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[发明专利]氧化硅薄膜制备方法、氧化膜厚度控制装置及氧化炉-CN201410083757.1有效
发明人：徐兴国;张凌越 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-03-07 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：氧化硅薄膜制备方法氧化膜厚度控制装置及氧化炉，氧化硅薄膜制备方法包括：提供热氧化炉，所述热氧化炉适于在硅片上生长若干批次的氧化硅薄膜，所述氧化硅薄膜具有相同的目标厚度，且生长不同批次的氧化硅薄膜时，热氧化炉的热氧化反应气压不同；获取热氧化炉基于不同热氧化反应气压下，氧化硅薄膜厚度与热氧化反应时间、热氧化反应温度、热氧化反应气体流量关系曲线的一种或多种；在采用所述热氧化炉生长所述氧化硅薄膜时，根据获取的外界气压和所述关系曲线，调节所述热氧化反应时间、热氧化反应温度、热氧化反应气体流量中的一种或多种工艺参数以平衡不同批次的热氧化反应气压的波动。本发明能够降低不同批次硅片生长氧化硅薄膜厚度差异。
氧化薄膜制备方法厚度控制装置

[发明专利]半导体基板的热氧化膜形成方法-CN202180032465.3在审
发明人：大槻刚;阿部达夫 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2021-03-08 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明为一种半导体基板的热氧化膜形成方法，该方法具有下述工序：相关关系获取工序，其中，预先准备多个化学氧化膜的构成不同半导体基板，在相同的热氧化处理条件下形成热氧化膜，求出化学氧化膜的构成与热氧化膜的厚度的相关关系；基板清洗工序，其中，对半导体基板进行清洗；热氧化膜的厚度推定工序，其中，求出由基板清洗工序中的清洗形成于半导体基板的化学氧化膜的构成，根据相关关系，推定假设在相关关系获取工序中的热氧化处理条件下对半导体基板进行热氧化处理时的热氧化膜的厚度；热氧化处理条件确定工序，其中，以相关关系获取工序中的热氧化处理条件为基准，以使热氧化膜的厚度为规定厚度的方式确定热氧化处理条件；热氧化膜形成工序，其中，在热氧化处理条件确定工序中确定的热氧化处理条件下在半导体基板上形成热氧化膜由此，再现性良好地将热氧化膜形成为如预期的薄的厚度。
半导体氧化形成方法

[实用新型]氨气处理系统-CN201420375462.7有效
发明人：扶亚民;洪守铭;陈寿忠;刘容甄;林士闵 -专利权人：上海华懋环保节能设备有限公司;华懋科技股份有限公司
申请日： 2014-07-08 - 公布日： 2014-12-03 - 主分类号： B01D53/86 文献下载
摘要：本实用新型关于一种氨气处理系统，用于处理含氨废气，其包括一进气管路，用以输送该含氨废气；一蓄热氧化炉，连通该进气管路，接收该进气管路输送的含氨废气并于该蓄热氧化炉热氧化为含氮氧化物的蓄热氧化炉排气；一导气管路，连通该蓄热氧化炉，并输送该蓄热氧化炉产生的蓄热氧化炉排气；一温控单元，连通导气管路，用以接收该导气管路输送处的蓄热氧化炉排气且调整该蓄热氧化炉排气至一反应温度后排出；一触媒反应器，连通该该温控单元，接收该温控单元排出的蓄热氧化炉排气，且将该蓄热氧化炉排气中的氮氧化物反应还原为氮气而成为净化气体并排出；以及一排放管路，连通该触媒反应器并输送及排出该净化气体。
氨气处理系统

[实用新型]一种防堵蓄热氧化炉-CN201921070068.1有效
发明人：马晓驰;谢永恒;马小礼 -专利权人：江苏中电联瑞玛节能技术有限公司
申请日： 2019-07-09 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： F23G7/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种防堵蓄热氧化炉，包括底板，所述底板顶部的左侧固定连接有蓄热氧化炉，底板的顶部且位于蓄热氧化炉的右侧固定连接有风机，风机的输入端与蓄热氧化炉右侧的底部连通，风机的输出端连通有连接管，连接管的右端连通有烟囱本实用新型通过设置底板、蓄热氧化炉、风机、连接管、烟囱、壳体、支撑板、第一电机、凸轮、滑杆、滑环、升降板、弹簧、连杆、载板、第二电机和毛刷辊的配合使用，解决了现有蓄热氧化炉的烟囱不具有清理灰尘的功能，蓄热氧化炉的烟囱容易出现堵塞现象的问题，该防堵蓄热氧化炉，具备防堵功能的优点，便于使用者使用蓄热氧化炉，提高了蓄热氧化炉的实用性。
一种蓄热氧化

[发明专利]半导体器件的热氧化方法和制造方法-CN202210507480.5在审
发明人：温芳;常东旭;陈鹏飞;墨京华;刘林兴;马月霞;盛凯悦;段荣芝 -专利权人：北京燕东微电子科技有限公司
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本申请公开了半导体器件的热氧化方法和制造方法。该热氧化方法包括：在热氧化的升温阶段，执行至少一次升温氧化处理；在热氧化的降温阶段，执行至少一次降温氧化处理；在热氧化的恒温阶段，同时执行恒温氧化处理及热退火处理，其中，所述至少一次升温氧化处理、所述至少一次降温氧化处理和所述恒温氧化处理共同形成氧化层该热氧化方法利用热处理的多个温度阶段组合执行多个氧化工艺以提高氧化效率，减少了热氧化的工艺时间，从而提高了产能。
半导体器件氧化方法制造

[实用新型]高压器件干式灌封结构-CN202220226955.9有效
发明人：黄福庭;严建春;孙铁钢;方淑辉;胡明生;孟勇 -专利权人：青岛瑞阳电子有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L23/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了高压器件干式灌封结构，具体涉及电力电子变换领域，包括高压器件主体，所述高压器件主体包括保护外壳，所述保护外壳内部设有灌封腔，所述灌封腔内部填充有硅橡胶本体，所述灌封腔内部设有第一散热氧化铝陶瓷板、第二散热氧化铝陶瓷板和第三散热氧化铝陶瓷板，所述第二散热氧化铝陶瓷板位于第一散热氧化铝陶瓷板和第三散热氧化铝陶瓷板之间，所述第一散热氧化铝陶瓷板位于第三散热氧化铝陶瓷板前侧。本实用新型通过采用硅橡胶本体对灌封腔进行灌封，并同时在散热面上嵌装第一散热氧化铝陶瓷板、第二散热氧化铝陶瓷板和第三散热氧化铝陶瓷板的结构设计来封装高电压组件，使其具有可靠的绝缘能力和良好的散热能力。
高压器件干式灌封结构

[发明专利]半导体基板的热氧化膜形成方法-CN202180035761.9在审
发明人：大槻刚;阿部达夫 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体基板的热氧化膜形成方法，其具有下述工序：相关关系获取工序，其中，预先准备由清洗而形成的化学氧化膜的构成各不相同的多个半导体基板，在相同的热氧化处理条件下进行热氧化处理从而形成热氧化膜，求出化学氧化膜的构成与热氧化膜的厚度的相关关系；清洗条件确定工序，其中，根据在相关关系获取工序中得到的相关关系，以使形成于半导体基板的热氧化膜的厚度为规定厚度的方式确定化学氧化膜的构成，并同时确定形成具有确定出的化学氧化膜的构成的化学氧化膜的清洗条件；基板清洗工序，其中，在所确定的清洗条件下对半导体基板进行清洗；热氧化膜形成工序，其中，对于进行了清洗的所述半导体基板，在与相关关系获取工序中的热氧化处理条件相同的条件下，对半导体基板进行热氧化处理，在所述半导体基板表面形成热氧化膜由此，能够再现性良好地将热氧化膜形成为如预期的膜厚。
半导体氧化形成方法

[发明专利]一种提高PERC电池开压的热氧化工艺方法及得到的PERC电池片-CN202010994697.4有效
发明人：宋飞飞;张向斌 -专利权人：横店集团东磁股份有限公司
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高PERC电池开压的热氧化工艺方法及得到的电池片。所述方法包括：将硅片依次进行第一热氧化和第二热氧化的过程，第一热氧化的温度第二热氧化的温度。本发明所述方法采用两步通氧的热氧化工艺，在第一热氧化温度下通入第一步氧气，使在氧化过程中硅片表面生成的Si‑SiO2界面之间过渡层中的硅原子的悬挂键基本被消除，从而提高少子寿命，但是由于氧化产生的自间隙硅原子太多，它们在硅片体内的原生氧沉淀或者其他缺陷处会生成一些二次缺陷，所以在第二热氧化温度(第一热氧化的温度第二热氧化的温度)状态下通入第二步通氧进行再次表面钝化
一种提高 perc 电池氧化工艺方法得到

[发明专利]一种低补燃量烟气等速分级反应高效热氧化炉-CN201210323698.1有效
发明人：马晓阳;赵继文;王伟;吕凤;程高锋 -专利权人：洛阳瑞昌石油化工设备有限公司
申请日： 2012-09-05 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： F23G7/08 文献下载
摘要：本发明涉及废物热氧化分解技术，涉及一种低补燃量烟气等速分级反应高效热氧化炉，热氧化炉包括有炉体和燃烧器（1），设置在炉体前端的燃烧器（1）上具有助燃空气入口（1.1）；炉体包括有燃烧段（2）和多级热氧化段；燃烧段（2）具有废气进口（2.1），多级热氧化段均具有废气入口、一级空气入口和二级空气入口；热氧化段的废气入口位于一级空气入口与二级空气入口之间；燃烧段的废气、多级热氧化段的废气与空气均以与炉体的轴线呈20°～60°的夹角进入炉体；燃烧段、多级热氧化段内烟气的流速相等。本发明具有燃烧稳定性强，搀兑高热值燃料少、结构简单可靠、热氧化稳定充分、热效率高、便于操作、成本低的特点。
一种低补燃量烟气等速分级反应高效氧化

[实用新型]一种低补燃量烟气等速分级反应高效热氧化炉-CN201220447700.1有效
发明人：马晓阳;赵继文;王伟;吕凤 -专利权人：洛阳瑞昌石油化工设备有限公司
申请日： 2012-09-05 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： F23G7/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及废物热氧化分解技术，涉及一种低补燃量烟气等速分级反应高效热氧化炉，热氧化炉包括有炉体和燃烧器（1），设置在炉体前端的燃烧器（1）上具有助燃空气入口（1.1）；炉体包括有燃烧段（2）和多级热氧化段；燃烧段（2）具有废气进口（2.1），多级热氧化段均具有废气入口、一级空气入口和二级空气入口；热氧化段的废气入口位于一级空气入口与二级空气入口之间；燃烧段的废气、多级热氧化段的废气与空气均以与炉体的轴线呈20°～60°的夹角进入炉体；燃烧段、多级热氧化段内烟气的流速相等。本实用新型具有燃烧稳定性强，搀兑高热值燃料少、结构简单可靠、热氧化稳定充分、热效率高、便于操作、成本低的特点。
一种低补燃量烟气等速分级反应高效氧化

[发明专利]制动器监测设备-CN201910137774.1在审
发明人：罗德里戈·希门尼斯;布里斯·舍雷;莫德·孔索拉 -专利权人：空中客车营运有限公司;空中客车运营简化股份公司;空中客车简化股份公司
申请日： 2019-02-25 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： B64F5/60 文献下载
摘要：本发明公开了用于对飞行器起落架的制动器的热氧化状态进行确定的设备和方法。对制动器的热氧化状态进行确定包括：利用热氧化模型基于在制动事件之前的初始热氧化状态以及制动器关于时间的温度曲线来对在该制动事件之后制动器的热氧化状态进行确定。
制动器热氧化制动事件飞行器起落架监测设备温度曲线

[发明专利]热氧化异种复合基板及其制造方法-CN201380005209.0有效
发明人：秋山昌次;飞坂优二;永田和寿 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2013-01-11 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及热氧化异种复合基板，是在处理基板上具有单晶硅膜的异种复合基板，通过在实施超过850℃的热氧化处理前施加650℃～850℃的中间热处理，然后在超过了850℃的温度下实施热氧化处理而得到，根据本发明，能够得到热氧化后的缺陷数减少的热氧化异种复合基板。
氧化复合及其制造方法

[实用新型]MVR装置-CN202022899185.8有效
发明人：张玉峰 -专利权人：江苏景泰石油化工装备有限公司
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C02F9/10 文献下载
摘要：该MVR装置包括：热氧化组件，空气加热组件，与所述热氧化组件相连接；动力组件，与所述热氧化组件、所述空气加热组件相连接；控制系统，与所述热氧化组件、所述空气加热组件、所述动力组件电连接，用于控制所述动力组件将混合液以及所述空气加热组件加热后的空气输送至所述热氧化组件中，并通过所述热氧化组件完成混合液的热氧化反应。
mvr 装置

[发明专利]屏蔽沟槽栅的制造方法-CN202211165232.3在审
发明人：张蕾;潘嘉;陈正嵘;吴长明 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：屏蔽沟槽栅的制造方法包括以下步骤：在半导体衬底上，通过氧化物作为掩模层定义出沟槽图案；基于沟槽图案刻蚀半导体衬底，在半导体衬底中形成沟槽结构；去除掩模层，使得半导体衬底的上表面外露；通过热氧化工艺在半导体衬底的表面形成热氧化层，热氧化层覆盖在沟槽结构的内壁上以及半导体衬底外露的上表面上；向覆盖有热氧化层的沟槽结构中填充多晶硅；刻蚀去除多晶硅的上部，使得位于沟槽结构上部的热氧化层外露；对于覆盖在沟槽结构上部的热氧化层，从热氧化层的内壁开始刻蚀去除部分热氧化层
屏蔽沟槽制造方法

[发明专利]槽型元件分离结构-CN02157489.8有效
发明人：堀田胜之;黑井隆;酒井舞子 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 1998-03-02 - 公布日： 2003-07-16 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：一种槽型元件分离结构，该结构在形成于硅衬底的槽内经由热氧化膜埋入了埋入氧化膜，其特征在于：上述埋入氧化膜的上表面的全部设置在所述硅衬底的上方；上述热氧化膜包括：形成在所述硅衬底的上方的第1热氧化膜部，和在上述硅衬底的下方将上述槽覆，并在上述硅衬底表面的高度与第1热氧化膜部相接的第2热氧化膜部；第1热氧化膜部和第2热氧化膜部，为使在上述槽壁垂直的方向上的膜厚在处于上述硅衬底表面的高度互相接触的部分成为最厚，分别具有在上述硅衬底的表面的高度互相接触的部分逐渐向外侧扩展的部分
元件分离结构

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