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[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件-CN202310542611.8在审
发明人：陈定业;李威养;林家彬;王志庆 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：在制造半导体器件的方法中，形成鳍结构，在鳍结构中，第一半导体层和第二半导体层交替地堆叠在衬底上方，蚀刻鳍结构的源极/漏极区域，从而形成源极/漏极间隔，横向蚀刻源极/漏极间隔中的第一半导体层的端部，在源极/漏极间隔的侧壁上形成第一绝缘层，部分地蚀刻第一绝缘层，从而在源极/漏极间隔的底部处形成第一底部间隔件，在源极/漏极间隔的侧壁上形成第二绝缘层，部分地蚀刻第二绝缘层，从而在第一半导体层的端面上形成内部间隔件，并在源极/漏极间隔的底部处留下第二绝缘层的作为第二底部间隔件，以及在源极/漏极间隔中形成源极/漏极外延层。
制造半导体器件方法

[发明专利]MOSFET制造方法及MOSFET-CN201010564084.3有效
发明人：阿里耶夫·阿里伽日·马高米道维奇 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2010-11-29 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种MOSFET制造方法及一种MOSFET，该方法包括：在外延层表面上形成栅氧化层和多晶硅栅；在外延层表面内形成源区；进行源区氧化，在源区表面上多晶硅栅和源区之间的空隙中，形成氧化物。本发明实施例还提供了一种MOSFET，包括外延层、形成于外延层表面内的源区、形成于外延层表面上的栅氧化层和多晶硅栅，在所述MOSFET的源区表面上，多晶硅栅和源区之间的空隙中，设置有采用热氧化生长工艺形成的氧化层本发明实施例中，源区表面形成的氧化物填充了多晶硅栅边缘和源区之间的间隙，同时增加了栅区边缘的栅氧化层的厚度，因此，能够减小栅区边缘的栅氧化层被击穿的可能性。
mosfet 制造方法

[发明专利]射频金属-氧化物-半导体场效应晶体管-CN201010113496.5无效
发明人：廖英豪;傅春晓;程玉华 -专利权人：上海北京大学微电子研究院
申请日： 2010-02-25 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了射频MOS管，以提高射频MOS管的工作速度及降低其射频MOS管栅极寄生电阻导致的噪声恶化以及可靠性；该射频MOS管包括：源极、漏极和栅极，衬底，所述栅极由子栅和连接子栅的侧栅构成，还包括连接源极及源端的源金属层、连接漏极及漏端的漏金属层和连接侧栅及栅输入端的侧栅金属层，其中源金属层覆盖并延伸出源极，其在有源区的投影与漏极和子栅无交叠；漏金属层覆盖并延伸出漏极，其在有源区的投影与源极和子栅无交叠；侧栅金属层覆盖并延伸出侧栅，其在有源区的投影与源极和漏极无交叠；以及源金属层、漏金属层及栅金属层中，由相同层金属形成的部分无交叉。
射频金属氧化物半导体场效应晶体管

[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置-CN202110035975.8在审
发明人：刘文渠;姚琪;孟德天;张锋;崔钊;董立文;宋晓欣;侯东飞;王利波;吕志军 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：显示基板包括基底，设置在所述基底上的有源结构层，设置在所述有源结构层远离所述基底一侧的第一源漏结构层，以及设置在所述第一源漏结构层远离所述基底一侧的第二源漏结构层；所述有源结构层包括第一有源层和第二有源层，所述第一源漏结构层包括第一有源过孔和第一源漏电极，所述第一源漏电极通过所述第一有源过孔与所述第一有源层连接；所述第二源漏结构层包括第二有源过孔和第二源漏电极，所述第二源漏电极通过所述第二有源过孔与所述第二有源层连接
显示及其制备方法显示装置

[实用新型]一种义齿基托式布源器-CN201420869873.1有效
发明人：周君;高平;孙迎春 -专利权人：天津医科大学口腔医院
申请日： 2014-12-29 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： A61N5/10 文献下载
摘要：一种义齿基托式布源器，包括基托主体，呈适应口腔上腭形状的弯曲舌形，基托主体由金属层和布源层组成，布源层套装在金属层的凹槽内，布源层内设置数个放射性粒子源，金属层上设置数个固定件，其特征在于：金属层凹槽侧部开设数个第二盲孔，布源层对应第二盲孔的位置开设第一盲孔，第一盲孔内设置插销，插销能够进入第二盲孔，插销的侧边设置齿条，第一盲孔的侧部设置齿轮槽，齿轮槽内安装转动轴，转动轴上安装齿轮，齿轮与齿条配合，转动轴上部穿过布源层顶部安装旋转盖本实用新型通使用时，不可能对旋转盖形成旋转方向的力，因此保证插销位置的稳定性，从而保证金属层和布源层的配合连接；再更换布源层后仍然保持原有的连接稳定性。
一种义齿基托式布源器

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201810096015.0有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供基底；形成栅极结构、源漏掺杂层和介质层，栅极结构位于基底上，源漏掺杂层位于栅极结构两侧的基底中，介质层位于基底、源漏掺杂层和栅极结构上，源漏掺杂层中具有源漏离子；在栅极结构两侧的介质层中形成暴露出源漏掺杂层表面的第一通孔，第一通孔暴露出源漏掺杂层的顶部，在第一通孔底部的源漏掺杂层表面掺杂第一离子，第一离子与源漏离子的导电类型相同；之后对源漏掺杂层进行第一退火处理，在源漏掺杂层内的表面形成接触掺杂区；之后在第一通孔底部的接触掺杂区内形成第二通孔，且第二通孔的深度小于所述接触掺杂区厚度；在第一通孔和第二通孔内形成插塞。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法-CN201010191817.3有效
发明人：黄松辉;蓝纬洲;辛哲宏 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2010-06-04 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管阵列基板包括基底、栅极层、栅极绝缘层、源极/漏极层、图案化保护层、氧化物半导体层、树脂层及像素电极。栅极层设置于基底上。栅极绝缘层设置于栅极层与基底上。源极/漏极层设置于栅极绝缘层上。图案化保护层设置于源极/漏极层上且暴露出部分源极/漏极层。氧化物半导体层设置于图案化保护层上，且电连接于源极/漏极层。树脂层设置于氧化物半导体层上且覆盖氧化物半导体层。像素电极设置于树脂层上且连接至源极/漏极层。本发明还提供一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法。上述薄膜晶体管阵列基板可避免漏电流的产生。
薄膜晶体管阵列及其制造方法

[实用新型]乌拉地尔泡腾片-CN201420713336.8有效
发明人：吴光彦 -专利权人：黑龙江福和华星制药集团股份有限公司
申请日： 2014-11-24 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： A61K9/46 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种乌拉地尔泡腾片，由内向外依次包括酸源层、乌拉地尔药物层和碱源层，所述酸源层包括酸源囊体；酸源囊体包括酸源物质和包裹酸源物质的第一囊皮；第一囊皮内填充有碱源颗粒。本实用新型的乌拉地尔泡腾片，性质稳定，不会因酸源吸潮而影响泡腾片的稳定性；在需要泡腾时，泡腾速度快；能二次泡腾，泡腾充分。
乌拉尔泡腾片

[实用新型]双黄连泡腾片-CN201420713310.3有效
发明人：吴光彦 -专利权人：黑龙江福和华星制药集团股份有限公司
申请日： 2014-11-24 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： A61K36/634 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双黄连泡腾片，由内向外依次包括酸源层、双黄连药物层和碱源层，所述酸源层包括酸源囊体；酸源囊体包括酸源物质和包裹酸源物质的第一囊皮；第一囊皮内填充有碱源颗粒。本实用新型的双黄连泡腾片，性质稳定，不会因酸源吸潮而影响泡腾片的稳定性；在需要泡腾时，泡腾速度快；能二次泡腾，泡腾充分。
双黄连泡腾片

[实用新型]阿奇霉素泡腾片-CN201420712527.2有效
发明人：张赞 -专利权人：张赞
申请日： 2014-11-24 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： A61K9/46 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种阿奇霉素泡腾片，由内向外依次包括酸源层、阿奇霉素药物层和碱源层，所述酸源层包括酸源囊体；酸源囊体包括酸源物质和包裹酸源物质的第一囊皮；第一囊皮内填充有碱源颗粒。本实用新型的阿奇霉素泡腾片，性质稳定，不会因酸源吸潮而影响泡腾片的稳定性；在需要泡腾时，泡腾速度快；能二次泡腾，泡腾充分。
霉素泡腾片

[实用新型]消银泡腾片-CN201420713338.7有效
发明人：吴光彦 -专利权人：黑龙江福和华星制药集团股份有限公司
申请日： 2014-11-24 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： A61K9/46 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种消银泡腾片，由内向外依次包括酸源层、消银药物层和碱源层，所述酸源层包括酸源囊体；酸源囊体包括酸源物质和包裹酸源物质的第一囊皮；第一囊皮内填充有碱源颗粒。本实用新型的消银泡腾片，性质稳定，不会因酸源吸潮而影响泡腾片的稳定性；在需要泡腾时，泡腾速度快；能二次泡腾，泡腾充分。
消银泡腾片

[实用新型]氨溴索泡腾片-CN201420713324.5有效
发明人：吴光彦 -专利权人：黑龙江福和华星制药集团股份有限公司
申请日： 2014-11-24 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： A61K9/46 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氨溴索泡腾片，由内向外依次包括酸源层、氨溴索药物层和碱源层，所述酸源层包括酸源囊体；酸源囊体包括酸源物质和包裹酸源物质的第一囊皮；第一囊皮内填充有碱源颗粒。本实用新型的氨溴索泡腾片，性质稳定，不会因酸源吸潮而影响泡腾片的稳定性；在需要泡腾时，泡腾速度快；能二次泡腾，泡腾充分。
氨溴索泡腾片

[发明专利]共享源线的闪存单元的制造方法及共享源线的闪存单元-CN201911350903.1有效
发明人：曹启鹏;付博;陈宏;王卉 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种共享源线的闪存单元的制造方法，包括：提供一衬底，所述衬底包括存储区及逻辑区，所述衬底上形成有栅氧化层、浮栅层及第一介质层；形成第一侧墙结构；形成第二沟槽；形成ONO侧墙结构；形成共享源线；执行回刻工艺以去除逻辑区的所述未掺杂源线材料层残留；以及在所述共享源线上形成源线氧化层。形成的ONO侧墙结构可以有效抑制后续形成所述源线氧化层过程中的氧原子从所述共享源线中进入栅氧化层和浮栅层之间的界面，从而避免了所述浮栅层被氧化的情况，从而避免了微笑效应，增加了共享源线与浮栅层之间的耦合电容
共享闪存单元制造方法

[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件-CN202210525884.7在审
发明人：张正伟;沙哈吉·B·摩尔;刘奕莹;白岳青 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：在制造半导体器件的方法中，形成源极/漏极外延层，在源极/漏极外延层上方形成一个或多个介电层，在一个或多个介电层中形成开口以暴露源极/漏极外延层，在暴露的源极/漏极外延层上形成第一硅化物层，在第一硅化物层上形成与第一硅化物层不同的第二硅化物层，以及在第二硅化物层上方形成源极/漏极接触件。
制造半导体器件方法

[发明专利]半导体装置-CN201510386621.2有效
发明人：廖文甲 -专利权人：台达电子工业股份有限公司
申请日： 2015-07-03 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置包含基板、主动层、源极、漏极、栅极、场板、第一保护层与金属层。主动层置于基板上。源极与漏极分别电性连接主动层。栅极置于源极与漏极之间，并置于主动层上方。场板置于主动层上方，且置于栅极与漏极之间。第一保护层覆盖栅极与场板。金属层置于第一保护层上，置于栅极与场板上方，且电性连接源极。本发明的半导体装置通过金属层以调整栅极‑源极电容(Cgs)。
半导体装置