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[发明专利]一种正态电子偶素的湮没点定位方法-CN202210923350.X在审
发明人：况鹏;吴亚茹;刘福雁;王英杰;于啸天;张红强;曹兴忠;张鹏;章志明;于润升;王宝义;魏龙 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： A61B6/03 文献下载
摘要：本发明涉及一种正态电子偶素的湮没点定位方法，属于核谱学技术领域，解决了o‑Ps湮没点位置测量精度较低的问题。一种正态电子偶素湮没点定位方法，包括：电子偶素发生3γ湮没，位敏探测器探测得到3个湮没光子的入射时间和入射位置；将3个湮没光子的入射位置共面的平面构建为定位平面；在所述定位平面上，基于3个湮没光子的入射时间、入射位置与湮没点之间的传播关系，定位所述湮没点。该方法提出了一种新型的电子偶素发生3γ湮没的定位方法和原理，能够实现湮没点的快速、准确定位。
一种电子湮没定位方法

[发明专利]二维正电子湮没寿命谱测量方法及系统-CN202210508470.3在审
发明人：张红强;刘福雁;况鹏;曹兴忠;王宝义;于啸天;卞忠伟;王英杰;章志明;魏龙 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： G01T1/36 文献下载
摘要：本公开是关于一种二维正电子湮没寿命谱测量方法及系统，涉及核谱学和核探测技术领域。该方法对待测样品中的湮没事例，分别探测了正电子湮没时反向产生两个湮没伽马光子的第一停止时间和第二停止时间，再分别与放射源衰变产生起始伽马光子的起始时间计算得到第一寿命值、第二寿命值，并对第一寿命值、第二寿命值进行二维统计，获得了正电子在待测样品中湮没的二维正电子湮没寿命谱。该方法对一次湮没事例产生的两个湮没伽马光子进行统计，能够有效排除背底计数，进而提高寿命谱的峰谷比，且能够提升对湮没事例中湮没伽马光子信息的利用率，从而提升测量的时间分辨率。
二维正电子湮没寿命测量方法系统

[发明专利]一种无损检测复合膜表面功能层厚度的方法-CN201410233629.0有效
发明人：陈喆;王志;付秋明;王升高;马志斌 -专利权人：武汉工程大学
申请日： 2014-05-29 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： G01B15/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种无损检测复合膜表面功能层厚度的方法，包括如下步骤：将样品放置于样品室；将不同能量的正电子分别入射至薄膜发生湮没并分别搜集湮没产生的伽马射线能谱；根据伽马能谱计算正电子湮没参数；根据正电子湮没参数与入射正电子能量的关系本发明运用正电子湮没手段，根据不同能量的正电子在薄膜不同深度湮没所得到的参数，可定量分析复合膜表面层的厚度，此方法可不破坏样品，属于无损检测。
一种无损检测复合表面功能厚度方法

[发明专利]一种计算信号反射湮没的方法-CN201410345747.0无效
发明人：梁建;蒋学东 -专利权人：深圳市兴森快捷电路科技股份有限公司;广州兴森快捷电路科技有限公司;宜兴硅谷电子科技有限公司
申请日： 2014-07-18 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： H04B17/00 文献下载
摘要：本发明公开的一种计算信号反射湮没的方法，选取一个反射湮没的实例，延迟信号分成数个信号的叠加，再分别计算每个信号的反射情况，将所有信号的反射情况进行叠加，通过仿真软件计算上述信号的反射情况，比对通过上述方法计算的结果与通过软件计算的结果，验证该方法的有效性及正确性，充分验证了上述用于计算反射湮没现象的方法的有效性及准确性，从而从根本上阐释了反射湮没现象的发生的原因，有助于重新认识和理解反射湮没现象。
一种计算信号反射湮没方法

[发明专利]磁极化的光子器件-CN201380072909.1有效
发明人：丹尼尔·斯科特·马沙尔 -专利权人：阿尔法能源技术公司
申请日： 2013-12-13 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：磁极化的光子器件（100）包括基片（102）、湮没层（106）和梯度带隙层（142）。湮没层（106）被安置在基片（102）的表面（104）上，其中梯度带隙层（142）被安置在湮没层（106）上。磁场（159）被施加于梯度带隙层（142）和湮没层（106）以将电荷驱动到接触件（116、128）。
光子器件磁极化梯度带隙层接触件安置电荷驱动磁场施加

[发明专利]一种对粉末或液体样品的正电子湮没谱测试方法-CN202010626423.X有效
发明人：尹崇山;何春清;刘其城 -专利权人：长沙理工大学
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G01N23/22 文献下载
摘要：本发明提供一种对粉末或液体样品的正电子湮没谱测试方法，使用Kapton薄膜将正电子放射物质包裹，形成正电子放射源；用正电子湮没特征已知的膜将正电子放射源包裹住，放置在自封袋内，在自封袋内填入足量的被测样品；正电子源以一定的速率放出正电子，正电子注入被测材料并在材料中湮没；使用闪烁体探头探测正电子的生成光信号以及湮没光信号，然后依次通过恒比定时甄别器、时幅转换器、多道分析器后信息被计算机录入，并最终生成一个包含大量湮没数据的正电子湮没寿命谱本发明可以测试液体、粉末样品的正电子湮没寿命谱，测试过程不需要压片，不破坏液体、粉末样品的结构，该方法测试时不会有污染、破坏正电子放射源的风险。
一种粉末液体样品正电子湮没测试方法

[发明专利]基于深度学习的正电子湮没角关联测量方法及装置-CN202110649116.8有效
发明人：况鹏;胡誉;刘福雁;曹兴忠;于润升;王宝义;张鹏;魏龙 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G01N23/225 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于深度学习的正电子湮没角关联测量方法及装置，属于核探测技术领域，解决了现有测量方法对器件的性能要求高、测量效率低的问题。该方法包括获取样本训练集；基于样本训练集对深度神经网络模型进行优化；利用伽马光子探测装置探测待测样品中电子与正电子湮没所产生的两个伽马光子对应获得两个二维数组；利用优化好的深度神经网络模型基于两个二维数组分别获得两个伽马光子的入射位置坐标；根据所述入射位置坐标及待测样品的位置坐标获得对应的立体湮没角，并根据该立体湮没角获得待测样本对应的二维正电子湮没角关联谱，该方法将湮没角测量与深度学习相结合，提高了定位效率，即保证了测量精度，又减少了测量时间开销
基于深度学习正电子湮没关联测量方法装置

[发明专利]基于位置定位的正电子湮没寿命测量系统及方法-CN202310726611.3在审
发明人：刘福雁;张红强;况鹏;曹兴忠;于润升;于啸天;王冕;王英杰;王宝义;魏龙 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G01N23/225 文献下载
摘要：本发明提供一种基于位置定位的正电子湮没寿命测量系统及方法，包括源室、起始伽马探测器、第一停止伽马探测器和第二停止伽马探测器；在放射源一侧设置样品，样品与放射源固定于源室中心；第一停止伽马探测器与第二停止伽马探测器以放射源为中心对称放置于源室外起始伽马探测器于源室外部任意位置放置；所述起始伽马探测器负责对22Na放射源发射正电子时级联产生的伴随伽马射线进行探测，所述第一停止伽马探测器和所述第二停止伽马探测器分别对正电子湮没后产生的两个反向发射的湮没伽马射线进行探测本发明通过测量湮没伽马被探测的时间差准确定位正电子湮没位置，实现对薄膜样品中正电子湮没寿命的测量。
基于位置定位正电子湮没寿命测量系统方法

[发明专利]基于源装置的正电子湮没寿命测量系统及方法-CN202310726345.4在审
发明人：张红强;王宝义;刘福雁;王英杰;曹兴忠;张鹏;况鹏;于润升;魏龙 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G01N23/225 文献下载
摘要：本发明提供一种基于源装置的正电子湮没寿命测量系统及方法，包括源室、起始伽马探测器、停止伽马探测器和正电子探测器；22Na放射源固定于源室表面，源室与正电子探测器紧贴薄膜样品两侧且呈相向对称放置，位置相对固定；起始伽马探测器和停止伽马探测器放置于正电子探测器两侧，分别负责对放射源发射正电子时级联产生的1.28MeV伽马光子和正电子湮没后产生的0.511MeV伽马光子进行探测。本发明通过提高非样品侧正电子射程，减小远端湮没伽马光子探测效率实现噪声正电子的有效去除，减少了电子学体量；在样品侧精准识别正电子湮没位置，排除非样品中正电子湮没成分，突破测量样品厚度限制，实现薄膜样品正电子湮没寿命测量
基于装置正电子湮没寿命测量系统方法

[发明专利]一种新型正电子湮没寿命谱仪-CN201110433507.2有效
发明人：秦秀波;赵博震;丁天遥;唐浩辉;于润升;王宝义;魏龙 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2011-12-21 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G01N23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型正电子湮没寿命谱仪。所述正电子湮没寿命谱仪包括：闪烁探测器单元接收放射源衰变和正电子湮没所产生的γ射线，并产生闪烁光；所述闪烁光在传输和调制后通过所述狭缝入射到所述光阴极上产生光电子，该光电子经所述栅极网加速后进入所述偏转板该正电子湮没寿命谱仪能够有效提高正电子湮没寿命谱仪的时间分辨率，并降低系统信号处理需求，提高了正电子湮没寿命谱仪的性能。
一种新型正电子湮没寿命

[发明专利]一种用于薄膜样品表征的正电子湮没寿命高效测量系统及方法-CN202310726518.2在审
发明人：张红强;刘福雁;况鹏;张鹏;王英杰;章志明;于啸天;曹兴忠;王宝义;魏龙 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G01N23/225 文献下载
摘要：本发明提供一种用于薄膜样品表征的正电子湮没寿命高效测量系统及方法，由正电子发射器、探测器阵列、被测薄膜样品组成；放射源放置于正电子发射器内，所述被测薄膜样品设置在正电子发射器和探测器阵列中的正电子探测器之间本发明适用于强源环境，可对正电子湮没事例进行全方位探测，充分排除非样品中的正电子湮没事例，实现对薄膜样品正电子湮没寿命的高效测量。
一种用于薄膜样品表征正电子湮没寿命高效测量系统方法

[发明专利]基于反符合的用于正电子湮没多普勒展宽谱的方法及系统-CN201710058818.2在审
发明人：刘福雁;王宝义;李崇;况鹏;曹兴忠;张鹏;章志明;魏龙 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2017-01-23 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： G01N23/00 文献下载
摘要：本申请公开一种基于反符合的用于正电子湮没多普勒展宽谱的方法及系统。该方法包括利用放射源产生正电子，所述正电子包括进入样品的第一正电子和进入闪烁片的第二正电子；获取正电子湮没产生的伽马光子能量信息，所述伽马光子能量信息包括所述第一正电子湮没产生的第一伽马光子能量信息以及所述第二正电子湮没产生的第二伽马光子能量信息本申请公开的基于反符合的用于正电子湮没多普勒展宽谱的方法及系统，能够去除无效的伽马光子能量信息。
基于符合用于正电子湮没多普勒展宽方法系统

[发明专利]用于正电子湮没寿命谱测量的方法、系统以及闪烁探测器-CN201610847307.4有效
发明人：王宝义;况鹏;王英杰;章志明;姜小盼;曹兴忠;魏龙 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2016-09-23 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： G01T1/36 文献下载
摘要：本申请公开一种用于正电子湮没寿命谱测量的方法、系统以及闪烁探测器。用于正电子湮没寿命谱测量的方法包括：正电子脉冲束团到达所述待测样品的时刻记录为第一时间；通过位置将所述正电子脉冲束团在所述待测样品中湮没产生的多个伽马光子信号区分开，并收集所述多个伽马光子信号，将收集到所述多个伽马光子信号的时刻记录为多个第二时间；对所述多个第二时间进行处理，得到多个第一时间差；以及对所述多个第一时间差进行统计，得到正电子湮没寿命谱。本申请的方法，能够同时测量多个正电子湮没产生的伽马光子的时间分布，提高测量效率。
用于正电子湮没寿命测量方法系统以及闪烁探测器

[发明专利]用于正电子湮没寿命谱仪的探测器-CN200510099897.9有效
发明人：章志明;王宝义;马创新;周春兰;张天保;魏龙;任绍霞 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2005-09-09 - 公布日： 2006-02-22 - 主分类号： G01N23/22 文献下载
摘要：一种用于正电子湮没寿命谱仪的探测器，该正电子湮没寿命谱仪包括起始道探测器和停止道探测器，与常规的正电子寿命谱仪与停止道采用相同的探测器不同，本发明采用了与起始道探测器不同的停止道探测器，在停止道探测器的闪烁体中央，有一圆形阱，放置测量样品与没光子能量全吸收型正电子湮没寿命谱仪，可以获得优于常规正电子湮没寿命谱仪的时间分辨率和高的计数效率。
用于正电子湮没寿命探测器

[发明专利]一种用于微米级薄膜测试的数字化正电子湮没多普勒展宽谱仪及其测试方法-CN202310866482.8在审
发明人：陈奕文;李钰环;罗迷;刘建党;张宏俊;叶邦角 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01N23/2251 文献下载
摘要：本发明涉及用于正电子湮没多普勒展宽测量的多普勒谱仪的技术领域，具体为一种用于微米级薄膜测试的数字化正电子湮没多普勒展宽谱仪及其测试方法。包括高纯锗探测器、放大器、反符合模块和数据采集处理模块，高纯锗探测器用于接收正负电子湮没产生的湮没光子并沉积能量；放大器对负指数核脉冲信号进行放大和高斯成型处理，得到高斯脉冲信号；高速数字示波器的一路采集反符合脉冲信号本发明采用反符合模块对湮没光子位置进行判断，实现了用于微米级薄膜测试的数字化反符合多普勒谱仪。
一种用于微米薄膜测试数字化正电子湮没多普勒展宽及其方法

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