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[发明专利]单晶的制造方法和装置以及单晶硅锭-CN201910827245.4有效
发明人：十河慎二;杉田圭谦;佐藤利行 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： C30B13/12 文献下载
摘要：本发明提供基于FZ法的单晶的制造方法和单晶制造装置以及单晶硅锭，所述FZ法能够提高具有所期望的电阻率且电阻率的面内分布均匀的单晶的制造成品率。本发明所涉及的单晶的制造方法的特征在于：该方法是基于FZ法的单晶的制造方法，所述FZ法采用了边向熔融区域4喷射掺杂气体边进行单晶3的培育的气体掺杂法，其中，周期性地增减供给至熔融区域4的掺杂气体的流量。
制造方法装置以及单晶硅

[发明专利]一种自助熔剂法生长锑化镓单晶的方法-CN202310809211.9在审
发明人：宋文海;赵玉;罗轩;朱相德;孙玉平 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种自助熔剂法生长锑化镓单晶的方法，即以采用镓(Ga)或锑(Sb)作为自助熔剂来生长GaSb单晶，该自助熔剂法克服了采用液封直拉法和垂直布里奇曼法等方法生长GaSb单晶所出现的问题，提升了GaSb单晶的结晶完整性和元素分布均匀性，从而大大提高了GaSb单晶的迁移率，使GaSb单晶质量大为提升。
一种自助熔剂生长锑化镓单晶方法

[发明专利]一种利用电场辅助固相法单晶快速生长的方法-CN202310928985.3在审
发明人：马百胜;蒋文;谢绍中;朱艳 -专利权人：东莞理工学院
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C30B1/02 文献下载
摘要：本发明属于固相法单晶体生长技术领域，具体涉及一种利用电场辅助固相法单晶快速生长的方法，所述方法在利用固相法制备单晶的过程中，通过施加电场辅助热处理加快固相法单晶生长速度。采用该方法可在减少复杂体系的元素挥发，使单晶成分均匀可控的基础上，使单晶生长速度提升。
一种利用电场辅助固相法单晶快速生长方法

[发明专利]透明单晶AlN的制备方法及衬底、紫外发光器件-CN201811255896.2有效
发明人：刘乃鑫;魏同波;魏学成;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种透明单晶AlN的制备方法及衬底、紫外发光器件，其中，透明单晶AlN的制备方法包括：在PVT法生长的AlN单晶衬底上生长一层牺牲层，该牺牲层为：导电的多孔结构、热应力自分解的多孔结构或者低温生长得到的多晶缓冲层；在牺牲层上通过HVPE法生长单晶AlN；以及通过电化学腐蚀或激光剥离将牺牲层去除，或者直接利用热应力使牺牲层实现自分离，得到分离开的PVT法生长的AlN单晶衬底和HVPE法生长的单晶AlN。只需要对较薄的牺牲层进行简单去除，快速有效，同时避免了CMP带来的氧化问题，且PVT法生长的AlN单晶衬底得以保留，实现回收利用，有效降低了透明单晶AlN衬底材料的制作成本。而HVPE法生长的单晶AlN在紫外波段透射率高，更适合于制备紫外发光器件。
透明 aln 制备方法衬底紫外发光器件

[实用新型]一种降低直拉法生产单晶硅拉晶功率的导气筒-CN201721802617.0有效
发明人：杨东;梁永生;冉瑞应;李博一;金雪 -专利权人：银川隆基硅材料有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开的一种降低直拉法生产单晶硅拉晶功率的导气筒，包括设置于单晶炉内排气孔位置的导气筒体，导气筒体上设置有用于向单晶炉内反射热量的反射片。本实用新型一种降低直拉法生产单晶硅拉晶功率的导气筒安装于单晶炉的排气孔处，利用导气筒体上的钼片将热量反射回单晶炉炉膛内再次利用，有效避免了热量散失，从而降低了直拉法生产单晶硅的有效运行功率。
导气筒单晶硅单晶炉直拉法拉晶本实用新型炉膛生产内排气孔排气孔处热量反射热量散失有效运行再次利用反射片内反射钼片

[发明专利]一种原位监测物理气相沉积法生长单晶微观缺陷的方法-CN202111643917.X在审
发明人：王蓉;张俊然;皮孝东;杨德仁 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G01N23/207 文献下载
摘要：本发明公开了一种原位监测物理气相沉积法生长单晶微观缺陷的方法，使用X射线衍射观测PVT生长炉，采用面探测器收集单晶散射的高能XRD信号，获得的XRD谱用于分析单晶的结晶度、应力与位错密度。本发明采用高能X射线原位监测PVT法生长单晶过程中的晶体缺陷产生过程和晶体质量分析；对PVT法生长单晶过程并无影响。
一种原位监测物理沉积生长微观缺陷方法

[发明专利]一种利用边缘金属掩膜技术制备氮化镓单晶衬底的方法-CN202210851067.0有效
发明人：王新强;刘放;刘强;郭昱成;王涛;吴洁君;沈波;张国义 -专利权人：北京大学
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用边缘金属掩膜技术制备氮化镓单晶衬底的方法。本发明采用在复合外延基板上制备金属掩膜环，限域外延生长GaN单晶牺牲层，再通过原位温差梯度法，利用单晶石墨烯的层间解耦分离得到自支撑的GaN单晶牺牲层，然后扩径外延得到GaN单晶厚膜，最后化学机械法修整GaN单晶厚膜，得到无应力的自支撑GaN单晶衬底；金属掩膜环与氢化物气相外延法氮化镓单晶制备工艺兼容性良好，对氮源分解反应具有高效催化作用，禁止GaN单晶厚膜的边缘生长的同时提高GaN单晶衬底的晶体质量并增大曲率半径；GaN单晶牺牲层与复合外延基板利用单晶石墨烯的层间解耦分离，最终得到的自支撑GaN单晶衬底中无失配应力积聚与缩径问题。
一种利用边缘金属膜技术制备氮化镓单晶衬底方法

[发明专利]一种自驱动钙钛矿横向单晶异质结光电探测器及制备方法-CN202210986661.0在审
发明人：陈志亮;张虎;杨良盼;曾玮;王思亮;桂鹏彬;黄志祥 -专利权人：安徽大学
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明公开一种自驱动钙钛矿横向单晶异质结光电探测器及制备方法，包括以下步骤：1)采用逆温结晶法获得α‑FAPbI3单晶种子，并利用逆温结晶法结合种子限域法将所得α‑FAPbI3单晶种子生长成α‑FAPbI3单晶薄片；2)利用逆温结晶法结合种子限域法通过液相外延工艺在所述的α‑FAPbI3单晶薄片上外延生长MAPbI3单晶薄片，形成环形的横向单晶异质结，横向单晶异质结上表面的两侧使用金属Ag作为顶部电极
一种驱动钙钛矿横向单晶异质结光电探测器制备方法

[发明专利]直拉法生长单晶硅中利用氮-氩混合气体除杂-CN201010292543.7有效
发明人：江国庆 -专利权人：江国庆
申请日： 2010-09-26 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：直拉法生长单晶硅中利用氮-氩混合气体除杂。屈半导体分离技术领域，单晶炉直拉式生产单晶硅棒(碇)过程中会存有多种杂质，其中氧是直拉法生长单晶硅中的主要杂质，由于氧的存在严重影响单晶硅的品质，本发明采用在高纯度的氩气中加入微量的氮气，用它们的混合气体来作保护气体，以去除直拉法生长单晶硅过程中的氧，氮-氩混合气体使炉内保持低压、惰性气氛，促使SiO的蒸发，随着SiO的蒸发量增大而降低硅熔体中的氧含量，加大混合气体的流速，能使反应气体、反应粉末和反应液体迅速排出单晶炉；本发明主要应用于直拉法生长单晶硅中的除杂，它效果好，提高了硅单晶的品质，达到高质量的单晶的生长。
直拉法生长单晶硅利用混合气体

[发明专利]氮化镓(11-22)单晶衬底及其制备方法-CN202110073153.9有效
发明人：任玉娇;刘宗亮;徐科 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-01-20 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种半极性氮化镓(11‑22)单晶衬底及其生长方法。所述的方法包括：先以助熔剂法初步生长具有(11‑22)面的氮化镓体单晶，再以初步生长形成的所述具有(11‑22)面的氮化镓体单晶作为籽晶并通过助熔剂法进行氮化镓体单晶的液相外延生长，从而获得(11‑22)面氮化镓单晶衬底。本发明实施例提供的一种利用助熔剂法生长半极性氮化镓(11‑22)单晶衬底的方法，通过控制生长条件来调控横向和纵向的晶体的合并，从而获得半极性面单晶。
氮化 11 22 衬底及其制备方法

[实用新型]一种实验室用扩散法单晶生长装置-CN202120057809.3有效
发明人：李焱;陈红余;李平;苏燕 -专利权人：山东第一医科大学（山东省医学科学院）
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： C30B7/02 文献下载
摘要：本实用新型是一种实验室用扩散法单晶生长装置，包括单晶生长室、反溶液室和密封盖。在单晶生长室中溶解相应的可溶性固体，在反溶液室中放入易挥发的且晶体在该溶液中易析出的溶剂，盖上密封盖，为扩散法单晶生长提供环境。通过反溶液室中溶剂的蒸气扩散到单晶生长室中，同时单晶生长室中溶剂的蒸气也会扩散到反溶液室中，为晶体生长提供过饱和动力。本实用新型为扩散法单晶的生长提供了一种简单可行的装置。
一种实验室扩散法单晶生长装置

[发明专利]单晶硅锭的制造方法-CN202011111507.6在审
发明人：琴浦荣一郎 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：提供使用多提拉法的CZ法中通过抑制石英坩埚的内表面的粗糙来抑制单晶硅锭的有位错化从而能够提高成品率的单晶硅锭的制造方法。本发明的单晶硅锭的制造方法的特征在于，在使用多提拉法的CZ法中，具备将提拉的单晶硅锭从硅融液切开后对残留于石英坩埚内的前述硅融液施加磁场的磁场施加工序。
单晶硅制造方法

[发明专利]一种基于ANN的提拉法单晶硅固液界面的预测方法-CN202010146317.1有效
发明人：齐小方;王艺澄;姚亮;黄振华 -专利权人：包头美科硅能源有限公司;江苏美科太阳能科技股份有限公司
申请日： 2020-03-05 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于ANN的提拉法单晶硅固液界面的预测方法。该方法首先采用有限体积法建立提拉法单晶硅生长炉的二维全局传热数值模型；开展各工艺参数下的数值模拟，收集单晶硅生长的模拟数据并整理成数据集。再将数据集划分为训练集和测试集两部分，进行归一化处理，确定机器学习算法，建立提拉法单晶硅质量的预测模型，并评估该模型的可靠性。然后，利用预测模型计算单晶硅生长质量，并在测试集上评价预测结果。本发明可快速找出影响提拉法单晶硅质量的关键因素，并准确预测关键因素下的晶体质量，从而获得合适的生长条件，提高研发效率，节省经费，生长出大尺寸、高品质的单晶硅。
一种基于 ann 提拉法单晶硅界面预测方法

[发明专利]一种使用区域连续铸造法制作硅单晶的方法-CN201210357823.0无效
发明人：丁欣 -专利权人：丁欣
申请日： 2012-09-21 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明涉及硅单晶晶体生长。对于硅单晶，传统上使用直拉法或区熔法拉制单晶。近些年，也兴起使用铸锭炉进行铸造单晶的生产。本发明提供一种使用区域连续铸造法，使用未经破碎的普通西门子还原法制作的多晶硅棒作为原料，设置籽晶进行单晶铸造的方法。本发明旨在发明一种成本接近传统铸锭，但质量接近区熔单晶的硅单晶制造技术。
一种使用区域连续铸造法制作硅单晶方法

[发明专利]一种基于液相外延法生长的紫外单晶荧光薄膜-CN201310097906.5无效
发明人：赵健;钟伟杰;夏忠平 -专利权人：上海显恒光电科技股份有限公司
申请日： 2013-03-25 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： C09K11/80 文献下载
摘要：一种基于液相外延法生长的紫外单晶荧光薄膜，包括一单晶荧光薄膜，所述单晶荧光薄膜是基于液相外延法生长的多激活中心参杂的紫外单晶荧光薄膜，所述紫外单晶荧光薄膜受电子束激发后发射紫外光。单晶荧光薄膜具有很好的抗电子束灼伤能力，在入射能量达到10～30KVe时无淬灭灼伤现象发生，是一种理想的紫外单晶发光材料。
一种基于外延生长紫外荧光薄膜

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