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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种传动套组件及安装有该组件的气扳机-CN202110583074.2在审
发明人：钱冠华 -专利权人：钱冠华
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： F16C19/46 文献下载
摘要：本发明提出一种传动套组件及安装有该组件的气扳机，包括传动套外圈、保持架及滚针，传动套外圈一端为驱动端具有内孔，驱动端的内孔为圆柱孔，圆柱孔壁上沿圆周方向均匀嵌有若干浅圆弧槽，浅圆弧槽的数量与滚针的数量相同，浅圆弧槽的轴线平行于圆柱孔的轴线。本发明通过改造传动套外圈的内孔形状，由原先的内十二方形改为圆柱孔嵌有若干浅圆弧槽的结构，极大提升了传动套组件的使用寿命。通过现场试用，目前本发明传动套的寿命至少为12个月。
一种传动组件装有扳机

[实用新型]高尔夫球杆头-CN201420246258.5有效
发明人：陈勇雄 -专利权人：威捷国际有限公司
申请日： 2014-05-14 - 公布日： 2014-11-26 - 主分类号： A63B53/06 文献下载
摘要：本实用新型公开一种高尔夫球杆头，所述高尔夫球杆头以打击面方向看周缘，其周缘是指所述球头的底部周缘或在球头上方的刃部周缘或在球头左侧边的趾部周缘的其中一个位置设置至少一浅槽，使具有浅槽的球头与相同形状球头的对比之下，可变更球头的重量、重心位置及惯性矩等性能，而所述球头的浅槽可通过烤漆涂装或镭雕标记，使本实用新型具有浅槽的所述球头更具有不同于其它球头可有效提升其差别性及高质感的功效。
高尔夫球杆

[实用新型]骨伤局部理疗器-CN201420559473.0有效
发明人：王习彬 -专利权人：王习彬
申请日： 2014-09-21 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： A61F7/08 文献下载
摘要：本实用新型提出的技术方案是：包括底座和支杆，其特征是在底座的中段设置有浅槽，浅槽的侧面底部设置有放流孔，放流孔内设置有引流管，所述浅槽的中央设置有凹形支架，凹形支架的顶部设置有弹力夹，弹力夹的内侧设置有胶垫，所述浅槽的后侧中段设置有弹力托，弹力托的顶部设置有肢体缓冲板，肢体缓冲板为45度倾斜板。
局部理疗

[实用新型]笔记本电脑课桌-CN201220556164.9有效
发明人：杨春梅;杨柳;姜丽伟 -专利权人：牡丹江师范学院
申请日： 2012-10-29 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： A47B41/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种笔记本电脑课桌，它包括课桌体（1），课桌体（1）桌面（11）的中部设有可以置放笔记本电脑的浅槽（12），课桌体（1）桌面（11）上铰接有扣合在浅槽（12）内时可以使桌面（11）保持为平面的浅槽盖板（2），浅槽（12）中部设有与课桌体（1）桌膛内部相连通的散热孔（13），散热孔（13）上设有固定在课桌体（1）上的散热风扇（3）。
笔记本电脑课桌

[实用新型]一种传动套组件及安装有该组件的气扳机-CN202121202168.2有效
发明人：钱冠华 -专利权人：钱冠华
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： F16C19/46 文献下载
摘要：本实用新型提出一种传动套组件及安装有该组件的气扳机，包括传动套外圈、保持架及滚针，传动套外圈一端为驱动端具有内孔，驱动端的内孔为圆柱孔，圆柱孔壁上沿圆周方向均匀嵌有若干浅圆弧槽，浅圆弧槽的数量与滚针的数量相同，浅圆弧槽的轴线平行于圆柱孔的轴线。本实用新型通过改造传动套外圈的内孔形状，由原先的内十二方形改为圆柱孔嵌有若干浅圆弧槽的结构，极大提升了传动套组件的使用寿命。通过现场试用，目前本实用新型传动套的寿命至少为12个月。
一种传动组件装有扳机

[发明专利]半导体器件制作方法-CN201010599115.9有效
发明人：杜建 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2010-12-21 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本实施例公开了一种半导体器件制作方法，包括：提供基底，所述基底包括STI浅沟槽；在所述STI浅沟槽的侧壁和底部注入离子，以改善注入离子处的基底材料的晶格结构；在所述基底表面上形成STI浅槽隔离区。本发明实施例通过在所述STI浅沟槽的侧壁和底部注入离子，通过离子对晶格的撞击，破坏了注入离子处的基底材料的晶格结构，由于基底材料晶格结构的变化，即应力的受体发生变化，从而减小了基底材料与STI浅槽隔离区之间产生的应力
半导体器件制作方法

[发明专利]智慧巡逻指挥车-CN202210340474.5有效
发明人：吴腊辉 -专利权人：深圳市榕桑科技有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： B60R11/06 文献下载
摘要：本发明涉及互联网技术领域，具体为智慧巡逻指挥车，包括车底板和储物盒，所述车底板的上端开设有浅槽，所述浅槽的一端侧端面上对称开设有两个插接孔，且浅槽的另一端上端面上对称焊接有两个固定柱，所述浅槽的槽底开设有放置槽，所述放置槽的两端对称开设有移动槽，所述移动槽与放置槽贯通，所述固定柱分别处于移动槽的两侧，在车底板上开设有放置槽，在放置槽的内部安装上储物盒，可以将工具和一些不常用的物品放置在储物盒中进行保存，且平时放置槽在第一盖板和第二盖板的密封下是处于封闭状态
智慧巡逻指挥车

[发明专利]浅沟槽隔离结构及其制作方法-CN201811402869.3在审
发明人：辛欣 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种浅沟槽隔离结构及其制作方法，所述浅沟槽隔离结构包括：衬底，所述衬底中具有第一沟槽；第一隔离层，形成于所述第一沟槽的底部及侧壁，所述第一隔离层围成有第二沟槽，所述第二沟槽包括下槽部及与所述下槽部连通的上槽部，且所述上槽部的宽度大于所述下槽部的宽度；以及第二隔离层，填充于所述第二沟槽中。本发明通过倾斜离子注入，使得隔离层上部的刻蚀速率大于下部的刻蚀速率，通过蚀刻工艺使隔离层上部的开口增大，形成漏斗形结构，可以避免由于绝缘材料在浅沟槽结构开口处的沉积速率大于底部的沉积速率，而造成浅沟槽结构的绝缘层中形成空洞，提高绝缘材料的填充质量，从而提高了浅沟槽隔离结构的性能。
沟槽隔离结构及其制作方法

[发明专利]背照式单光子雪崩二极管、形成方法以及激光雷达-CN202011538082.7在审
发明人：刘颖彪;弗朗西斯科·潘泽里;向少卿 -专利权人：上海禾赛科技有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种背照式单光子雪崩二极管、形成方法以及激光雷达，背照式单光子雪崩二极管包括中浅槽隔离结构，位于相邻二极管区之间，且位于外延层远离衬底的端面上，浅槽隔离结构能够很好的隔离相邻二极管区，且在背照式单光子雪崩二极管的形成过程中，形成浅槽隔离结构后，形成第一掺杂区，从而形成第一掺杂区的过程中，浅槽隔离结构起到阻挡作用，浅槽隔离结构使得一个二极管区中第一掺杂区的掺杂离子不易进入相邻的二极管区中，使得相邻背照式单光子雪崩二极管之间不易出现元素串扰
背照式单光子雪崩二极管形成方法以及激光雷达

[发明专利]SiGe BiCMOS工艺中的PNP双极晶体管-CN200910201914.3有效
发明人：钱文生 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2009-12-08 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiGe BiCMOS工艺中的PNP双极晶体管，其有源区是利用浅槽场氧化层隔离，包括集电区、基区和发射区。集电区由位于浅槽底部的P型埋层构成，通过在场氧化层上制作深阱接触引出所述集电区；基区通过在有源区进行N型离子注入形成，基区的周侧为浅槽场氧化层，基区宽度和浅槽的深度相当，基区底部和集电区相连接；在集电区对侧的浅槽底部形成一
sige bicmos 工艺中的 pnp 双极晶体管

[发明专利]一种三多晶SOI SiGe HBT平面集成器件及制备方法-CN201210244429.6有效
发明人：张鹤鸣;周春宇;宋建军;胡辉勇;宣荣喜;王斌;王海栋;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2012-07-16 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明适用于半导体集成电路领域，提供了一种三多晶SOI SiGeHBT集成器件及制备方法，在SOI衬底上连续生长N-Si、P-SiGe、i-Si、i-Poly-Si，淀积介质层，制备浅槽隔离，光刻集电区浅槽隔离区域，制备集电区浅槽隔离，刻蚀并淀积介质层，光刻基区浅槽隔离区域，制备基区浅槽隔离，光刻集电极、磷离子注入，光刻基极、硼离子注入，光刻发射极、磷离子注入，形成集电极、基极和发射极接触区，最终形成HBT器件，
一种多晶 soi sige hbt 平面集成器件制备方法

[发明专利]一种SOI SiGe HBT平面集成器件及制备方法-CN201210244397.X有效
发明人：宋建军;胡辉勇;吕懿;张鹤鸣;宣荣喜;王斌;舒斌;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2012-07-16 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种SOI SiGe HBT平面集成器件及制备方法，其过程为：在SOI衬底上连续生长N-Si、P-SiGe、N-Si层，淀积介质层，制备浅槽隔离，光刻集电区浅槽隔离区域，制备集电区浅槽隔离，刻蚀并淀积介质层，光刻基区浅槽隔离区域，制备基区浅槽隔离，光刻集电区并磷离子注入，形成集电极接触区，光刻基区并硼离子注入，形成基极接触区，最终形成SiGe HBT器件，最后光刻发射区、基区和集电区引线孔
一种 soi sige hbt 平面集成器件制备方法

[发明专利]一种防止图像弥散的图像传感器像素结构及其制造方法-CN201410098644.9有效
发明人：郭同辉;陈杰;刘志碧;唐冕;旷章曲 -专利权人：北京思比科微电子技术股份有限公司
申请日： 2014-03-17 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种防止图像弥散的图像传感器像素结构及其制造方法，其中，所述图像传感器像素结构的光电二极管一侧的一浅槽隔离区、另一侧的两个浅槽隔离区中的一个浅槽隔离区及晶体管漏端部分有源区上均设有深P型阱区，其中，所述晶体管漏端有源区上的深P型阱区，其覆盖距所述光电二极管较远的浅槽隔离区，且不与距所述光电二极管较近的浅槽隔离区接触；使得所述光电二极管与晶体管漏端有源区之间构成溢出电荷导流通道。
一种防止图像弥散图像传感器像素结构及其制造方法

[发明专利]一种柔性电路板及其整板冲切工装-CN202010875501.X有效
发明人：彭燕 -专利权人：深圳市德尔高科技发展有限公司
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性电路板及其整板冲切工装，包括绝缘基膜和柔性导电铜层，绝缘基膜相对于柔性导电铜层的背面设置有多个纵横交错的挠曲增强浅槽，且绝缘基膜背部通过纵横交错的挠曲增强浅槽形成有多个以挠曲增强浅槽分隔的透光凸粒通过透光凸粒和挠曲增强浅槽的设置，大幅增加了绝缘基膜背部的散热面积，而散热薄膜微粒则增强了透光凸粒的散热性能，从而使得绝缘基膜的散热性能大大提升。而整板冲切工装的整板微调装置通过基于散热薄膜微粒对整板位置进行检测，并通过整板微调装置对整板位置调节以使挠曲增强浅槽与冲切装置的冲切边界相吻合，以保持透光凸粒和散热薄膜微粒的完整。
一种柔性电路板及其整板冲切工装

[发明专利]半导体中浅槽的制作方法-CN200910051545.4无效
发明人：张雄;张博;孔蔚然 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2009-05-19 - 公布日： 2009-10-14 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：本发明提出一种浅槽制作方法，用于在基底层中形成浅槽，其特征是，包括以下步骤：在基底层上依次形成栅氧化层、多晶硅栅层和氮化硅硬掩膜层；在氮化硅硬掩膜层上涂覆光刻胶，并将光刻胶形成图案化的光刻胶层；以图案化光刻胶层为掩膜，进行蚀刻，穿过氮化硅硬掩膜层停在多晶硅栅层上；除去图案化光刻胶层；以及以氮化硅硬掩膜层为掩膜，进行浅槽蚀刻，在基底层中形成浅槽。本发明提出的工艺，因为进行了两次小规模的蚀刻，并且利用了氮化硅硬掩膜层进行第二次蚀刻而形成浅槽，有引入更少的蚀刻负载，有着更好的线宽控制，有利于器件尺寸的进一步缩减。
半导体中浅槽制作方法

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