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[实用新型]像素结构和图像传感器-CN202221655537.8有效
发明人：大石周;新居英明 -专利权人：思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H04N5/52 文献下载
摘要：本申请涉及像素结构和图像传感器，包括浮动扩散节点以及与浮动扩散节点分别连接的至少一个感光模块以及复位模块、信号输出模块和增益调节模块；增益调节模块响应于浮动扩散节点的电压变化而变化，以调节像素结构的转换增益；其中，浮动扩散节点的电压在预设电压范围内时，增益调节模块的容值与浮动扩散节点的电压呈负相关。本申请通过设置可以随浮动扩散节点的电压变化而变化的调节像素结构转换增益的增益调节模块，可以无需额外的控制信号实现图像传感器的转换增益的自动变换，不需要读取像素信号两次，从而保证读取时序简单，并有利用实现图像传感器的高帧率
像素结构图像传感器

[发明专利]固态摄像装置及固态摄像装置的制造方法-CN201610028492.4在审
发明人：大石周 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2016-01-15 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：固态摄像装置具备半导体层、光电转换元件、浮动扩散区、多个栅极以及半导体区域。光电转换元件设置在半导体层。浮动扩散区设置在半导体层的一表面侧的较浅位置。多个栅极分别与浮动扩散区相邻而设，且朝向光电转换元件往半导体层的深度方向延伸。半导体区域面向浮动扩散区而设置在栅极之间。
固态摄像装置制造方法

[发明专利]镜像像素成像装置及其成像方法-CN201310660609.7有效
发明人：邵泽旭;陈碧;徐辰;杨小龙 -专利权人：江苏思特威电子科技有限公司
申请日： 2013-12-09 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：成像装置，包括第一组像素，其中所述第一组像素共享第一浮动扩散区域；以及第二组像素，其中所述第二组像素共享第二浮动扩散区域；其中，所述第一组像素中的第一像素和所述第二组像素中的第二像素经控制分别向所述第一浮动扩散区域和第二浮动扩散区域转移电荷
像素成像装置及其方法

[实用新型]成像装置-CN201320804425.9有效
发明人：邵泽旭;陈碧;徐辰;杨小龙 -专利权人：江苏思特威电子科技有限公司
申请日： 2013-12-09 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：成像装置，包括：第一组像素，其中所述第一组像素共享第一浮动扩散区域；以及第二组像素，其中所述第二组像素共享第二浮动扩散区域；其中，所述第一组像素中的第一像素和所述第二组像素中的第二像素经控制分别向所述第一浮动扩散区域和第二浮动扩散区域转移电荷
成像装置

[发明专利]具环境光感测的数字摄像装置-CN201110008083.5无效
发明人：刘智民;米塔艾民 -专利权人：英属开曼群岛商恒景科技股份有限公司
申请日： 2011-01-12 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H04N5/225 文献下载
摘要：光传感器阵列包括至少一个光电二极管、浮动扩散节点以及重置晶体管。浮动扩散节点用以接收光电二极管的电荷来降低浮动扩散节点上的浮动电压；重置晶体管根据重置信号来将浮动电压重置为电源电压。比较器耦接于浮动扩散节点，当判断浮动电压小于参考电压时，则输出重置信号。脉宽计算单元根据重置信号的周期以输出环境光强度值。
环境光感测数字摄像装置

[发明专利]感光像素、图像传感器以及其制造方法-CN202011517536.2在审
发明人：黄信耀;洪丰基;林政贤;许慈轩;卢彦池 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种感光像素，包含：衬底、感光区、浮动扩散区、转移栅极以及控制电极。感光区位于衬底内。浮动扩散区位于感光区旁边的衬底内。转移栅极安置在衬底上且延伸到感光区中。控制电极位于衬底上且延伸到浮动扩散区中。
感光像素图像传感器及其制造方法

[发明专利]CMOS影像感应器-CN200610090020.8无效
发明人：李相埈;崔梁圭;张东润 -专利权人：韩国科学技术院
申请日： 2006-06-23 - 公布日： 2007-05-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMOS影像感应器，它包括：基板上加工形成的光电二极管；基板上加工形成的浮动扩散放大器区，浮动扩散放大器区与光电二级管有一定的距离并且围绕着光电二级管；一个中转门，中转门与光电二极管和浮动扩散放大器区也有一定的距离，在光电二极管和浮动扩散放大器区之间形成边界区，因此，中转门与光电二级管和浮动扩散放大器区重叠。
cmos 影像感应器

[发明专利]高动态范围图像传感器-CN201810310719.3在审
发明人：真锅宗平;马渕圭司;后藤高行;毛杜立;海老原弘知;渡边一史 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2018-04-09 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H04N5/355 文献下载
摘要：用于高动态范围HDR图像传感器中的像素电路包含安置在第一半导体晶片中的光电二极管及浮动扩散部。转移晶体管安置在所述第一半导体晶片中且经调适以接通从而将所述光电二极管中光产生的电荷载子转移到所述浮动扩散部。像素内电容器安置在第二半导体晶片中。双浮动扩散DFD晶体管安置在所述第一半导体晶片中。所述像素内电容器通过所述DFD晶体管选择性地耦合到所述浮动扩散部。所述浮动扩散部响应于所述像素内电容器耦合到所述浮动扩散部而设定为低转换增益，且响应于所述像素内电容器从所述浮动扩散部解耦而设定为高转换增益。
浮动扩散部半导体晶片像素电容器传感器半导体高动态范围图像光电二极管安置耦合到电容器耦合晶体管选择转移晶体管电荷载子像素电路转换增益响应高动态高转换光产生晶体管申请案双浮动堆叠解耦接通扩散

[发明专利]高动态范围图像传感器-CN202110569993.4在审
发明人：真锅宗平;马渕圭司;后藤高行;毛杜立;海老原弘知;渡边一史 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2018-04-09 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H04N5/355 文献下载
摘要：用于高动态范围HDR图像传感器中的像素电路包含安置在第一半导体晶片中的光电二极管及浮动扩散部。转移晶体管安置在所述第一半导体晶片中且经调适以接通从而将所述光电二极管中光产生的电荷载子转移到所述浮动扩散部。像素内电容器安置在第二半导体晶片中。双浮动扩散DFD晶体管安置在所述第一半导体晶片中。所述像素内电容器通过所述DFD晶体管选择性地耦合到所述浮动扩散部。所述浮动扩散部响应于所述像素内电容器耦合到所述浮动扩散部而设定为低转换增益，且响应于所述像素内电容器从所述浮动扩散部解耦而设定为高转换增益。
动态范围图像传感器

[发明专利]用于图像传感器的具有垂直栅极结构的双浮动扩散晶体管-CN202210131886.8有效
发明人：臧辉;陈刚 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请案涉及用于图像传感器的具有垂直栅极结构的双浮动扩散晶体管。像素电路包含安置于半导体衬底中的光电二极管及浮动扩散部。传送门安置于所述光电二极管与所述浮动扩散部之间以将光生图像电荷从所述光电二极管传送到所述浮动扩散部。双浮动扩散DFD晶体管耦合于所述浮动扩散部与DFD电容器之间。所述栅极到衬底耦合电容及所述DFD电容器经耦合以响应于所述DFD晶体管被接通增加与所述浮动扩散部相关联的有效电容。
用于图像传感器具有垂直栅极结构浮动扩散晶体管

[发明专利]固体摄像装置以及测距装置-CN202180061228.X在审
发明人：田丸雅规;春日繁孝;香山信三 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：固体摄像装置具有被配置为矩阵状的多个像素电路(1)，像素电路(1)具备：光电二极管(A P D)；蓄积电荷的第1电荷蓄积部(C 1)；蓄积电荷的浮动扩散区(F D)；蓄积电荷的第2电荷蓄积部(C 2)；第1传输晶体管(2)，将电荷从光电二极管(A P D)传输到第1电荷蓄积部(C1)；第2传输晶体管(3)，将电荷从第1电荷蓄积部(C 1)传输到浮动扩散区(F D)；第1复位晶体管(4)，将浮动扩散区(F D)复位；以及累积晶体管(7)，用于将浮动扩散区(F D)的电荷累积在第2电荷蓄积部(C 2)，第1电荷蓄积部(C 1)的电容比浮动扩散区(F D)的电容大，第2电荷蓄积部(C 2)的电容比浮动扩散区
固体摄像装置以及测距

[发明专利]获取图像数据的方法、供使用的HDR成像系统及像素-CN201510011819.2有效
发明人：船津英一;莫要武 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2015-01-09 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： H04N5/235 文献下载
摘要：复位所述像素的浮动扩散节点。取样所述浮动扩散节点以产生复位输出样本信号。将在所述多个子像素的第一部分中光生的电荷载流子转移到所述浮动扩散节点。取样所述浮动扩散节点以产生第一输出样本信号。将在所述多个子像素的第二部分中光生的电荷载流子转移到所述浮动扩散节点。取样所述浮动扩散节点以产生第二输出样本信号。
获取图像数据方法使用 hdr 成像系统像素

[发明专利]CMOS图像传感器-CN200510132949.8无效
发明人：金凡植 -专利权人：东部亚南半导体株式会社
申请日： 2005-12-29 - 公布日： 2006-08-16 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种CMOS图像传感器包括：光感测器件，用于产生光电荷；浮动扩散区，用于存储由所述光感测器件产生的光电荷；传递晶体管，其连接在所述光感测器件和所述浮动扩散区之间，用于将由所述光感测器件产生的光电荷传递到所述浮动扩散区；重置晶体管，其连接在电源电压端子和所述浮动扩散区之间，用于将存储在所述浮动扩散区中的电荷放电以重置所述浮动扩散区；驱动晶体管，用于响应于来自所述光感测器件的输出信号来充当源跟随器缓冲放大器；开关晶体管
cmos 图像传感器

[发明专利]固态成像装置、其驱动方法和电子装置-CN201110373006.X有效
发明人：马渕圭司 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-11-22 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：所述像素中的每一个包括光电变换部件、转移晶体管、通过所述转移晶体管从该光电变换部件接收电荷的多个浮动扩散部件、复位所述浮动扩散部件的复位晶体管、用于执行所述多个浮动扩散部件之间的连接的通断控制的分离晶体管、和用于输出与所述浮动扩散部件的电势对应的信号的放大晶体管。
固态成像装置驱动方法电子

[发明专利]成像元件和电子设备-CN201780072194.8在审
发明人：北野伸 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：第一像素包括连接到第二传输元件的复位元件；浮动扩散；和连接到浮动扩散以放大浮动扩散的电压的放大元件。浮动扩散连接在第二传输元件和放大元件之间。
传输元件浮动扩散像素光电转换元件放大元件成像器件成像元件传输电荷电子设备复位元件电荷入射光放大转换