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[发明专利]使用布局最佳化的开关改良-CN201710061563.5有效
发明人： A·孙达拉姆;B·斯瓦米纳坦;S·孔杜鲁;A·约瑟夫;M·谢拉克 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2017-01-26 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明涉及使用布局最佳化的开关改良，其具有与高频开关的装置结构耦合的配线的芯片结构及此类芯片结构的制造方法。形成包括第一源极/漏极区、第二源极/漏极区、及第一栅极电极的晶体管，该第一栅极电极具有顺着第一方向对准的第一宽度。形成包括与该第一源极/漏极区耦合的电线的配线阶。
使用布局最佳开关改良

[发明专利]半导体存储装置-CN202110017413.0在审
发明人：石原英恵 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L27/11565 文献下载
摘要：实施方式提供一种半导体存储装置，能抑制连接于源极层的局域配线与位于其上的上层配线之间的通孔接点的熔融。本实施方式的存储器中，电路位于存储单元阵列的下方。源极层位于存储单元阵列与电路之间。第2接点在积层方向上贯通单元区域及接点区域设置到源极层。第1配线在接点区域中沿相对于第2接点的延伸方向交叉的方向延伸。第2配线设置在第2接点的正上方，在接点区域中沿第2接点延伸，与第1配线连接。多个第3接点设置在第2配线与第2接点之间。
半导体存储装置

[发明专利]显示装置-CN200880010450.1有效
发明人：加藤浩巳;前田和宏;C·布朗 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2008-04-03 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： G09F9/00 文献下载
摘要：所述显示装置具备有源矩阵基板(100)，该有源矩阵基板具有多个栅极配线(7)、多个源极配线(9)、和对应于多个栅极配线与多个源极配线的各交点而设置的显示用开关元件，所述显示装置具备：在有源矩阵基板(100)的像素区域(1)设置的光传感器(10)；和与光传感器对应设置的多个传感器行配线(8)，利用与显示用开关元件的驱动共用的列驱动电路，通过多个源极配线(9)进行对光传感器的电压的供给和来自光传感器(10)
显示装置

[发明专利]有源元件阵列基板、液晶显示面板及液晶显示器-CN200710153742.8有效
发明人：朱正仁;林丽年;林家樑 -专利权人：奇美电子股份有限公司
申请日： 2007-09-14 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：该有源元件阵列基板包括基板、扫描线、数据线、次配线、像素单元以及第三有源元件。数据线与扫描线互相垂直排列于基板上，而次配线与扫描线平行地交错排列。像素单元的第一有源元件的第一栅极与扫描线连接，而第一有源元件的第一源极与数据线连接。像素单元的第一像素电极与第一漏极电性连接。像素单元的第二有源元件的第二栅极与次配线连接，而像素单元的第二源极与数据线连接。像素单元的第二像素电极与第二漏极电性连接。第三有源元件的第三源极与次配线连接，且第三漏极与扫描线连接，而第三栅极与下一条扫描线连接。本发明只需要单一单元间隙，工艺简单且容易，降低了成本。
有源元件阵列液晶显示面板液晶显示器

[发明专利]器件基板-CN201080037466.9有效
发明人：藤川阳介 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2010-04-23 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：本发明的作为器件基板的元素侧基板(101)具备元素阵列区域(105)、RGB开关电路(112)以及源极驱动器IC(103)。通过使该源极驱动器IC(103)的与视频信号用配线连接的端子组的中心位置(f1)从RGB开关电路(112)的中心位置(f2)向左移动(位移)距离(g)，加长弯曲的左侧的视频信号用配线的在上下方向延伸的部分，缩短弯曲的右侧的视频信号用配线的在上下方向延伸的部分的长度。由此，充分避免与左侧控制用配线(2011～201a)的大的占有区域的干扰，且避免与右侧控制用配线(2021、202b)的小的占有区域的干扰，并且减小源极驱动器IC(103)和RGB开关电路(112)的距离
器件

[发明专利]主动式有机发光二极管的像素结构及其制造方法-CN200610164509.5有效
发明人：许先志;林志远;游伟盛;卢毅君;许淑卿 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2006-12-06 - 公布日： 2007-05-16 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：主动式有机发光二极管的像素结构及其制造方法。该方法包括：在一基板上形成一有机发光二极管，包括一透明电极、一有机发光层及一反射电极，有机发光层位于透明电极及反射电极之间；以及在所述基板上方形成至少一开关薄膜晶体管、至少一驱动薄膜晶体管、一扫描配线、一数据配线及一储存电容器，开关薄膜晶体管包括一第一栅极、一第一源极及一第一漏极，第一栅极耦接至扫描配线，第一源极耦接数据配线，驱动薄膜晶体管包括一第二栅极、一第二源极及一第二漏极，第二栅极耦接至第一漏极，储存电容器与第一漏极及第二栅极电性连接，第二漏极耦接至反射电极。本发明可增加开口率，避免透明电极的工艺破坏有机发光层，并保持有机发光二极管的透光率。
主动有机发光二极管像素结构及其制造方法

[发明专利]TFT基板、具备TFT基板的扫描天线以及TFT基板的制造方法-CN201780075996.4有效
发明人：美崎克纪 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：TFT基板(105)具有配置于非发送接收区域(R2)的源极‑栅极连接部(SG)。源极‑栅极连接部具有：源极下部连接配线(3sg)，其包含于栅极金属层(3)；第1开口部(4sg1)，其形成于栅极绝缘层(4)，到达源极下部连接配线；源极总线连接部(7sg)，其包含于源极金属层(7)，连接到源极总线(SL)；第2开口部(11sg1)，其形成于第1绝缘层(11)，在从电介质基板(1)的法线方向观看时与第1开口部重叠；第3开口部(11sg2)，其形成于第1绝缘层，到达源极总线连接部；第1连接部(13sg)，其包含形成于第1绝缘层与第2绝缘层之间的至少1个导电层，在第1开口部内连接到源极下部连接配线，在第3开口部内连接到源极总线连接部；第4开口部(17sg1、17sg2)，其形成于第2绝缘层(17)，到达第
tft 基板具备扫描天线以及制造方法

[发明专利]半导体器件、半导体器件的制造方法、显示装置和电子设备-CN201010164659.2无效
发明人：米屋伸英 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-04-16 - 公布日： 2010-10-27 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：半导体器件包括：第一层配线，其包括被安装在衬底上的栅极电极；栅极绝缘膜，其具有将第一层配线的一部分暴露的开口，并覆盖包括栅极电极在内的衬底的整个表面；第二层配线，其包括被安装在栅极绝缘膜上的源极电极和漏极电极；绝缘分隔层，其具有第一开口和第二开口，第一开口将源极电极与漏极电极之间的边缘以及栅极绝缘膜的位于源极电极与漏极电极之间的部分暴露，第二开口与形成在栅极绝缘膜中的所述开口对准；以及有机半导体层，其跨着源极电极和漏极电极布置在形成在分隔层中的第一开口的底表面处
半导体器件制造方法显示装置电子设备

[发明专利]带位置输入功能的显示装置-CN201811057384.5有效
发明人：吉田昌弘 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2018-09-11 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：液晶显示装置(10)具备：像素电极(24)；一对源极配线(27)，其传送提供给像素电极(24)的信号，配置为夹着像素电极(24)；触摸电极(30)，其与作为进行位置输入的位置输入体的手指之间形成静电电容，检测作为位置输入体的手指的输入位置；以及触摸配线(31)，其连接到触摸电极(30)，并且至少具有一对第1配线构成部(39)、以及第2配线构成部(40)，一对第1配线构成部(39)夹在像素电极(24)与一对源极配线(27)之间，第2配线构成部(40)与一对第1配线构成部(39)相连。
位置输入功能显示装置

[发明专利]液晶显示装置-CN200980145047.4有效
发明人：中原圣;森永润一 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2009-07-14 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： G02F1/1368 文献下载
摘要：本发明是按顺序具有薄膜晶体管阵列基板、液晶层、相对基板的液晶显示装置，薄膜晶体管阵列基板具备格子状配置的源极线和栅极线、辅助电容配线、配置于像素区域的透明像素电极以及薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极电极、源极电极以及漏极电极，在栅极电极与源极电极以及漏极电极的层间具备栅极绝缘膜，在源极电极以及漏极电极与透明像素电极的层间具备层间绝缘膜，在栅极绝缘膜上，设有位于漏极电极的下层的第1透明电极和连接到辅助电容配线的第
液晶显示装置

[发明专利]电子墨水显示装置-CN200510124092.5无效
发明人：蓝纬洲;黄俊铭;江明盛 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2005-11-28 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： G02F1/167 文献下载
摘要：第一金属层包括多条扫描配线以及多个栅极，第二金属层包括多条数据配线及源极/漏极，其中数据配线与扫描配线于第一基板上划分出多个像素区域，而栅极与源极/漏极设置于各像素区域内。通道层设置于栅极与源极/漏极之间的介电层上，且多个像素电极设置于像素区域内并与漏极电连接。另外，前面板的电子墨水材料层是设置于透明电极层与薄膜晶体管阵列基板之间。
电子墨水显示装置

[发明专利]显示装置-CN201080064752.4有效
发明人：坂本真由子;岩瀬泰章 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2010-11-08 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：传送时钟信号等驱动信号的驱动信号用主干配线(71)，在以移位寄存器区域为基准与显示区域相反的一侧的区域中由源极金属(701)形成。用于传送低电平的直流电源电位的VSS用主干配线(73)，在移位寄存器区域与显示区域之间的区域中由源极金属(701)形成。构成移位寄存器(410)的双稳态电路和驱动信号用主干配线(71)通过由栅极金属(702)形成的驱动信号用分支配线(702)连接。双稳态电路和VSS用主干配线(73)通过由源极金属(701)形成的VSS用分支配线(74)连接。
显示装置

[发明专利]薄膜电晶体阵列基板的制造方法-CN200510065258.0无效
发明人：陈宏德 -专利权人：广辉电子股份有限公司
申请日： 2005-04-15 - 公布日： 2006-10-18 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：一种薄膜电晶体阵列基板的制造方法，主要包括下列步骤：在一基板上依次形成一第一金属层、一闸极绝缘层、一半导体层、一欧姆接触层以及一第二金属层，并进行第一图案化步骤以定义出一源极/汲极区域、一扫描配线区域、一资料配线区域、一端子接触部区域以及一像素区域；接着，在整个基板上方覆盖一层间绝缘层，并进行第二图案化步骤以形成一源极/汲极接触窗、一资料配线或扫描配线接触窗以及一端子接触部接触窗；接着，在整个基板上方依次覆盖一透明导电层、一第三金属层以及一保护层，以达成前述各接触窗之间电连接及保护，并进行第三图案化步骤以形成一薄膜电晶体部、一扫描配线、一资料配线、一端子接触部以及一像素电极。
薄膜电晶体阵列制造方法

[发明专利]液晶显示面板-CN201910491153.3在审
发明人：桥口隆史;平田直也;马场达也;棚原学;外德仁 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2019-06-06 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：第一栅极配线在显示区域沿第一方向延伸，第二栅极配线在显示区域沿第二方向延伸。第二栅极配线与第一栅极配线电连接，并在显示区域内沿第二方向延伸。第二栅极配线在显示区域外与第一栅极配线电连接。在第二栅极配线与源极配线之间配置有导电层，第二栅极配线可以在显示区域内与第一栅极配线电连接。导电层被施加接地电位或与公共电位相同的电位。可以采用源极配线与大于或等于2条第二栅极配线重叠的配置。
栅极配线显示区域方向延伸电连接电位源极配线导电层液晶显示面板边框区域导通电位公共电位接地电位截止电位显示异常栅极信号配置的配置缩窄跃迁包围施加

[发明专利]有源元件阵列基板的像素结构-CN200810091761.7有效
发明人：吕安序 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2006-12-04 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提出一种有源元件阵列基板的像素结构，包括：扫描线及数据线，配置于基板上；包括栅极、源极、第一漏极以及第二漏极的双漏极薄膜晶体管，栅极与扫描线电性连接，源极与数据线电性连接，栅极与第一漏极之间具有第一栅极漏极电容，栅极与第二漏极之间具有第二栅极漏极电容；第一像素电极以及第二像素电极，分别与第一漏极与第二漏极电性连接；以及第一共用配线与第二共用配线，分别配置于第一与第二像素电极的下方，第一共用配线与第一像素电极之间具有第一储存电容，第二共用配线与第二像素电极之间具有第二储存电容，第一与第二栅极漏极电容不相同，且第一与第二储存电容不相同。
有源元件阵列像素结构