋;郑军;郑玉刚;万志华;刘兴光 -专利权人：兰州空间技术物理研究所
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种类富勒烯碳基复合薄膜及其制备方法，属于表面工程技术领域。本发明所述的复合薄膜中，采用碳膜作为过渡层，而且碳膜中的sp2键含量逐渐减少，sp3键含量逐渐增多，使过渡层硬度逐渐从接近基体到接近类富勒烯碳基层过渡本发明采用直流‑射频等离子体增强化学气相沉积技术制备，通过独立控制等离子体的密度及其能量，实现对类富勒烯碳基复合薄膜微结构的控制，克服了直流或射频等离子体增强化学气相沉积类富勒烯碳基薄膜等离子体能量和密度不能独立控制的不足
种类富勒烯碳基复合薄膜及其制备方法

[发明专利]一种柔性高导热石墨烯复合聚酰亚胺膜及其制备方法-CN201811154222.3有效
发明人：尹宗杰;黎佩珊;何立粮;杨麟 -专利权人：广州特种承压设备检测研究院
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明提供一种柔性高导热石墨烯复合聚酰亚胺膜及其制备方法，该制备方法为S1：在0.005MPa以下的真空环境中，将聚酰亚胺胶体置于含碳气体和氩等离子体混合物中，在40～450℃和催化剂作用下反应得到石墨烯复合聚酰亚胺前驱体；S2：将所述石墨烯复合聚酰亚胺前驱体置于0.0002～0.0001MPa的真空环境中，在100～300℃下热处理得到石墨烯复合聚酰亚胺膜。所述石墨烯复合聚酰亚胺膜包括聚酰亚胺和石墨烯，所述聚酰亚胺与石墨烯通过共价键连接。本发明使用等离子体辅助化学气相沉积法，使含碳气体分解并直接在凝胶状的聚酰亚胺中原位成核并组装石墨烯，形成石墨烯复合聚酰亚胺树脂前驱体；继而经减压升温使聚酰亚胺全亚胺化，形成具有高导热性能和柔性的石墨烯复合聚酰亚胺膜
一种柔性导热石墨复合聚酰亚胺及其制备方法

[发明专利]蓄电装置及其制造方法-CN201210179710.6有效
发明人：小国哲平;长多刚;竹内敏彦;野元邦治;荻野清文;等等力弘笃;桃纯平;井上信洋 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-06-01 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：负极包含粒子状或晶须状的硅，该硅粒子或硅晶须的表面被由通过使氧化石墨烯还原而形成的1层至50层的石墨烯构成的碳膜覆盖。至于碳膜，因为分子间键合力强的sp2键与硅表面大致平行，所以在硅膨胀时碳膜也不会破裂，而可以防止硅的破碎。另外，由此形成的碳膜具有适当的间隙，在硅膨胀时能够伸缩，并且该间隙可以透过锂离子。另外，碳膜还有防止硅与电解液起反应的效果。
装置及其制造方法

[发明专利]蓄电装置及其制造方法-CN201610631472.6有效
发明人：小国哲平;长多刚;竹内敏彦;野元邦治;荻野清文;等等力弘笃;桃纯平;井上信洋 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-06-01 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01M4/133 文献下载
摘要：负极包含粒子状或晶须状的硅，该硅粒子或硅晶须的表面被由通过使氧化石墨烯还原而形成的1层至50层的石墨烯构成的碳膜覆盖。至于碳膜，因为分子间键合力强的sp²键与硅表面大致平行，所以在硅膨胀时碳膜也不会破裂，而可以防止硅的破碎。另外，由此形成的碳膜具有适当的间隙，在硅膨胀时能够伸缩，并且该间隙可以透过锂离子。另外，碳膜还有防止硅与电解液起反应的效果。
装置及其制造方法

[发明专利]一种发泡碳膜及其制备方法-CN201810753782.4有效
发明人：高超;彭蠡;刘一晗;郭燕 -专利权人：杭州高烯科技有限公司;浙江大学
申请日： 2018-07-10 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： C01B32/184 文献下载
摘要：本发明公开了一种发泡碳膜及其制备方法，碳膜的厚度为70‑200nm，内部具有一层连续的气泡；气泡的内壁面由片层间距为0.34nm的石墨烯片构成，外壁面由金刚石构成，金刚石层与石墨烯层贴合；内壁面的石墨烯片缺陷极少
一种发泡及其制备方法

[发明专利]用于一价与多价金属离子分离的改性石墨烯膜及其制备方法-CN201710325859.3有效
发明人：奚月恒;刘壮;褚良银;汪伟;谢锐;巨晓洁 -专利权人：四川大学
申请日： 2017-05-10 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： B01D71/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于一价与多价金属离子分离的改性石墨烯膜，其膜材料为碳氧质量比1.2～1.4的轻微还原氧化石墨烯，膜中由轻微还原氧化石墨烯片层构成的二维纳米传质通道可使一价金属离子通过、多价金属离子截留改性石墨烯膜可通过包括以下工艺步骤的方法进行制备：将轻微还原氧化石墨烯均匀分散在水中形成轻微还原氧化石墨烯铸膜液；将铸膜液用基材膜过滤，在基材膜上形成湿态改性石墨烯膜；将所述湿态改性石墨烯膜连同基材膜一起置于常温下干燥，干燥后从基材膜上剥离即制得改性石墨烯膜。
用于金属离子分离改性石墨及其制备方法

[发明专利]基于Cu膜退火和Cl₂反应的结构化石墨烯制备方法-CN201210159169.2无效
发明人：郭辉;张克基;张玉明;张凤祁;邓鹏飞;雷天民 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2012-05-22 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Cu膜退火和Cl2反应的结构化石墨烯制备方法，主要解决现有技术制备的石墨烯续性不好、层数不均匀的问题。在温度为1150℃-1350℃下进行3C-SiC薄膜异质外延的生长；(3)在3C-SiC薄膜表面淀积一层SiO2，并刻出图形窗口；(4)将开窗后裸露的3C-SiC在700-1100℃下与Cl2反应，生成碳膜；(5)将生成的碳膜样片置于缓冲氢氟酸溶液中去除窗口之外的SiO2；(6)将去除SiO2后的碳膜样片置于Cu膜上，再将它们一同置于Ar气中，在温度为900-1100℃下退火10-30min，使碳膜在窗口位置重构成结构化石墨烯用本发明方法制备的结构化石墨烯表面光滑，连续性好，孔隙率低，可用于制作微电子器件。
基于 cu 退火 cl sub 反应结构化石制备方法

[发明专利]一种石墨烯连续膜导热片的制备方法-CN202210739407.0在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：烯玺科技（上海）有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：本发明公开了一种多层石墨烯连续膜导热片的制备方法，包括以下步骤：S1、将金属薄片在非氧化气体和保护气体的氛围下，以500‑1100℃下退火；S2、向金属薄片通入含碳气体，在0.1‑760 torr下反应0.1‑9999 min，而后停止通入含碳气体，温度降至室温后，得到覆盖多层石墨烯连续膜的金属薄片；S3a、用FeCl3溶液溶解金属薄片，得到悬浮在溶液中的完整的多层石墨烯连续膜，用涂有均匀导热硅胶的PET将多层石墨烯连续膜从溶液中捞起，并在去离子水中充分清洗，最后烘干；或者S3b、用胶带将多层石墨烯连续膜从金属薄片上直接揭下来，并用化学试剂或者加热等方法去除胶带，并将多层石墨烯连续膜压制于涂有均匀导热硅胶的这种多层石墨烯连续膜导热片具有高于其它所有材料的导热效率，且制备便捷、重复性高。
一种石墨连续导热制备方法

[发明专利]一种基于氧化石墨烯连续膜的净水设备滤芯的制备方法-CN202210742029.1在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：烯玺科技（上海）有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： B01D67/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于氧化石墨烯连续膜的净水设备滤芯的制备方法，包括以下步骤：S1、将金属薄片在非氧化气体和保护气体的氛围下，以500‑1100℃退火；S2、通入含碳气体，在0.1‑760torr下反应0.1‑9999min，停止通含碳气体，温度降至室温，得到覆盖多层石墨烯连续膜的金属薄片；S3a、用FeCl3溶解金属薄片，得到多层石墨烯连续膜，将其在去离子水中充分清洗，后烘干；S3b、用胶带将多层石墨烯连续膜从金属薄片上直接揭下来，用化学试剂或加热等方法去除胶带；S4、将多层石墨烯连续膜放置于臭氧环境中，在0.1‑760torr下加热至100‑500℃，加热0.1‑9999min，得到多层氧化石墨烯连续膜；S5、将多层氧化石墨烯连续膜夹在两层pp棉或无纺布等过滤材质间，再置于两层不锈钢滤网间制成净水设备滤芯。
一种基于氧化石墨连续净水设备制备方法

[发明专利]生产碳膜的方法-CN201180057082.8有效
发明人： H·福斯;J·特蕾尔;N·卡滕伯恩;S·克莫尼茨 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2011-09-30 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： B01D71/02 文献下载
摘要：本发明涉及烯属不饱和聚酯的溶液在生产适用于气体分离的碳膜中的用途，以及一种生产适用于气体分离的碳膜的方法，该方法包括以下步骤：a)用烯属不饱和聚酯的溶液涂覆多孔基材，b)通过除去溶剂将多孔基材上的聚酯涂层干燥，c)使多孔基材上的聚酯涂层热解，以形成适用于气体分离的碳膜，其中可将步骤a)-c)中的任意步骤或按步骤a)-c)的顺序进行超过一次。
生产方法

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