“测量薄膜”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1243244个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种自支撑薄膜面内热导率的测量方法-CN202210459837.7在审
发明人：王汉夫;褚卫国;王东伟;熊玉峰;徐波;郭令举 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： G01N25/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种自支撑薄膜面内热导率的测量方法，所述测量方法包括以下步骤：(1)根据待测薄膜的关键物性参数确定待测薄膜的尺寸和加热电流的频率范围；(2)根据步骤(1)所得尺寸选取特定尺寸的待测薄膜，并利用所述待测薄膜和支撑框架制备薄膜‑框架复合体；(3)在步骤(2)所得薄膜‑框架复合体中待测薄膜的一侧表面沉积2条相互平行的导电条，分别为第一导电条和第二导电条；(4)根据步骤(1)所得加热电流的频率范围，利用步骤(3)所得导电条，并基于一维热传导模型的数据处理方法，测量得出所述待测薄膜的面内热导率。本发明提供的测量方法简化了制样流程，降低了测量成本，提高了测试效率，同时拓宽了可表征样品的范围。
一种支撑薄膜内热测量方法

[发明专利]一种测量硅片上多层膜应力的方法-CN200410065789.5有效
发明人：聂萌;黄庆安 -专利权人：东南大学
申请日： 2004-11-19 - 公布日： 2005-04-13 - 主分类号： G01N13/00 文献下载
摘要：一种测量硅片上多层膜应力的方法，该测量方法为：依次腐蚀掉硅片背面的各层薄膜，通过激光干涉仪或者表面轮廓仪测出由硅片和正面薄膜层及剩余背面薄膜层所构成复合结构挠曲的曲率半径，再由应力关系式（见上式）得到各层薄膜的应力，使之满足硅片正反两面都有薄膜的情况，基于背面腐蚀的多层膜应力测试方法，可以简化测量过程，减少腐蚀工序，仅需要依次腐蚀硅片背面的各层薄膜，用激光全场测量法测出相应的曲率半径，无须腐蚀基片正面有用层，就可以提取各层薄膜的应力该方法解决了传统的测量硅片上多层膜应力的方法中需要很多腐蚀工序，并且在完成参数提取后，片上的薄膜层已被腐蚀掉，需要重新生长薄膜。
一种测量硅片多层应力方法

[发明专利]超厚薄膜的测量方法和测量装置-CN201910001692.4有效
发明人：张硕;邓常敏;周毅;芈健 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-01-02 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：一种超厚薄膜的测量方法和测量装置，其中所述超厚薄膜的测量方法，通过计算理论光谱与量测光谱的峰位相关性，将峰位相关性最高的点对应的理论光谱所对应的厚度作为测量厚度，即本申请中对超厚薄膜进行测量时，相对于传统椭圆偏振法采用的内差法或者均方根偏差计算获得薄膜厚度的方法，通过理论光谱与量测光谱的峰位相关性而非特定波长上理论光谱与量测光谱光强的差值权重来作为厚度测量的依据，从而实现对超厚薄膜的厚度测量，并可以获得可靠的测量结果。
厚薄测量方法测量装置

[发明专利]测量电流加载时金属薄膜中应力演变的装置及方法-CN200810017429.6有效
发明人：孙军;王章洁;刘刚;孙冰;丁向东;江峰 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2008-01-29 - 公布日： 2008-08-06 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种测量电流加载时金属薄膜中应力演变的装置及其方法，设计试样放置装置，依靠金属薄膜与试样放置装置的线接触，实现电流加载，将金属薄膜试样放置到金属材料的放置台的燕尾型的凹槽内，依靠重力金属薄膜试样与金属放置台线接触，保证金属薄膜和金属放置台电导通，金属薄膜在施加电流的过程由于焦耳热和电致蠕变曲率发生变化，再由多数激光应力测量装置测量电流加载时金属薄膜中应力演变。对薄膜试样不施加外力，实现原位测量电流加载时金属薄膜中的应力演变，以分析金属薄膜在热/力/电多耦合场的蠕变变形行为。本发明方法具有简单、精确等优点。
测量电流加载金属薄膜应力演变装置方法

[发明专利]一种考虑非线性的荧光染色薄膜厚度测量标定方法-CN202110431140.4有效
发明人：王文中;陈虹百;梁鹤;赵自强 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2021-04-21 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种考虑非线性的荧光染色薄膜厚度测量标定方法，能够有效提高荧光染色薄膜厚度的测量精度以及量程。本发明考虑激发诱导荧光成像系统中荧光强度与荧光染色薄膜厚度之间的非线性。通过使用不同标准厚度薄膜的荧光照片，基于多项式建立每个像素单元的薄膜厚度与荧光强度之间的关系式，然后构建标定系数方程组并求解，得到标定系数表。拍摄待测薄膜的荧光照片，基于标定系数表以及薄膜厚度与荧光强度之间的关系式，计算得到每一像素单元对应的薄膜厚度。可显著减小由荧光强度与荧光染色薄膜厚度之间的非线性所带来的测量误差，能有效提高荧光染色薄膜厚度的测量精度以及量程。
一种考虑非线性荧光染色薄膜厚度测量标定方法

[发明专利]测量异质结样品薄膜和基底热导率及界面热阻的方法-CN202210042831.X在审
发明人：曹炳阳;杨光 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G01N25/20 文献下载
摘要：本发明提出了一种测量异质结样品薄膜和基底热导率及界面热阻的三电极3ω‑2ω方法，通过在薄膜远离基底的表面设置一个宽加热电极、一个窄加热电极以及一个探测电极，接通电流后测量交流热响应信号进而反演计算出薄膜和基底的热导率以及界面热阻，该方法具有以下优点：(1)实现了单个样品薄膜、基底热导率以及两者间界面热阻的高精度原位测量；(2)直接测量得到基底热导率，无需引用外部数据，减小了薄膜热导率和界面热阻的测量误差，提高了精度；(3)薄膜热导率经测量和反演计算得到
测量异质结样品薄膜基底热导率界面方法

[发明专利]测量导电层的导电性能的方法及其系统-CN201910546868.4有效
发明人：袁广中 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： G01N21/21 文献下载
摘要：本揭示提供了测量导电层的导电性能的方法及其系统。所述测量导电层的导电性能的方法包括通过椭圆偏振光谱仪测量导电层的导电薄膜在近红外波段范围内的椭圆偏振参数，其中所述导电薄膜的表面等离子体共振范围落在所述椭圆偏振光谱仪的波长测量范围内，通过建模分析单元对所述导电薄膜进行建模分析，以及通过所述建模分析和通过计算单元对测量到的所述导电薄膜在近红外波段范围内的所述椭圆偏振参数进行分析，以得到所述导电薄膜的导电性能，能够准确获得所述导电薄膜的导电性能且测量方便快捷。
测量导电性能方法及其系统

[发明专利]用于测量薄膜掺杂比例的传感器、方法及装置-CN201910002529.X有效
发明人：钱宏昌;何信儒;郭世聪;冯永山 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;绵阳京东方光电科技有限公司
申请日： 2019-01-02 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于测量薄膜掺杂比例的传感器、方法及装置，通过设置控制电极层、绝缘层以及导通电极层，其中，导通电极层可以包括：间隔设置的至少两个导通子电极。在衬底基板上形成掺杂有预设掺杂离子的待测量薄膜时，通过对控制电极层加载第一电压，对与待测量薄膜电连接的一个导通子电极加载第二电压，以及通过获取与待测量薄膜电连接的另一个导通子电极输出的检测信号，这样可以根据检测信号，确定待测量薄膜中预设掺杂离子的掺杂比例，从而可以实现测量薄膜中预设掺杂离子的掺杂比例的效果。
用于测量薄膜掺杂比例传感器方法装置

[发明专利]一种薄膜在线测厚仪计量校准方法-CN202210342756.9在审
发明人：张乐;刘小谜;李守祥;庄苏宁;姚绍卫 -专利权人：宿迁市计量测试所
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G01B21/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜在线测厚仪计量校准方法，包括检测薄膜在线测厚仪的计量校准方法及量值溯源；本发明解决了薄膜在线测厚仪的计量校准及溯源，通过对薄膜在线测厚仪的外观及工作状态、厚度测量示值误差、厚度测量重复性、扫描速度示值误差、扫描速度重复性等计量检测方法，判断出薄膜在线测厚仪是否功能完好、测量是否准确。量值溯源采用直接测量法和间接称重法，保障了设备的量值传递准确可靠。
一种薄膜在线测厚仪计量校准方法

[发明专利]一种薄膜电容器寄生电感参数的测量系统和方法-CN202110065589.3在审
发明人：余蔚;韩金刚;姚刚;陈昊;汤天浩 -专利权人：上海海事大学
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜电容器寄生电感参数的测量系统和方法，系统包括：电容充放电测量模块，与待测薄膜电容器相连接，用于对所述薄膜电容器进行充电与放电；数据采集与处理模块，与所述电容充放电测量模块相连接，用于向所述电容充放电测量模块发出充/放电控制信号，以及采集前后所述薄膜电容器两端的电压和流过所述薄膜电容器的电流，并且对采集到的电压和电流数据进行处理，计算得到所述薄膜电容器寄生电感的电感值。本发明能够可实现快速准确地测量薄膜电容器寄生电感参数。
一种薄膜电容器寄生电感参数测量系统方法

[发明专利]基于多重修正的荧光染色薄膜厚度测量标定方法-CN202110429859.4有效
发明人：王文中;陈虹百;梁鹤;赵自强 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2021-04-21 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：本发明以若干不同标准厚度薄膜的荧光照片作为样本，基于多项式并考虑荧光成像区域的光学特性，建立薄膜厚度与荧光强度之间的关系式，构建标定系数方程组并求解，使用统计学方法减小随机误差，得到标定系数表。拍摄待测薄膜的荧光照片，基于标定系数表以及薄膜厚度与荧光强度之间的关系式，计算得到每一像素单元对应的薄膜厚度。通过再次测量标准厚度薄膜，得到测量误差分布情况，对标定系数与测量值进行校正，可显著减小由非线性、荧光成像区域光学特性以及荧光强度随机性带来的测量误差，能有效提高荧光染色薄膜厚度的测量精度以及量程。
基于多重修正荧光染色薄膜厚度测量标定方法

[发明专利]一种拟合测量薄膜厚度的方法-CN202010645136.3有效
发明人：李相相;魏慎金;李晶 -专利权人：上海辰慧源科技发展有限公司
申请日： 2020-07-07 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：本发明提出的是一种拟合测量薄膜厚度的方法，该方法包括采用了椭圆偏振测量技术和神经网络相结合的方法，通过薄膜的椭圆偏振光参数以及神经网络模型来拟合测量薄膜的厚度；所述神经网络为LSTM循环神经网络。所述拟合测量薄膜厚度的方法适用于对Al2O3薄膜的厚度进行拟合测量。本发明的优点：1）能够更加快速、准确地得到结果；2）所需测量参数数量更少，即更加容易测量；3）无需进行反复的数学迭代，因而结果更加稳定；4）本发明十分适用于大规模光学检测领域。
一种拟合测量薄膜厚度方法

[发明专利]一种宽光谱光干涉法测量薄膜厚度的系统-CN201410290494.1有效
发明人：贾传武;常军;姜浩;王宗良;王强;田长彬 -专利权人：山东大学
申请日： 2014-06-24 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：一种宽光谱光干涉法测量薄膜厚度的系统，属薄膜测厚技术领域。包括ASE光源，波长解调仪及法珀腔干涉平台等。该系统利用光纤准直器将激光器输出的光垂直打到反射镜面，从而在准直器端面和反射镜面中间形成法珀腔，使两束反射光形成干涉，从而通过波长解调仪解调出干涉光的强度变化，再通过相位解调算法，求得没有加入薄膜时法珀腔的腔长，之后在工件下面放上薄膜，抬高反射镜，缩短反射镜到准直器的距离，改变法珀腔的腔长，求得加入薄膜后法珀腔的腔长，没有加入和加入薄膜的两个腔长的差值即为薄膜的厚度。本发明系统通过测量距离间接地求得薄膜的厚度，既能测量透明薄膜也可以测量不透明薄膜。该系统构造简单，测量精度很高，比较容易实现。
一种光谱干涉测量薄膜厚度系统

[发明专利]一种测量真空度的装置与方法-CN201910441710.0在审
发明人：王广才 -专利权人：南开大学
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： G01L21/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种测量真空度的装置与一种测量真空度的方法，所述装置包括：电源、电流计、电极、半导体薄膜材料和衬底；所述电源的正负极通过导线连接所述电极；在所述电源与所述电极之间安装有所述电流计；所述电极连接所述半导体薄膜材料；所述半导体薄膜材料沉积在所述衬底上。本申请的装置通过电源提供的电压与电流计测量得到的电流可以获得半导体薄膜材料的电阻，本申请的测量真空度的装置中的半导体薄膜材料的电阻与该装置所处的真空度呈现准线性关系，从而可以通过测量半导体薄膜材料的电阻而测量较大范围的真空度，以解决现有技术中的同一种测量装置或同一种测量方法无法同时测量高真空度与低真空度的缺陷。
半导体薄膜材料测量真空电流计电极测量电阻电源衬底申请测量半导体准线性关系薄膜材料测量装置导线连接低真空度电极连接电源提供高真空度正负极沉积

[发明专利]偏振复用的共光路自校准薄膜厚度测量装置及测量方法-CN201710537207.6有效
发明人：苑勇贵;卢旭;杨军;彭峰;李寒阳;卢东川;祝海波;苑立波 -专利权人：哈尔滨工程大学
申请日： 2017-07-04 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：本发明提供的是一种偏振复用的共光路自校准薄膜厚度测量装置及测量方法。包含光源输出模块、膜厚测量探头模块、解调干涉仪模块、偏振分束模块以及采集与控制模块。本发明采用偏振复用技术，两探头使用正交态偏振光。测量探头能实现传输光线的透射和反射，无待测薄膜时可实现两探头绝对距离H的测量；待测薄膜安置两探头间，实现两探头与待测薄膜前后表面的绝对距离H1和H2的测量；待测薄膜厚度d可由d＝H‑(H1+H2)确定。本发明实现不需要标定物即可对待测薄膜厚度进行测量，共光路的设计克服了测量过程中由于系统内部机械不稳定和外部环境变化带来的影响，具有自校准、特征白光干涉峰识别简单、动态范围大、测量结果可溯源等优点。
偏振共光路校准薄膜厚度测量装置测量方法