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[发明专利]用于PMOS管的反向电流抑制电路-CN202110934157.1有效
发明人：沈华 -专利权人：无锡市晶源微电子有限公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H02H7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于PMOS管的反向电流抑制电路，包括栅极驱动单元，第一PMOS管源极电位小于漏极电位时，所述栅极驱动单元使所述第一PMOS管栅极电位等于漏极电位，所述第一PMOS管处于反向电流抑制状态；包括衬底切换单元，所述第一PMOS管源极电位小于漏极电位时，所述衬底驱动单元将所述第一PMOS管衬底与漏极短接。本发明当PMOS管源极电位小于漏极电位时，可控制PMOS管工作反向电流抑制状态，有效保护PMOS管。
用于 pmos 反向电流抑制电路

[发明专利]半导体装置和显示装置-CN201910149889.2在审
发明人：木下智豊 -专利权人：株式会社日本有机雷特显示器
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：本技术提供一种半导体装置，其具备：基板，包含树脂材料，并且具有对置的第一面和第二面；晶体管，设置在基板的第一面，并且具有半导体层和一对源·漏电极，一对源·漏电极与半导体层电连接且以分别被施加源极电位、漏极电位的方式构成；导电膜，设置在基板的第二面；以及电压施加部，构成为：向导电膜供给等于源极电位的电位、等于漏极电位的电位或源极电位与漏极电位之间的电位中的任何一个。
电位漏极电位源极电位基板半导体装置第二面漏电极半导体层电电压施加部半导体层树脂材料显示装置向导电膜导电膜晶体管对置施加

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN200710182177.8有效
发明人：入江由季子 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2007-09-13 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：该显示装置包括像素电极；像素开关元件，其具有第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域和栅极电极；保持电容元件，其具有形成为在其间夹置电介质膜的第一电极和第二电极，第二电极与第二源极/漏极区域相连；像素电极接续部，其由导电材料形成，像素电极和第二源极/漏极区域通过像素电极接续部彼此相连；和与第一源极/漏极区域连接的信号配线；当通过反转驱动保持像素电位时，信号配线和第二源极/漏极区域变为电位彼此不同，且像素电极接续部和第二源极/漏极区域变为电位彼此相等。
显示装置及其制造方法

[发明专利]具有静电保护功能的输出驱动电路-CN201910619298.7在审
发明人：许杞安 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H03K19/003 文献下载
摘要：一种输出驱动电路，包括：输出驱动模块，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管，以及输出端；第一PMOS管的源极连接电源线VDD，漏极与第一NMOS管的漏极连接；第二PMOS管的源极连接至电源线VDD，漏极与第二NMOS管的漏极连接；第一NMOS管的源极、第二NMOS管的源极均连接至地线VSS；输出端连接至第一PMOS管和第一NMOS管的漏极，还连接至第二PMOS管和第二NMOS管的漏极；第一电位控制模块和第二电位控制模块，第一电位控制模块连接至第一PMOS管的栅极、第二PMOS管的栅极，用于在ESD状态下，使第一PMOS管的栅极、第二PMOS管的栅极均具有相同的电位；第二电位控制模块连接至第一NMOS管的栅极、第二NMOS管的栅极，用于在ESD状态下，使第一NMOS管的栅极、第二NMOS管的栅极均具有相同的电位。
具有静电保护功能输出驱动电路

[实用新型]具有静电保护功能的输出驱动电路-CN201921072640.8有效
发明人：许杞安 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H03K19/003 文献下载
摘要：一种输出驱动电路，包括：输出驱动模块，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管，以及输出端；第一PMOS管的源极连接电源线VDD，漏极与第一NMOS管的漏极连接；第二PMOS管的源极连接至电源线VDD，漏极与第二NMOS管的漏极连接；第一NMOS管的源极、第二NMOS管的源极均连接至地线VSS；输出端连接至第一PMOS管和第一NMOS管的漏极，还连接至第二PMOS管和第二NMOS管的漏极；第一电位控制模块和第二电位控制模块，第一电位控制模块连接至第一PMOS管的栅极、第二PMOS管的栅极，用于在ESD状态下，使第一PMOS管的栅极、第二PMOS管的栅极均具有相同的电位；第二电位控制模块连接至第一NMOS管的栅极、第二NMOS管的栅极，用于在ESD状态下，使第一NMOS管的栅极、第二NMOS管的栅极均具有相同的电位。
漏极电位控制模块电位源极连接电源线源极输出驱动电路输出驱动模块输出端连接输出端地线

[实用新型]总线信号转换电路-CN200620087776.2无效
发明人：王伟;张建春 -专利权人：海信集团有限公司;青岛海信电器股份有限公司
申请日： 2006-08-09 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： G06F13/40 文献下载
摘要：双通道MOS场效应管第一通道的源极或漏极与第一电位总线的时钟线连接，栅极与直流参考电压连接，漏极或源极与第二电位总线的时钟线连接，以此实现第一电位和第二电位总线时钟信号的互换；第二通道的源极或漏极与第一电位总线的数据线连接，栅极与直流参考电压连接，漏极或源极与第二电位总线的数据线连接，以此实现第一电位和第二电位总线数据信号的互换。本实用新型由于采用双通道MOS场效应管集成芯片来代替原有的分立元件，不仅实现了不同电位总线信号的双向切换，而且简化了电路结构，降低了生产成本，增强了整机电路工作的稳定性和可靠性。
总线信号转换电路

[发明专利]一种过零检测电路和同步降压变换器-CN202210607561.2在审
发明人：凌德强 -专利权人：上海艾为电子技术股份有限公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： G01R19/175 文献下载
摘要：在该过零检测电路中，当同步降压变换器的上桥关断且下桥导通后，电感电流逐渐减小并反向，反向前电感电流由下桥的源极流向漏极，即下桥的源极的电位大于漏极的电位，而反向后电感电流由下桥的漏极流向源极，即下桥的漏极的电位大于源极的电位，因此当下桥的漏极电位不再小于下桥的源极电位时，表明电感电流等于零，即比较电路在电感电流等于零时控制下桥关断，进而该过零检测电路可以实现对电感电流的过零检测；另外，由于差分采样电路具有放大采样信号的作用
一种检测电路同步降压变换器

[发明专利]电平变换电路-CN02813928.3无效
发明人：野口幸宏;松本昭一郎 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2002-07-10 - 公布日： 2004-09-01 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：电平变换部(101)的p沟道MOSFET(11)的源极连接到接受电源电位VDD的电源端子，漏极连接输出节点NO，栅极连接输入节点I2。n沟道MOSFET(12)的源极连接输入节点I1，漏极连接输出节点NO，栅极连接到接受电源电位VDD的电源端子。输入信号CLK1、CLK2互补地变化，它们的高低电平电位差小于电源电位VDD与接地电位之间的电位差。
电平变换电路

[发明专利]半导体装置、驱动控制装置及驱动控制方法-CN201610055074.4无效
发明人：仲敏行 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2016-01-27 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：场效晶体管具有衬底、设置在衬底之上的氮化物半导体层、设置在氮化物半导体层之上的漏极电极及源极电极、以及隔在漏极电极与源极电极之间的栅极电极。开关能够将衬底的电位切换为多个电位。控制部根据漏极电极的输入而以成为多个电位中的任一电位的方式控制开关。
半导体装置驱动控制方法

[发明专利]一种静电放电保护电路、IO电路及芯片-CN202111022600.4在审
发明人：张金弟;安旭阳;蔡占成 -专利权人：上海芯圣电子股份有限公司
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：静电放电保护电路包括：第一晶体管，源极连接到第一电位，漏极连接第二晶体管的源极；第二晶体管，漏极连接到第二电位，第二电位高于第一电位；第二晶体管的栅极连接VSS；第二晶体管的漏极宽于第一晶体管的源极。
一种静电放电保护电路 io 芯片

[发明专利]电流驱动装置的驱动电路，电流驱动设备及其驱动方法-CN200410098284.9无效
发明人：下田雅通;安部胜美;井口康一 -专利权人：日本电气株式会社;恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2004-12-01 - 公布日： 2005-06-15 - 主分类号： G09G3/30 文献下载
摘要：参考电位施加于这个N沟道晶体管的源极和漏极中的一个上。源极和漏极中的另一个连接节点。预充电信号施加于N沟道晶体管的栅极。对于在像素上显示黑色的情况，将参考电位设置为预充电输出电位，即当最小电流经过连接N沟道晶体管的源极和漏极的另一个的P沟道晶体管时的电位。
电流驱动装置电路设备及其方法

[发明专利]高压元件电路及其电压过低锁定电路-CN201110244733.6有效
发明人：李秋平 -专利权人：原景科技股份有限公司
申请日： 2011-08-25 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H02H3/24 文献下载
摘要：一种电压过低锁定电路，应用于高压元件电路中，包含：具有接收第一供应电压的第一端的负载模块、参考电位高压晶体管、偏压电流源模块、比较电流源模块以及比较高压晶体管。参考电位高压晶体管的栅极接收参考预设电位，源极连接负载模块第二端。偏压电流源模块连接于参考电位高压晶体管的漏极及负接地电位间。比较高压晶体管的输入栅极连接参考电位高压晶体管的漏极，输出漏极连接于比较电流源模块。当第一供应电压提升至特定高电平，使比较高压晶体管的电流汲取能力大于比较电流源模块的电流供应能力，且使输出漏极产生电源启动信号。
高压元件电路及其电压锁定

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201610587483.9在审
发明人：中山达峰;宫本宏信;增本一郎;三宅慎一;川口宏 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L29/80 文献下载
摘要：半导体器件具有包含杂质的电位固定层和栅极电极。漏极电极和源极电极形成在栅极电极的相对侧。中间层绝缘膜形成在栅极电极和漏极电极之间及栅极电极和源极电极之间。漏极电极之下电位固定层部分中的去激活元素浓度高于源极电极之下电位固定层部分中的去激活元素浓度。栅极电极和漏极电极之间的中间层绝缘膜部分的膜厚度不同于栅极电极和源极电极之间的中间层绝缘膜部分的膜厚度。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体集成电路器件-CN200610095799.2无效
发明人：田中一雄;水野弘之;西山利惠;宫本学 -专利权人：株式会社日立制作所;日立超大规模集成电路系统株式会社
申请日： 1998-12-25 - 公布日： 2007-01-24 - 主分类号： H03K3/356 文献下载
摘要：一种半导体集成电路器件，包括：具有第一电位的第一电位点；具有第二电位的第二电位点；上拉电平转换电路，以及用于限定流过上拉电平转换电路的电流的电流源。所述上拉电平转换电路包括：用于接收互补输入信号、源极连接到所述第二电位点的第一种导电类型的第一和第二场效应晶体管，以及第二种导电类型的第三和第四场效应晶体管，该第三场效应晶体管的源极连接到所述第一电位点、漏极连接到所述第一场效应晶体管的漏极、栅极连接到所述第二场效应晶体管的漏极；所述第四场效应晶体管的源极连接到所述第一电位点、漏极连接到所述第二场效应晶体管的漏极、栅极连接到所述第一场效应晶体管的漏极，
半导体集成电路器件

[发明专利]GOA电路-CN201711010220.2有效
发明人：石龙强;陈书志 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：该GOA电路的第N级GOA电路单元的信号放大电路部分包括：第一放大电路薄膜晶体管(T1)栅极连接直流高电位(VGH)，源极和漏极连接第一放大电路节点(S(N))和直流高电位(VGH)；第二放大电路薄膜晶体管(T2)栅极连接第N级内部信号输出点(G(N)_in)，源极和漏极连接第一放大电路节点(S(N))和直流低电位(VSS)；第三放大电路薄膜晶体管(T3)栅极连接直流高电位(VGH)，源极和漏极连接第N级外部信号输出点(G(N)_out)和直流高电位(VGH)；第四放大电路薄膜晶体管(T4)栅极连接第一放大电路节点(S(N))，源极和漏极连接第N级外部信号输出点(G(N)_out)和直流低电位(VSS)。
goa 电路

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