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[发明专利]一种测量束流的法拉第装置-CN201310303660.2有效
发明人：庞云玲 -专利权人：北京中科信电子装备有限公司
申请日： 2013-07-18 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： G01T1/29 文献下载
摘要：本发明公开了一种束流的法拉第测量装置，包括：密封插座(1)、法拉第杯安装板(2)、法拉第收集框(3)、石墨挡板(4)、导磁板(5)、微型法拉第杯(6)，所述微型法拉第杯(6)安装于法拉第杯安装板(2)上，所述法拉第杯安装板(2)通过所述法拉第收集框(3)的连接固定于离子注入机上，所述石墨挡板(4)安装于所述法拉第收集框(3)上，位于微型法拉第杯(6)入口前方位置；其特征在于，所述微型法拉第杯(6)共21个与所述导磁板(5)并列安装于法拉第杯安装板(2)上，位于真空环境中；所述微型法拉第杯(6)的电流通过所述密封插座(1)引出；所述密封插座(1)固定于所述法拉第收集框(3)上接近法拉第杯安装板(2)的位置
一种测量法拉第装置

[发明专利]一种平行束角度测量法拉第装置-CN200710175968.8有效
发明人：唐景庭;伍三忠;袁卫华;彭立波;孙勇 -专利权人：北京中科信电子装备有限公司
申请日： 2007-10-17 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子注入机的平行束角度测量法拉第装置，涉及离子注入机，属于半导体制造领域。该结构包括：本发明采用一个法拉第收集框，一个电子抑制板，一个收集框底板，七个固定角度法拉第杯和一个移动法拉第杯组成，一个移动法拉第杯，所述的法拉第收集框收集入射离子束流，所述的抑制电子板抑制离子束轰击法拉第杯金属体产生的电子溢出，所述的角度收集底板用于真空连接密封法拉第收集框和法拉第杯，七个固定角度法拉第杯测得离子束电流大小，结合靶室区布置的移动法拉第来确定注入离子束的中心位置，当平行束是与晶平面垂直入射的束线时，此时移动法拉第的挡束中心位置与固定法拉第测束中心一致，移动法拉第电流达到峰值时的位置，固定的角度法拉第杯电流也同时达到峰值位置。
一种平行角度测量法拉第装置

[发明专利]法拉第杯组件及其离子束注入角度的测量方法、装置-CN201910727088.X在审
发明人：田成俊;洪纪伦;吴宗祐;林宗贤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-08-07 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：一种法拉第杯组件，所述法拉第杯组件包括堆叠放置的前置板以及法拉第部件，所述前置板与所述法拉第部件相互平行设置且具有预设间距，所述前置板与所述法拉第部件在保持间距不变的状态下可相对平移；其中，所述前置板具有多个孔洞，每个孔洞穿通所述前置板；所述法拉第部件内具有多个法拉第杯，每个法拉第杯具有开口，多个法拉第杯的开口的朝向相同，且所述开口与所述孔洞一一对应。
法拉第杯前置板法拉第孔洞开口离子束堆叠放置平行设置相对平移组件包括预设测量

[发明专利]一种法拉第屏蔽装置、等离子体刻蚀系统及其使用方法-CN202010470678.1在审
发明人：郭颂;刘海洋;王铖熠;程实然;刘小波;张军;胡冬冬;许开东 -专利权人：北京鲁汶半导体科技有限公司
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种法拉第屏蔽装置、等离子体刻蚀系统及其使用方法，所述法拉第屏蔽装置包括法拉第屏蔽板和加热电路；所述法拉第屏蔽板包括导电环和多个辐射对称连接在导电环外周的导电瓣状件；所述加热电路用于刻蚀工艺时，通电加热法拉第屏蔽板。本发明当刻蚀工艺时，导通加热电路与法拉第屏蔽板，使法拉第屏蔽板通电温度升高，加热介质窗，减少产物的沉积量；由于法拉第屏蔽板与介质窗直接接触，加热效率高，热量散失少，简化了设备结构；当清洗工艺时，关闭加热电路与法拉第屏蔽板，法拉第屏蔽板接入屏蔽电源，对介质窗进行清洗；所述加热电源的输出端经滤波电路单元滤波后，连接至法拉第屏蔽板，有效防止射频线圈与法拉第屏蔽板之间产生耦合。
一种法拉第屏蔽装置等离子体刻蚀系统及其使用方法

[实用新型]一种等离子体刻蚀系统及其可用于加热的法拉第屏蔽装置-CN202020935358.4有效
发明人：郭颂;刘海洋;王铖熠;程实然;刘小波;张军;胡冬冬;许开东 -专利权人：北京鲁汶半导体科技有限公司
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种等离子体刻蚀系统及其可用于加热的法拉第屏蔽装置，法拉第屏蔽装置包括法拉第屏蔽板和加热电路；法拉第屏蔽板包括导电环和多个辐射对称连接在导电环外周的导电瓣状件；加热电路用于刻蚀工艺时，通电加热法拉第屏蔽板本实用新型当刻蚀工艺时，导通加热电路与法拉第屏蔽板，使法拉第屏蔽板通电温度升高，加热介质窗，减少产物的沉积量；由于法拉第屏蔽板与介质窗直接接触，加热效率高，热量散失少，简化了设备结构；当清洗工艺时，关闭加热电路与法拉第屏蔽板，法拉第屏蔽板接入屏蔽电源，对介质窗进行清洗；加热电源的输出端经滤波电路单元滤波后，连接至法拉第屏蔽板，有效防止射频线圈与法拉第屏蔽板之间产生耦合。
一种等离子体刻蚀系统及其用于加热法拉第屏蔽装置

[发明专利]同位素比质谱仪中的检测器和狭缝配置-CN201610663803.4有效
发明人： M·迪亚博格;M·库鲁门;R·西多夫;S·西多夫 -专利权人：塞莫费雪科学(不来梅)有限公司
申请日： 2016-08-12 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01J49/02 文献下载
摘要：本发明描述一种在质谱仪10中配置法拉第检测器140的方法。所述质谱仪10界定中心离子束轴I，并且所述法拉第检测器140能相对于所述中心离子束轴I移动。所述法拉第检测器140包含具有检测器表面230的检测器布置以及界定离子进入所述检测器布置的入口的法拉第狭缝210，所述法拉第检测器140具有延伸穿过所述法拉第狭缝210的伸长轴A。选择所述法拉第狭缝210的宽度，并且调整所述法拉第检测器140的所述伸长轴A与所述中心离子束轴I之间的角α。这能防止入射离子到所述法拉第检测器140的检测器杯200中的准入超出所述法拉第检测器140的所述伸长轴A与离子在所述法拉第检测器140处的入射方向B之间界定的最大准入角γ的范围。
同位素质谱仪中的检测器狭缝配置

[实用新型]一种用于束流取样测量的固定法拉第筒装置-CN200620008177.7无效
发明人：易文杰;郭健辉;彭立波;谢均宇 -专利权人：北京中科信电子装备有限公司
申请日： 2006-03-17 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于束流取样测量的固定法拉第筒装置，属于半导体器件制造领域，通过本装置对束流的取样分析，可得知终端的束流大小，控制晶片上精确的注入剂量，是一种具有自冷却效果的，针对靶室终端而设计的用于束流取样测量的固定法拉第筒装置，固定法拉第筒包括：在一法拉第外腔体内，一法拉第内腔体通过一绝缘瓷固定在法拉第外腔体上、在法拉第内腔体和法拉第外腔体之间设置一固定在绝缘瓷上的抑制极，所述抑制极与法拉第内腔体之间保持一定的空隙，法拉第外腔体外固定连接一水冷板，所述法拉第筒通过水冷板悬挂在起固定整个装置的大法兰下部，大法兰上设一起密封作用的O型密封圈，能够精确的进行束流的取样测量，结构简单，运行可靠。
一种用于取样测量固定法拉第装置

[发明专利]一种简易法拉第结构及应用该结构的法拉第系统-CN201510741645.5有效
发明人：张丛 -专利权人：北京中科信电子装备有限公司
申请日： 2015-11-04 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： H01J37/244 文献下载
摘要：本发明涉及用于测量带电粒子束流流强参数的法拉第结构和系统。本发明提供了一种新型的简易法拉第结构和一种新型法拉第系统，该法拉第结构具有结构简单、方便移动和组合等优点，该法拉第系统具有测量灵活、成本低等优点。当该法拉第结构和法拉第系统应用于离子注入机时，可以较低的成本实现某一位置或多个位置的束流流强参数的方便测量。
一种简易法拉第结构应用系统

[发明专利]半导体工艺设备-CN202111113577.X在审
发明人：徐奎;张同文 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体工艺设备，包括工艺腔室，其中设置有基座和法拉第屏蔽筒，法拉第屏蔽筒环绕基座的轴线设置，工艺腔室外设置有电磁线圈，电磁线圈环绕法拉第屏蔽筒设置，法拉第屏蔽筒上形成有多条贯穿法拉第屏蔽筒的侧壁且沿法拉第屏蔽筒的轴向延伸的贯通缝隙，贯通缝隙贯穿法拉第屏蔽筒侧壁的方向与法拉第屏蔽筒的径向之间存在预设夹角。在本发明中，法拉第屏蔽筒上的贯通缝隙贯穿其侧壁的方向与径向之间存在预设夹角，从而沿径向运动的刻蚀副产物会被斜向的贯通缝隙阻挡，有效降低了法拉第屏蔽筒周围的其他腔室结构的表面附着刻蚀副产物的速率，进而降低了工艺腔室的维护保养频率
半导体工艺设备

[发明专利]一种法拉第片中心波长测量系统-CN202211743503.9在审
发明人：朱伟强;孙先胜;肖新亮 -专利权人：珠海光库科技股份有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G01J9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种法拉第片中心波长测量系统，包括光源、光路切换系统、法拉第测试系统和OSA系统，所述光路切换系统用于控制所述光源到所述OSA系统之间的光路是否先经过所述法拉第测试系统；所述法拉第测试系统包括起偏/检偏器、法拉第旋光器以及偏折反射器件；所述OSA系统采集通过两不同光路输入的光信号，比对两光信号不同波长的光强分布情况，即可直接确定所述法拉第旋光器中的法拉第片的中心波长，即旋转45°对应的中心波长。本发明系统可以实现法拉第中心波长的精确自动测量，测量人员只需要放入法拉第片，中心波长即可直接读出，对放置角度没有任何要求，可以有利于自动化导入，是一种高效、快捷、直接的法拉第中心波长测量系统。
一种法拉第中心波长测量系统

[发明专利]法拉第旋转反射镜及光纤干涉仪-CN201410146502.5有效
发明人：陈达鑫;李林虎;周风晴;赵泽雄;毛宏伟;乔金元 -专利权人：珠海保税区光联通讯技术有限公司
申请日： 2014-04-11 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： G02B27/28 文献下载
摘要：本发明提供一种法拉第旋转反射镜及光纤干涉仪，法拉第旋转反射镜包括准直器，准直器的出射端设有法拉第旋转器，法拉第旋转器的出射端设有反射镜，其中，准直器的出射端与法拉第旋转器之间设有偏振分光合光器件，法拉第旋转器位于偏振分光合光器件的一个出射光路上，且光束经过法拉第旋转器后偏振态旋转90°，法拉第旋转器的出射端与反射镜之间设有聚焦透镜。光纤干涉仪具有两条干涉臂，每一条干涉臂上设有上述的法拉第旋转反射镜。本发明提供的法拉第旋转反射镜适用波长范围宽，且对温度变化不敏感，光纤干涉仪的信噪比高。
法拉第旋转反射光纤干涉仪

[实用新型]一种测量电子束束斑尺寸的测量装置-CN201120326643.7有效
发明人：赵健;夏忠平;张学渊;钟伟杰 -专利权人：上海显恒光电科技股份有限公司
申请日： 2011-09-01 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： G01B7/00 文献下载
摘要：一种测量电子束束斑尺寸的测量装置，包括辅助偏转系统、法拉第筒、与法拉第筒连接的电流测量系统，辅助偏转系统与法拉第筒之间设有辅助法拉第筒，辅助法拉第筒的底部设有倾斜的槽口，槽口联通辅助法拉第筒的顶部。辅助法拉第筒的两端连接电流测量系统。由于采用上述技术方案，本实用新型可以有效减少刀口散射产生的测量误差，且实施简单方便。
一种测量电子束尺寸装置

[发明专利]法拉第系统和包括该法拉第系统的离子注入设备-CN200610084625.6有效
发明人：朴炳铉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-05-19 - 公布日： 2007-03-28 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：公开了一种法拉第系统，其中该法拉第系统包括用于聚集离子束以产生电流的法拉第筒，用于邻近于法拉第筒的入口形成电场，以防止响应于离子束从法拉第筒释放二次电子的抑制电极，以及围绕法拉第筒和抑制电极以及包括大量孔径的外壳
法拉第系统包括离子注入设备

[实用新型]一种帽型法拉第环结构-CN202320841941.2有效
发明人：黄俊达 -专利权人：黄俊达
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H04R9/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及技术领域，公开了一种帽型法拉第环结构，包括扬声器，扬声器的导磁柱上设有帽形法拉第环。帽形法拉第环的内腔顶部通过胶水盖设在扬声器的导磁柱顶部。帽形法拉第环内设有内层，且内层与帽形法拉第环的内腔顶部之间形成有空腔，内层通过胶水设在导磁柱顶部，内层上设有内散热孔，帽形法拉第环的顶部设有与空腔连通的进气孔，帽形法拉第环的侧壁上阵列有若干与空腔连通的出气孔该帽形法拉第环因其帽形结构的特点，直接把锥形振膜取下就可以安装或拆卸帽形法拉第环，安装或拆卸不受上下夹板结构的局限，有利于设备的调试工作。同时，帽形法拉第环增高了导磁柱，不仅可降低二次谐波失真，而且可起到高频的提升作用。
一种法拉第结构

[实用新型]一种基于微通道板的飞行时间质谱仪检测器-CN201020634520.5无效
发明人：李海洋;花磊;侯可勇;陈平;李杭;渠团帅 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2010-11-30 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： H01J49/40 文献下载
摘要：本实用新型涉及质谱分析仪器，具体的说是一种基于微通道板的飞行时间质谱仪检测器，包括第一级微通道板、第二级微通道板、锥体法拉第盘、法拉第盘屏蔽筒；第一级微通道板、第二级微通道板、锥体法拉第盘依次相互间隔、同轴、平行设置，锥体法拉第盘的锥体底面靠近第二级微通道板；法拉第盘屏蔽筒环绕于锥体法拉第盘外部，并与锥体法拉第盘间同轴设置、它们之间设有空隙；锥体法拉第盘与法拉第盘屏蔽筒之间形成的输出阻抗为50Ω，与锥体法拉第盘后连接的
一种基于通道飞行时间质谱仪检测器

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