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- [发明专利]金属前层层间介质氧化物的淀积方法-CN201010568440.9有效
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李敏
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中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
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2010-12-01
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2012-06-06
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C23C16/40
- 本发明提供了一种金属前层层间介质氧化物的淀积方法，包括以下步骤：应用高密度等离子体化学气相淀积的方法，在成型由多晶硅栅的衬底表面淀积一层磷掺杂第一层间介质层；对已经淀积的所述第一层间介质层进行富氧等离子体处理，使其中的磷离子形成磷氧键；应用等离子体增强化学气相淀积或者准常压化学气相淀积的方法淀积一层第二层间介质层，该第二层间介质层与所述第一层间介质层共同构成金属前层层间介质氧化物。本发明的金属前层层间介质氧化物的淀积方法，通过对HDPCVD方法淀积的层间介质进行富氧等离子体处理，使游离磷离子由于形成稳定的磷氧键，避免了在后续的化学处理工序中由于掺杂浓度过高而导致的界面过腐蚀。
- 金属层层介质氧化物方法
- [发明专利]利用喷墨印刷技术制造有机半导体器件的方法及器件和利用该器件的系统-CN98811747.9无效
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杨洋
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加利福尼亚大学董事会
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1998-10-14
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2001-01-17
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H01L35/24
- 该发射系统典型地含有淀积于基片上并与之接触的第一电极(90)。然后,在第一电极上淀积一个或多个共轭有机缓冲层(40),并使之与第一电极接触,然后,在共轭有机缓冲层上,淀积第二电极(22)。在淀积每个共轭有机缓冲层(40)之前或之后,但在淀积第二电极(22)之前,喷墨印刷共轭有机淀积物(34、36和38),使它们与至少一个共轭有机缓冲层接触。在电压激励源加于第一电极(90)和第二电极(22)上时,共轭有机淀积物(34、36和38)促进指示项的产生。根据共轭有机淀积物(34、36和38)的材料,指示项可以是发光、发荧光和导电等。
- 利用喷墨印刷技术制造有机半导体器件方法器件系统
- [发明专利]气相淀积设备-CN03138608.3有效
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山崎舜平
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株式会社半导体能源研究所
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2003-06-03
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2004-01-21
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H01L21/00
- 本发明提供适于用大面积板多面切割的气相淀积设备，具有利用EL材料的高效率，并在膜的均匀性上是极好的，其中板13和气相淀积掩模14安装在板支撑装置12之上，气相淀积源支撑物17和要淀积的物体(板13)之间的间隔在气相淀积中窄化到等于或小于30cm，优选的，等于或小于20cm，更优选的，5－15cm，气相淀积源支撑物17根据绝缘部件(还称作围堤、隔离壁)10在X方向或Y方向移动，挡板15打开和关闭以形成膜。
- 气相淀积设备
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