[发明专利]法拉第系统和包括该法拉第系统的离子注入设备有效
| 申请号： | 200610084625.6 | 申请日： | 2006-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN1937166A | 公开（公告）日： | 2007-03-28 |
| 发明（设计）人： | 朴炳铉 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01J37/147;H01J37/304;H01L21/265 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种法拉第系统，其中该法拉第系统包括用于聚集离子束以产生电流的法拉第筒，用于邻近于法拉第筒的入口形成电场，以防止响应于离子束从法拉第筒释放二次电子的抑制电极，以及围绕法拉第筒和抑制电极以及包括大量孔径的外壳，其中每个孔径适合于有选择地接收包括相应的导电杂质类型的离子束。 | ||
| 搜索关键词： | 法拉第 系统 包括 离子 注入 设备 | ||
【主权项】：
1.一种法拉第系统，包括：法拉第筒，用于聚集离子束并产生相应电流；抑制电极，用于邻近于法拉第筒的入口形成电场，以防止响应于离子束从法拉第筒释放二次电子；以及围绕法拉第筒和抑制电极并包括大量孔径的外壳，其中每个孔径适合于有选择地接收包括相应的导电杂质类型的离子束。
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