“何春清”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果12个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种测量二维材料的平均片层直径的方法-CN202211070977.1在审
发明人：尹崇山;何春清;曾清;龙力涛 -专利权人：长沙理工大学
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G01N15/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种测量二维材料的平均片层直径的方法，将待测量的二维材料、粘合剂和溶剂混合均匀，使得二维材料分散于溶剂中，粘合剂溶解于溶剂中，获得二维材料/粘合剂混合溶液；将所述二维材料/粘合剂混合溶液于过滤膜上过滤，获得面积为S、厚度为T的二维材料/粘合剂复合膜；测量所述二维材料/粘合剂复合膜的气体透过率P；根据待测量的二维材料的平均片层半径R与气体透过率P之间的关系式：R＝(ASx‑PTSx)/PmB计算，获得待测量的二维材料的平均片层直径。本发明的方法通过气体渗透性测试和计算，即可简单快捷，可迅速、直接的得到大量二维材料的平均片层直径、平均片层半径。
一种测量二维材料平均直径方法

[发明专利]基于还原氧化石墨烯的多层复合阻隔膜及制备方法和应用-CN202111127036.2有效
发明人：尹崇山;丁志;杜璇;何春清;龙力涛;曾清 -专利权人：长沙理工大学
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C08J7/048 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于还原氧化石墨烯的多层复合阻隔膜及制备方法和应用，配置PEI/GO混合溶液；控制条件使PEI将GO还原成RGO；抽滤去除多余PEI；PEI/RGO混合物重新溶解在溶剂中；使用逐层的溶胶凝胶法在衬底上制备一层具备多层砖墙结构的RGO/PEI复合薄膜。本发明的薄膜制备过程中，PEI同时作为还原剂和基质：还原氧化石墨烯、作为复合膜的基质，并且多余PEI在制备过程中通过抽滤被去除，因此复合薄膜中的亲水性PEI的含量得到了有效的减少，制备出了基于还原氧化石墨烯的、PEI含量较低的、高性能的多层复合阻隔膜。
基于还原氧化石墨多层复合阻隔制备方法应用

[发明专利]一种对粉末或液体样品的正电子湮没谱测试方法-CN202010626423.X有效
发明人：尹崇山;何春清;刘其城 -专利权人：长沙理工大学
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G01N23/22 文献下载
摘要：本发明提供一种对粉末或液体样品的正电子湮没谱测试方法，使用Kapton薄膜将正电子放射物质包裹，形成正电子放射源；用正电子湮没特征已知的膜将正电子放射源包裹住，放置在自封袋内，在自封袋内填入足量的被测样品；正电子源以一定的速率放出正电子，正电子注入被测材料并在材料中湮没；使用闪烁体探头探测正电子的生成光信号以及湮没光信号，然后依次通过恒比定时甄别器、时幅转换器、多道分析器后信息被计算机录入，并最终生成一个包含大量湮没数据的正电子湮没寿命谱。本发明可以测试液体、粉末样品的正电子湮没寿命谱，测试过程不需要压片，不破坏液体、粉末样品的结构，该方法测试时不会有污染、破坏正电子放射源的风险。
一种粉末液体样品正电子湮没测试方法

[发明专利]表征掺杂物在复合材料中取向程度的方法-CN202110093933.X有效
发明人：尹崇山;何春清;刘其城 -专利权人：长沙理工大学
申请日： 2021-01-23 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： G01B11/08 文献下载
摘要：本发明提供一种表征掺杂物在复合材料中取向程度的方法，包括以下步骤：通过显微镜的表面观察，在沿X轴、Y轴、Z轴三个方向，使用三个角度定量的表征掺杂物在复合材料内的取向程度。本发明可以在不破坏样品的情况下，定量的表征掺杂物在复合材料内的三维取向程度，对掺杂物的尺寸没有要求，可以尺寸不一致。
表征掺杂复合材料取向程度方法

[实用新型]一种测试质子交换膜质子电导率的装置-CN202021315066.7有效
发明人：尹崇山;何春清;刘其城 -专利权人：长沙理工大学
申请日： 2020-07-07 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： G01N27/333 文献下载
摘要：本发明公开了一种测试质子交换膜质子电导率的装置，包括：夹具、铂片电极、质子交换膜、电化学工作站、温度计、加热台和氮气湿度控制装置；质子交换膜放置在夹具当中，夹具上固定两片铂片电极。质子交换膜两端分别放置在一片铂片电极上，铂片电极接在电化学工作站上，用以测量质子交换膜包括质子电导率在内的电化学性能。氮气湿度控制装置将调解好湿度的氮气输送至夹具内。本发明的优点是：1.同时设定被测薄膜周围的调节温度和湿度，方便测量。2.可测在不同温度湿度条件下的电化学性能。3.可设定的湿度范围大，且调节响应快。4.可设定的温度范围大，只要低于腔室材料的最高耐热温度即可。5.结构简单，不需要额外的设备，成本低，维护简单。
一种测试质子交换电导率装置

[发明专利]一种利用超薄单层使碳纳米管取向排列的逐层制样方法-CN202010654266.3在审
发明人：尹崇山;何春清;刘其城 -专利权人：长沙理工大学
申请日： 2020-07-09 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： B05D7/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用超薄单层使碳纳米管取向排列的逐层制样方法，包括以下步骤：碳纳米管和溶剂配制碳纳米管溶液；再加入基质材料溶液配制碳纳米管分散均匀的混合溶液；准备衬底；取出一定量的混合溶液在衬底上形成出一张厚度为微米量级的超薄复合薄膜；将薄膜退火处理；重复制备超薄复合薄膜得到由多层超薄复合薄膜组成的碳纳米管复合材料。本发明优点在于：1.碳纳米管在复合材料中取向排列、良好分散。2.制备过程不添加分散剂，保证了复合材料的纯粹性。3.每个单层的形成时间短，碳纳米管热运动时间短，减弱了碳纳米管的团聚，有利于碳纳米管的分散。4.制备简单，不需要特殊的大型仪器设备，成本低。
一种利用超薄单层纳米取向排列逐层制样方法

[发明专利]一种测试质子交换膜质子电导率的装置和方法-CN202010647501.4在审
发明人：尹崇山;何春清;刘其城 -专利权人：长沙理工大学
申请日： 2020-07-07 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： G01N27/333 文献下载
摘要：本发明公开了一种测试质子交换膜质子电导率的装置和方法，包括：夹具、铂片电极、质子交换膜、电化学工作站、温度计、加热台和氮气湿度控制装置；质子交换膜放置在夹具当中，夹具上固定两片铂片电极。质子交换膜两端分别放置在一片铂片电极上，铂片电极接在电化学工作站上，用以测量质子交换膜包括质子电导率在内的电化学性能。氮气湿度控制装置将调解好湿度的氮气输送至夹具内。本发明的优点是：1.同时设定被测薄膜周围的调节温度和湿度，方便测量。2.可测在不同温度湿度条件下的电化学性能。3.可设定的湿度范围大，且调节响应快。4.可设定的温度范围大，只要低于腔室材料的最高耐热温度即可。5.结构简单，不需要额外的设备，成本低，维护简单。
一种测试质子交换电导率装置方法

[发明专利]利用微结构调控降低透明导电氧化物薄膜器件功耗的方法-CN201710919572.3有效
发明人： 何春清;周亚伟;李静静;尹崇山;张笑维 -专利权人：武汉大学
申请日： 2017-09-30 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： C23C14/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用微结构调控降低透明导电氧化物薄膜器件功耗的方法，包括采用SCCO₂法处理透明导电氧化物薄膜的步骤，具体为：取去离子水加入SCCO₂设备的反应釜内；透明导电氧化物薄膜置于反应釜内但不接触去离子水，密封反应釜；使反应釜内温度升高到55℃～75℃，CO₂加压到10MPa～13Mpa，之后，继续升温至120℃～150℃，并保温反应30min～90min。本发明通过一种简单易控的方法来填补透明导电氧化物薄膜中缺陷，在不影响透明导电氧化物薄膜光学特性的前提下，有效改变了透明导电氧化物薄膜的电学性能，进而降低了透明导电氧化物薄膜器件在使用过程中产生的焦耳热。
利用微结构调控降低透明导电氧化物薄膜器件功耗方法

[发明专利]一种P型SnO₂薄膜的制备方法-CN201610987628.4有效
发明人： 何春清;徐文武;吕术亮;周亚伟;尹崇山;李静静;张笑维 -专利权人：武汉大学
申请日： 2016-11-10 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种P型SnO₂薄膜的制备方法，其特征在于：制备由高纯度GaN粉末和SnO₂粉末组成的靶材，所述靶材制备中GaN粉末质量分数为15‑25wt.%，在真空环境下，利用电子束蒸镀方法，在基板的衬底上蒸镀一层由GaN掺杂SnO₂的膜，然后将镀好膜的衬底在氮气氛围保护下退火即可得到P型SnO₂薄膜，退火温度为440℃‑460℃。同以往仅仅只掺入Ga或者N相比，极大了提高了SnO₂薄膜中的空穴载流子浓度。在掺杂量为22.5wt.%，氮气中480℃退火30分钟的条件下，取得了1.797×10¹⁹cm^‑3空穴载流子浓度的P型SnO₂。本方法制备的P型SnO₂薄膜性质稳定，制备方法简单，对制备P型SnO₂薄膜提供了一种崭新的思路。
制备薄膜退火空穴载流子靶材衬底氮气电子束蒸镀薄膜性质氮气氛围真空环境质量分数掺杂量高纯度掺入基板蒸镀掺杂

[发明专利]一种探测多孔薄膜有序纳米管状孔排列的方法-CN201711324000.7在审
发明人：熊帮云;何春清 -专利权人：佛山科学技术学院
申请日： 2017-12-13 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： G01N23/2251 文献下载
摘要：本发明公开了一种探测多孔薄膜有序纳米管状孔排列的方法，通过基于慢正电子束的多普勒展宽谱，对待测纳米多孔薄膜进行样品‑束流几何多普勒展宽谱测量，即将待测纳米多孔薄膜绕束流轴线旋转90°，前后两次采集其多普勒展宽谱，接着分别计算出两次所采集的多普勒展宽谱的线型S参数或线型W参数，通过两次测量的线型S参数和线型W参数的变化，判断待测纳米多孔薄膜的有序性。本发明的方法不仅能够探测材料的表面信息，还能够准确检测到薄膜中的孔结构信息以及缺陷等随深度分布变化的信息，并且基板不影响薄膜孔隙率的探测，从而无需将薄膜从基板上剥离，因此不会损坏薄膜中的纳米孔结构，保证了测量结果的准确性和样品的重复利用率。 1
多普勒纳米多孔薄膜薄膜探测多孔薄膜纳米管状基板电子束采集重复利用率表面信息分布变化两次测量束流轴线探测材料影响薄膜准确检测孔结构孔隙率纳米孔束流剥离测量保证

[发明专利]一种纳米多孔薄膜闭孔孔隙率的测量方法-CN201710009866.2在审
发明人：熊帮云;何春清 -专利权人：佛山科学技术学院
申请日： 2017-01-06 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： G01N15/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米多孔薄膜闭孔孔隙率的测量方法，包括以下步骤采集基于慢正电子束的湮没辐射能量谱；计算待测薄膜的线型参数S和W；作出该系列的待测薄膜的S‑W曲线以判断其是否为相同的闭孔结构；再根据薄膜闭孔孔隙率Vp与S参数之间的线性关系估算出待测样品的孔隙率。本发明公开的测量方法不仅能检测到闭孔孔隙率等孔结构信息，且检测过程无需将样品薄膜从衬底上剥离，避免了采用传统技术需要剥离制样使得在剥离过程中损坏了薄膜中的介孔结构，提高了测量结果的准确性和样品重复利用率。
一种纳米多孔薄膜孔隙率测量方法

[发明专利]检测复合绝缘子伞裙老化的方法-CN201310495248.5有效
发明人：徐晓刚;许志海;彭向阳;王柯;余欣;毛先胤;方鹏飞;何春清;王建国;郑峰;刘杨;王康 -专利权人：广东电网公司电力科学研究院;武汉大学
申请日： 2013-10-21 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： G01N23/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种检测复合绝缘子伞裙老化的方法，包括以下步骤：选取复合绝缘子高压侧伞裙作为试样；对所述试样进行慢正电子束测量，得到随正电子入射能量分布的多普勒展宽谱；采集所述多普勒宽谱的S参数；判断所述S参数是否在预设参数范围之内；若是，则所述复合绝缘子伞裙老化。上述检测方法取样少，测试方法简单方便，并且对物质的缺陷信息十分敏感，可以作为硅橡胶表面结构的扫描探针，用于复合绝缘子伞裙老化早期鉴别与评估。
检测复合绝缘子老化方法

1
共 12 条