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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]显示装置的制造方法-CN202180087488.4在审
发明人：中村太纪;青山智哉;中泽安孝;佐藤来;保本清治;荻野清文;白石孝 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G09F9/00 文献下载
摘要：提供一种容易实现高清晰化的显示装置的制造方法。提供一种兼具高显示品质和高清晰度的显示装置。在该制造方法中，在第一像素电极及第二像素电极上沉积第一EL膜，以覆盖第一EL膜的方式形成第一牺牲膜，对第一牺牲膜及第一EL膜进行蚀刻来使第二像素电极露出，并且形成第一像素电极上的第一EL层及该第一EL层上的第一牺牲层并去除第一牺牲层。第一EL膜及第二EL膜通过干蚀刻进行蚀刻，第一牺牲层通过湿蚀刻去除。
显示装置制造方法

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN202180072568.2在审
发明人：佐藤来;保坂泰靖;中泽安孝;白石孝;荻野清文;冈崎健一 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供一种包括通态电流高的晶体管的半导体装置及其制造方法。提供一种电特性良好的半导体装置及其制造方法。本发明是一种包括衬底、衬底上的岛状绝缘层以及衬底及绝缘层上的晶体管的半导体装置。晶体管包括栅电极、栅极绝缘层、半导体层及一对导电层。一对导电层的一方具有与绝缘层重叠的区域，一对导电层的另一方具有不与绝缘层重叠的区域。一对导电层的另一方的顶面的高度低于一对导电层的一方的顶面的高度。一对导电层分别与半导体层接触。半导体层具有隔着栅极绝缘层与栅电极重叠的区域。
半导体装置制造方法

[发明专利]蓄电装置及其制造方法-CN201610631472.6有效
发明人：小国哲平;长多刚;竹内敏彦;野元邦治;荻野清文;等等力弘笃;桃纯平;井上信洋 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-06-01 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01M4/133 文献下载
摘要：本发明提供蓄电装置及其制造方法。本发明的一个方式提供一种起因于伴随充放电的硅的体积变化的电池特性的劣化得到抑制的锂离子二次电池。负极包含粒子状或晶须状的硅，该硅粒子或硅晶须的表面被由通过使氧化石墨烯还原而形成的1层至50层的石墨烯构成的碳膜覆盖。至于碳膜，因为分子间键合力强的sp²键与硅表面大致平行，所以在硅膨胀时碳膜也不会破裂，而可以防止硅的破碎。另外，由此形成的碳膜具有适当的间隙，在硅膨胀时能够伸缩，并且该间隙可以透过锂离子。另外，碳膜还有防止硅与电解液起反应的效果。
装置及其制造方法

[发明专利]电化学电容器-CN201610293934.8有效
发明人：栗城和贵;荻野清文;斎藤祐美子 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-09-16 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01G11/02 文献下载
摘要：提出一种能够增加电容的电化学电容器。该电化学电容器是形成于基板的表平面上的正电极和负电极。此外，电化学电容器具有电解质，并且正电极和负电极与电解质的相同表平面接触。换句话说，电化学电容器具有在电解质的表平面上的正电极活性材料和负电极活性材料，接触正电极活性材料的正电极集流器，以及接触负电极活性材料的负电极集流器。通过前述结构，可以增加电化学电容器的电容。
电化学电容器

[发明专利]电极、蓄电池、蓄电装置以及电子设备-CN201610556782.6在审
发明人： 荻野清文 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2016-07-15 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： H01M4/134 文献下载
摘要：本发明涉及电极、蓄电池、蓄电装置及电子设备。本发明的一个方式提供一种容量大的蓄电装置、一种能量密度高的蓄电装置、一种可靠性高的蓄电装置或一种寿命长的蓄电装置。此外，本发明的一个方式提供一种容量大的电极、能量密度高的电极或一种可靠性高的电极。本发明的一个方式是一种蓄电装置，包括第一电极以及第二电极，其中，第一电极包括第一集流体以及第一活性物质层，第一活性物质层包括活性物质粒子、设置在活性物质粒子的周围的空隙、石墨烯以及粘合剂，活性物质粒子是硅，并且，活性物质及该空隙被石墨烯和粘合剂覆盖。
电极蓄电池装置以及电子设备

[发明专利]二次电池-CN201310258403.1在审
发明人： 荻野清文 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2013-06-26 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H01M4/583 文献下载
摘要：本发明的一个方式提供一种能够在寒冷地域等的低温环境下发挥充分的电池性能的二次电池。此外，本发明的一个方式还提供一种在寒冷地域等的低温环境下也具有高容量的二次电池。本发明的一个方式是一种二次电池，包括：正极；负极；以及包含非水溶剂及电解质的电解液，其中，负极包括负极活性物质层，该负极活性物质层包括包含粒子状合金类材料的负极活性物质、石墨烯及粘合剂，非水溶剂包含碳酸丙烯酯，并且，电解质包含高氯酸锂。
二次电池

[发明专利]负极的制造方法以及锂二次电池的制造方法-CN201310059609.1在审
发明人： 荻野清文 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2013-02-17 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01M4/139 文献下载
摘要：本发明的目的之一是在电极的制造工序中减少制造工序数并且抑制该电极的损坏而得到可靠性高的锂二次电池。本发明涉及一种负极的制造方法以及具有该负极的锂二次电池的制造方法，该方法包括如下步骤：混合氧化石墨烯、多个粒子状的负极活性物质和聚酰亚胺的前驱体而形成浆料；将该浆料涂敷在负极集流体上；通过对涂敷在该负极集流体上的浆料以200℃以上且400℃以下进行加热，使该聚酰亚胺的前驱体亚胺化；以及通过用来使该聚酰亚胺的前驱体亚胺化的所述加热处理，进行该氧化石墨烯的还原。
负极制造方法以及二次电池

[发明专利]蓄电装置-CN201180058641.7有效
发明人：栗城和贵;井上信洋;荻野清文 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： H01M4/134 文献下载
摘要：本发明提供一种蓄电装置，该蓄电装置具有改善了的性能如高放电容量，并不容易发生由活性材料层的剥落等导致的劣化。在用于蓄电装置的电极中，在集流体上的活性材料层中使用掺杂有磷的非晶硅作为能够与锂合金化的材料，并且在该活性材料层上作为包含铌的层形成氧化铌。从而可以提高蓄电装置的容量，还可以改善循环特性及充放电效率。
装置

[发明专利]蓄电装置以及该蓄电装置的制造方法-CN201210317383.6有效
发明人： 荻野清文;斎藤祐美子 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-08-31 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01M12/06 文献下载
摘要：本发明的一个方式提供一种能量密度高的蓄电装置的结构以及制造方法。空气电极包括：第一集电体；与第一集电体接触地设置的具有凸状构造物的第二集电体；以及具有1层以上且100层以下的石墨烯膜的催化剂层。由此，首先利用第二集电体的效果可以显著增大空气电极的表面积。而且，因为石墨烯膜可以不使用贵金属等的催化剂剂地呈现催化反应，所以通过在第二集电体上具备催化剂层，能够提高蓄电装置的能量密度。
装置以及制造方法

[发明专利]蓄电装置及其制造方法-CN201210179710.6有效
发明人：小国哲平;长多刚;竹内敏彦;野元邦治;荻野清文;等等力弘笃;桃纯平;井上信洋 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-06-01 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：本发明提供蓄电装置及其制造方法。本发明的一个方式提供一种起因于伴随充放电的硅的体积变化的电池特性的劣化得到抑制的锂离子二次电池。负极包含粒子状或晶须状的硅，该硅粒子或硅晶须的表面被由通过使氧化石墨烯还原而形成的1层至50层的石墨烯构成的碳膜覆盖。至于碳膜，因为分子间键合力强的sp2键与硅表面大致平行，所以在硅膨胀时碳膜也不会破裂，而可以防止硅的破碎。另外，由此形成的碳膜具有适当的间隙，在硅膨胀时能够伸缩，并且该间隙可以透过锂离子。另外，碳膜还有防止硅与电解液起反应的效果。
装置及其制造方法

[发明专利]氧化还原电容器以及其制造方法-CN201080044992.8有效
发明人：栗城和贵;荻野清文;斋藤祐美子;坂田淳一郎 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-09-17 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01G9/00 文献下载
摘要：提供可在室温被制造的氧化还原电容器以及其制造方法。含有氢的非晶半导体被用作氧化还原电容器的电解质。可使用含有诸如非晶硅、非晶硅锗、或非晶锗之类的半导体元素的非晶半导体作为含有氢的非晶半导体的典型示例。可使用含有氢的非晶半导体作为含有氢的非晶半导体的另一个示例。可给出含有诸如氧化锌、氧化钛、氧化镍、氧化钒、以及氧化铟之类的单组分氧化物半导体的非晶半导体作为含有氢的氧化物半导体的典型示例。可使用诸如In-M-Zn-氧化物半导体(M是选自Al、Ga、Fe、Ni、Mn、以及Co的一个或多个金属元素)之类的多组分氧化物半导体作为含有氢的非晶半导体的另一个示例。
氧化还原电容器及其制造方法

[发明专利]显示设备和电子装置-CN200780024166.5有效
发明人：惠木勇司;西毅;荻野清文;笹川慎也;仓田求;须泽英臣 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2007-05-25 - 公布日： 2009-07-08 - 主分类号： G09F9/00 文献下载
摘要：一种显示设备，其包括抗反射膜，该抗反射膜具有在显示屏幕表面之上的多个凸起，由该多个凸起中的每个凸起的基底与斜面所成的角度为大于等于84度且小于90度。
显示设备电子装置

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