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[发明专利]第一基板、显示面板及显示设备-CN202210934287.X在审
发明人：张俊;吴增华 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都中电熊猫显示科技有限公司
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：该第一基板包括衬底、栅极层、栅极绝缘层和多个防穿结构，多个防穿结构设置于第一源漏走线远离栅极绝缘层的一侧，防穿结构与第一源漏走线之间电绝缘，防穿结构用于与第二基板的隔垫物正对设置。本申请实施例通过在第一源漏走线远离栅极绝缘层的一侧设置多个防穿结构，而且防穿结构设置在与第二基板的隔垫物正对的位置，该防穿结构能够利于阻止隔垫物中突出的金属异物与第一源漏走线接触，能够防止金属异物与第一源漏走线发生短路，从而防穿结构有利于保护第一源漏走线，能够保证第一源漏走线的正常工作，进而能够消除显示面板出现的暗线不良，能够保证显示面板的发光性能。
第一显示面板设备

[发明专利]一种基于共振隧穿的纳米线晶体管及其制备方法-CN201910772038.3有效
发明人：赵晓松;韩伟华;郭仰岩;窦亚梅;张晓迪;吴歆宇;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2019-08-20 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种基于共振隧穿的纳米线晶体管，该纳米线晶体管包括：SOI衬底、隧穿势垒结构、源区、漏区、纳米线、栅极、源电极、漏电极、栅电极和绝缘介质层。隧穿势垒结构位于SOI衬底的埋氧化层上，源区、漏区和纳米线通过刻蚀SOI衬底的顶层硅形成，纳米线位于源区和漏区之间，源区、漏区和纳米线之间不直接连接，通过隧穿势垒结构相连接，绝缘介质层形成于源区、漏区和纳米线表面，栅极形成于纳米线上方的绝缘介质层上，源电极形成于源区上，漏电极形成于漏区上，栅电极形成于栅极上。本发明公开的基于共振隧穿的纳米线晶体管的结构及其制备方法，减小亚阈值斜率，可以实现较大的导通电流和较小的源漏接触电阻。
一种基于共振纳米晶体管及其制备方法

[发明专利]磁阻式存储器结构-CN201910119591.7有效
发明人：吴奕廷;吴祯祥;杨伯钧;谢咏淨;郑宗昇;陈健中;王荏滺;黄正同 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-02-18 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：本发明公开一种磁阻式存储器结构，其具有第一磁阻式存储器组包含一第一晶体管，第一晶体管包含一第一栅极结构、一第一源极/漏极区和一第一共同源极/漏极区，一第二晶体管包含一第二栅极结构、一第二源极/漏极区和第一共同源极/漏极区，一第二磁性隧穿结设置于第二晶体管之上，其中第一共同源极/漏极区电连接第二磁性隧穿结，一第一磁性隧穿结设置于第一晶体管之上，其中第一磁性隧穿结和第二磁性隧穿结的大小不同，第二磁性隧穿结串联第一磁性隧穿结，一位线电连接第一磁性隧穿结以及一源极线电连接第一源极/漏极区和第二源极/漏极区。
磁阻存储器结构

[发明专利]源漏对称可互换的双向隧穿场效应晶体管及其制造方法-CN201711050820.1有效
发明人：靳晓诗;高云翔;刘溪 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种源漏对称可互换的双向隧穿场效应晶体管及其制造方法。本发明所述器件具有左右对称的结构特征，通过调节源漏可互换电极电压控制第二类杂质重掺杂源漏可互换区作为源区或漏区，改变隧穿电流方向。对比于普通MOSFETs型器件，利用隧穿效应实现更优秀的开关特性；对比于普通的隧穿场效应晶体管，本发明具有普通的隧穿场效应晶体管所不具备的源漏可互换的双向对称开关特性，因此适合推广应用。
对称互换双向场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]H形栅控源漏对称可互换型隧穿晶体管及其制造方法-CN201711048116.2有效
发明人：靳晓诗;王艺澄;刘溪 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种H形栅控源漏对称可互换型隧穿晶体管及其制造方法，本发明所述器件具有矩形栅极和左右对称的结构特征，具有较强的栅极控制能力并且可以通过调节源漏可互换电极电压控制第二类杂质重掺杂源漏可互换区作为源区或漏区，改变隧穿电流方向。对比于普通MOSFETs型器件，利用隧穿效应实现更优秀的开关特性；对比于普通的隧穿场效应晶体管，本发明具有普通的隧穿场效应晶体管所不具备的源漏可互换的双向对称开关特性，因此适合推广应用。
形栅控源漏对称互换型隧穿晶体管及其制造方法

[发明专利]减小高电子迁移率晶体管源漏区域欧姆接触电阻率的方法-CN201310363053.5无效
发明人：孔欣;魏珂;刘新宇;刘果果 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-08-20 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种减小高电子迁移率晶体管源漏区域欧姆接触电阻率的方法，该方法是在源漏区域光刻之后，通过对源漏区域进行选择性刻蚀，通过刻蚀势垒层减小势垒层厚度，随后蒸发源漏金属并剥离后再采用高温快速热退火工艺形成欧姆接触，在不对二维电子气造成过分损伤的情况下从物理上减小载流子的隧穿距离，提升隧穿效率，获得低欧姆接触电阻率。利用本发明，可以有效减小源漏区隧穿距离，提升载流子隧穿几率，进而获得低阻欧姆接触。
减小电子迁移率晶体管区域欧姆接触电阻率方法

[发明专利]一种肖特基隧穿晶体管结构及其制备方法-CN200910199045.5无效
发明人：吴东平;张世理;王鹏飞;仇志军;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2009-11-19 - 公布日： 2010-06-02 - 主分类号： H01L29/812 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，具体公开了一种肖特基隧穿晶体管及其制备方法，该晶体管包括一个半导体衬底、一个源极、一个漏极、一个栅极、一个肖特基结(金属半导体结)和位于所述源极和漏极区域的金属层。所述的肖特基隧穿晶体管用栅极控制反向偏置的肖特基结的带间隧穿电流，该肖特基结一端为源极，另外一端为漏极。本发明提出的肖特基隧穿晶体管制造工艺简单，源极和漏极的形成和栅极自对准。和传统的P-N结隧穿晶体管相比，本发明提出的肖特基隧穿晶体管具有更小的源漏串联电阻以及更好的可缩微性。因而大大提高了半导器件的性能。
一种肖特基隧穿晶体管结构及其制备方法

[发明专利]隧穿晶体管及隧穿晶体管的制备方法-CN201580077845.3有效
发明人：吴昊;张臣雄;杨喜超;赵静 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2015-04-22 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了一种隧穿晶体管及隧穿晶体管的制备方法，其中，一种隧穿晶体管，包括衬底(10)、第一源极区域(50)、漏极区域(60)、第二源极区域(80)、沟道(90)、晕环层(100)、栅介质层(20)及栅极区域(30)，所述第一源极区域(50)及所述漏极区域(60)形成于所述衬底(10)之上，所述第二源极区域(80)形成于所述第一源极区域(50)及所述漏极区域(60)之间，使得所述第二源极区域(80)与所述漏极区域(60)之间形成沟道(90)，所述晕环层(100)形成于所述第二源极区域(80)的部分表面之上，所述栅介质层(20)及所述栅极区域(30)依次形成于所述晕环层(100)之上。还提供一种隧穿晶体管的制作方法。采用线隧穿机制提高了隧穿晶体管的隧穿几率，进而增大了隧穿晶体管的隧穿电流。
晶体管制备方法

[发明专利]n沟道SONOS器件及其编译方法-CN201410428695.3有效
发明人：顾经纶 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-08-27 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：本发明公开了一种n沟道SONOS器件，包括：p型半导体衬底，其包括n型掺杂的源区和漏区，以及位于源漏区之间的p型掺杂的晕圈注入区；以及位于p型半导体衬底上n型掺杂的源漏区之间的栅极结构，该栅极结构依次包括遂穿氧化层当n沟道SONOS器件编译时，通过在多晶硅栅极上施加正的栅极电压、在源区施加0V的源极电压、在漏区施加大于源极电压的漏极电压以及在衬底上施加正的衬底电压，在栅极电压和源极电压的电压差作用下使得晕圈注入区靠近源区和遂穿氧化层的区域中产生带带遂穿电子，该带带遂穿电子在衬底电压和源极电压的电压差作用下加速并在栅极电压作用下进入遂穿氧化层。
沟道 sonos 器件及其编译方法

[发明专利]一种括号形栅控源漏阻变式双向开关晶体管及其制造方法-CN201711050924.2有效
发明人：刘溪;夏正亮;靳晓诗 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种括号形栅控源漏阻变式双向开关晶体管及其制造方法，本发明所述器件具有括号栅极和左右对称的结构特征，具有较强的栅极控制能力并且可以通过调节源漏可互换电极电压控制金属源漏可互换区作为源区或漏区，改变隧穿电流方向。对比于普通MOSFETs型器件，利用隧穿效应实现更优秀的开关特性；对比于普通的隧穿场效应晶体管，本发明具有普通的隧穿场效应晶体管所不具备的源漏可互换的双向对称开关特性，因此适合推广应用。
一种括号形栅控源漏阻变式双向开关晶体管及其制造方法

[发明专利]源漏对称可互换双括号形栅控隧穿晶体管及其制造方法-CN201711046023.6有效
发明人：刘溪;夏正亮;靳晓诗 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及源漏对称可互换双括号形栅控隧穿晶体管及其制造方法，本发明所述器件具有折叠辅助栅、双括号栅和左右两侧对称的结构特征，具有较强的栅极控制能力并且可以通过调节源漏可互换电极的电压控制重掺杂源漏可互换区作为源区或漏区，改变隧穿电流方向。对比于普通MOSFETs型器件，利用隧穿效应实现更优秀的开关特性；对比于普通的隧穿场效应晶体管，本发明具有普通的隧穿场效应晶体管所不具备的源漏对称可互换的双向开关特性，因此适合推广应用。
对称互换括号形栅控隧穿晶体管及其制造方法

[发明专利]双侧折叠栅控源漏双隧穿型双向导通晶体管及其制造方法-CN201711048158.6有效
发明人：靳晓诗;王艺澄;刘溪 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及双侧折叠栅控源漏双隧穿型双向导通晶体管及其制造方法，本发明所述器件具有能够使晶体管源漏两侧同时发生隧穿效应的双侧折叠栅和能够实现源漏互换双向导通的左右对称的结构特征，双侧折叠栅对单晶硅薄膜两侧垂直部分形成三面包裹，因此具有较强的栅控能力，可实现低亚阈值摆幅特性；具有能够阻止源漏掺杂区的多数载流子流过晶体管的势垒调节栅结构特征。对比于普通MOSFETs型器件，利用隧穿效应实现更优秀的开关特性；对比于普通的隧穿场效应晶体管，本发明具有普通的隧穿场效应晶体管所不具备的源漏对称可互换的双向开关特性，因此适合推广应用。
折叠栅控源漏双隧穿型双向晶体管及其制造方法

[发明专利]一种互补隧穿场效应晶体管及其制作方法-CN201410623588.6有效
发明人：杨喜超;赵静;张臣雄 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2014-11-07 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种互补隧穿场效应晶体管及其制作方法，涉及半导体技术领域，该互补隧穿场效应晶体管能够增加载流子的隧穿效率，从而提高互补隧穿场效应晶体管的性能。该晶体管包括：设置于衬底上的第一漏区和第一源区，第一漏区和第一源区包括第一掺杂物；设置于第一漏区上的第一沟道和设置于第一源区上的第二沟道；设置于第一沟道上的第二源区和设置于第二沟道上的第二漏区，第二源区和第二漏区包括第二掺杂物；设置于第一漏区和第二源区上的第一外延层，设置于第二漏区和第一源区上的第二外延层；设置于第一外延层上的第一栅堆叠层，设置于第二外延层上的第二栅堆叠层。
一种互补场效应晶体管及其制作方法

[发明专利]一种基于石墨烯的隧穿晶体管、反相器及其制备方法-CN201811123546.0有效
发明人：王琦龙;杨文鑫;徐季;翟雨生;张晓兵 -专利权人：东南大学
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于石墨烯的隧穿晶体管、反相器及其制备方法，石墨烯隧穿晶体管包括源极、栅极、漏极、石墨烯薄膜、半导体或金属衬底、隧穿层、漏极绝缘层、栅极绝缘层、石墨烯钝化层以及直流偏置电压源；源电极和硅衬底相连，漏电极与石墨烯薄膜相连，石墨烯和衬底之间有一层隧穿层，栅极在电子隧穿部分的顶部。若半导体或金属衬底的功函数较小，漏极选择功函数较大的金属，器件为n型，反之漏极则采用功函数较大的金属，器件为p型。p型管漏极连接高电位，n型管源极连接低电位，两根管的共有栅极作为电路的输入端，p型管源极和n型管漏极相连，作为电路的输出端。新型石墨烯隧穿晶体管结构实现高响应速率、低静态功耗的数字逻辑反相器。
一种基于石墨晶体管反相器及其制备方法

[发明专利]隧穿场效应晶体管及其形成方法-CN201710580672.8有效
发明人：唐粕人 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-07-17 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种隧穿场效应晶体管及其形成方法，其中，方法包括：提供衬底；在衬底上形成栅极结构，栅极结构下方衬底中具有沟道区，栅极结构包括相对的第一侧和第二侧；在栅极结构第一侧的衬底中形成第一源漏掺杂层，第一源漏掺杂层中具有第一源漏离子，第一源漏掺杂层与所述沟道区的接触面上具有凸出部；在栅极结构第二侧的衬底中形成第二源漏掺杂层，所述第二源漏掺杂层中具有第二源漏离子，所述第二源漏离子与所述第一源漏离子的导电类型相反。其中，沟道开启之后，所述凸出部能够增加所述第一源漏掺杂层与第二源漏掺杂层之间的电场强度，从而能够增加所形成隧穿场效应晶体管的导通电流。
场效应晶体管及其形成方法

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