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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]沟槽蚀刻工艺的仿真方法及装置、存储介质、终端-CN202211713628.7有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：全芯智造技术有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：一种沟槽蚀刻工艺的仿真方法及装置、存储介质、终端，方法包括：采用多个预设时长，对多个具有初始蚀刻沟槽的第一样品分别进行各向同性蚀刻处理，以得到蚀刻沟槽；根据各个蚀刻沟槽的剖面形貌，确定西格玛沟槽形貌的形成时长；根据各个蚀刻沟槽的剖面尺寸以及所述初始蚀刻沟槽的宽度和深度，确定在所述形成时长之内的一个或多个晶向上的第一蚀刻速率以及在所述形成时长之后的一个或多个晶向上的第二蚀刻速率；将待仿真时长、待仿真沟槽的尺寸与所述第一蚀刻速率、第二蚀刻速率代入预设的蚀刻仿真模型，以得到仿真后沟槽的沟槽蚀刻仿真尺寸。本发明可以提高对沟槽尺寸的预测准确性，降低成本和减少耗费时间。
沟槽蚀刻工艺仿真方法装置存储介质终端

[发明专利]用于减少浅沟槽隔离中的锥体形成的选择性蚀刻-CN201880070450.4在审
发明人： K·H·R·基尔姆泽;J·P·戴维斯 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：为了制造在浅沟槽形成期间减少或最小化沟槽锥体的数量的浅沟槽隔离结构，单独的蚀刻步骤蚀刻特征尺寸小的浅沟槽和特征尺寸大的浅沟槽。例如，利用第一蚀刻参数在衬底的第一区域中蚀刻第一浅沟槽(316)，并且利用不同于所述第一蚀刻参数的第二蚀刻参数在衬底的第二区域中蚀刻第二浅沟槽(326)。所述蚀刻参数可以包含硅与有助于锥体形成的蚀刻延缓剂的蚀刻选择性比率。由于所述单独的蚀刻步骤(316，326)，所述第一浅沟槽与所述第二浅沟槽之间的侧壁斜率偏差可以处于几度内。
用于减少沟槽隔离中的锥体形成选择性蚀刻

[发明专利]在半导体衬底中蚀刻沟槽的方法-CN200610089856.6无效
发明人：马丁·乌尔里希·古切;托马斯·黑希特;哈拉尔德·塞德尔;乌韦·鲁道夫;巴巴拉·洛伦茨;伊丽莎白·韦克曼 -专利权人：亿恒科技股份公司
申请日： 2006-04-06 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明涉及一种在半导体衬底中蚀刻沟槽的方法。更确切地说，本发明涉及一种蚀刻深沟槽的方法，例如纵横比为30和更高的深沟槽。根据本发明的实施方案，在半导体衬底上蚀刻沟槽的方法包括其中将沟槽蚀刻至第一深度的第一蚀刻循环。之后，在所述沟槽的侧壁的至少上部沉积保护衬层。所述保护衬层包括无机材料。经过至少一次第二蚀刻循环，该沟槽被蚀刻至其最终深度。
半导体衬底蚀刻沟槽方法

[发明专利]Y-型深沟槽的蚀刻方法以及深沟槽隔离结构的制作方法-CN202010723349.3在审
发明人：杨扬;任丙振;李虎子 -专利权人：和舰芯片制造（苏州）股份有限公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种Y‑型深沟槽的蚀刻方法，所述Y‑型深沟槽包括V‑型顶部和位于所述V‑型顶部下方的I‑型底部，所述方法包括：通过使蚀刻气体渐变在待蚀刻基底上蚀刻出所述V‑型顶部；以及通过使蚀刻气体保持恒定在所述V‑型顶部下方蚀刻出I‑型底部。本发明通过简单地控制蚀刻气体(特别是蚀刻气体的流速)通过两步蚀刻步骤蚀刻出特殊形状的Y‑型深沟槽。本发明提供的Y‑型深沟槽的蚀刻方法实施简单，易于控制，无需对现有设备进行过多改造，而且两步蚀刻步骤之间转换简单。此外，本发明还提供一种深沟槽隔离结构的制作方法以及一种在基底上形成倾斜槽的干蚀刻方法。
深沟蚀刻方法以及隔离结构制作方法

[发明专利]在半导体装置中形成不同深度沟槽的方法-CN201310055432.8有效
发明人：陈刚;毛杜立;戴幸志;霍华德·E·罗兹 -专利权人：全视科技有限公司
申请日： 2013-02-21 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及用于在半导体装置中形成不同深度沟槽的方法。一种在半导体装置中形成沟槽的方法包含在半导体层的第一部分上方形成蚀刻剂阻挡层。使用第一蚀刻剂在所述半导体层的第二部分中蚀刻第一沟槽。所述半导体层的所述第二部分未安置于所述蚀刻剂阻挡层下方。使用第二蚀刻剂蚀刻穿透所述蚀刻剂阻挡层，所述第二蚀刻剂不会实质上蚀刻所述半导体层。使用第三蚀刻剂在所述半导体层的所述第一部分中蚀刻第二沟槽。所述第三蚀刻剂还延伸所述第一沟槽的深度。
半导体装置形成不同深度沟槽方法

[发明专利]在硅基体中蚀刻沟槽的方法及其应用-CN201811456891.6在审
发明人：钱炜彬 -专利权人：宁波比亚迪半导体有限公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供了在硅基体中蚀刻沟槽的方法及其应用。该在硅基体中蚀刻沟槽的方法包括：在硅基体的上表面上形成保护图案；利用干法蚀刻对所述硅基体未被所述保护图案覆盖的上表面进行蚀刻，其中，所述干法蚀刻采用的蚀刻混合气体中含有氯气、溴化氢和氦氧气体。该方法操作简单、方便，容易实现，易于工业化生产，在实现较窄的沟槽宽度时也可以得到需求的沟槽深度，所形成的沟槽接近垂直、无损伤、平坦光滑，且纵横比高。
基体蚀刻沟槽方法及其应用

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201680056441.0在审
发明人：小川晃;野田理崇;吉冈彻雄;清水悠平 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2016-09-09 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种进行在半导体层(11)的厚度方向上形成沟槽(20)的沟槽蚀刻、形成隔着沟槽而彼此的侧壁(16a，18a)相对置的第一图案部(16)及第二图案部(18)这两个图案部的半导体装置的制造方法，沟槽蚀刻中，在半导体层的表面形成保护膜(4)并且将半导体层蚀刻而除去，在沟槽蚀刻中，以做成使第一图案部和第二图案部成为相同电位或相同温度的构造的方式进行沟槽蚀刻。
半导体装置制造方法

[发明专利]微电子组件及其形成方法-CN200680036351.1有效
发明人：比什努·P·戈戈伊 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2006-09-27 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：该方法包括：在半导体衬底(20)上形成第一沟槽(28)和第二沟槽(30)；用蚀刻停止材料(42)填充第一沟槽(28)和第二沟槽(30)；在半导体衬底(20)上面形成电感器(56)；在蚀刻停止层(42)和半导体衬底(20)的至少一个中形成蚀刻孔(60)，以暴露出在第一沟槽(28)与第二沟槽(30)之间的衬底(20)；通过蚀刻孔(60)，各向同性地蚀刻在第一沟槽(28)与第二沟槽(30)之间的衬底(20)，以在衬底(20)中形成穴(66)；以及在蚀刻孔(60)上面形成密封层(70)以将穴密封。
微电子组件及其形成方法

[发明专利]全部在一整合蚀刻中的金属硬掩模-CN201280072908.2有效
发明人：程宇;黄举文;裴慧远;刘建刚;崔英辰;王亮 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2012-05-02 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： C23F1/02 文献下载
摘要：部分通孔通过通孔掩模被蚀刻到介电层中。沟槽通过沟槽掩模被蚀刻到介电层中，其中蚀刻沟槽完成并过蚀刻通孔以拓宽通孔的底部。沟槽或通孔的顶部被整圆。
全部整合蚀刻中的金属硬掩模

[发明专利]具有沟槽式栅极的半导体装置及其制造方法-CN200610008851.6有效
发明人：林瑄智;程谦礼;李中元;林正平;李培瑛 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2006-02-22 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种具有沟槽式栅极的半导体装置的制造方法，首先，提供一半导体基底，其表面具有一沟槽蚀刻掩膜，其次，利用该沟槽蚀刻掩膜为遮蔽物，并蚀刻该半导体基底，以形成一沟槽，然后，经由该沟槽掺入掺杂剂于该半导体基底以形成一掺杂区域蚀刻位于该沟槽底部的该半导体基底，以在该沟槽的底部形成一延伸部，然后，在该沟槽及该延伸部形成一栅极绝缘层，并且，在该沟槽及该延伸部之中形成一沟槽式栅极。
具有沟槽栅极半导体装置及其制造方法

[发明专利]在基板中形成沟槽的方法-CN201210286423.5有效
发明人：陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2012-08-13 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：在本发明一实施例中，提供一种在基板中形成沟槽的方法，包括提供基板，其上依序形成有掩膜层、牺牲层、以及图案化光阻层；以图案化光阻层为掩膜，进行第一蚀刻工艺以在该牺牲层中形成沟槽。对第一蚀刻工艺进行终点检测，并在检测到掩膜层的信号后停止蚀刻；进行第二蚀刻工艺使得该沟槽延伸进入掩膜层中，并在检测到基板的信号后停止蚀刻；以及进行一第三蚀刻工艺使得该沟槽延伸进入该基板中形成沟槽，并在再次检测到掩膜层的信号后停止蚀刻，使得牺牲层被完全移除，其中，该牺牲层的蚀刻速率大抵等于基板的蚀刻速率。本发明可有效地利用终点检测装置在基板中形成具有特定深度的沟槽。
基板中形成沟槽方法

[发明专利]沟槽栅蚀刻方法-CN201510043716.4在审
发明人：文高;杨鑫著;肖强;蒋明明;易鹏程 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2015-01-28 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种沟槽栅蚀刻方法，包括：步骤一：在硅衬底的表面上形成掩膜，穿过掩膜朝向硅衬底的内部蚀刻成沟槽，掩膜的与沟槽的侧壁相邻的区域形成环绕区，步骤二：垂直于沟槽的侧壁而蚀刻环绕区，在蚀刻后的环绕区的边缘和沟槽的顶角之间形成第一预定距离的台阶，步骤三：向硅衬底的经步骤二处理后的表面上涂覆保护层，步骤四：除去环绕区和台阶上的保护层，并且除去沟槽内的部分的保护层，直到沟槽内的保护层的表面与沟槽的顶角为第二预定距离，步骤五：在保护层和蚀刻后的环绕区的保护下，将台阶蚀刻为圆滑的边缘。根据本发明的方法，形成沟槽后向沟槽内填充了保护层。在对顶角进行圆化处理时，能够防止沟槽壁被破坏。
沟槽蚀刻方法

[发明专利]蚀刻侧壁的方法及形成半导体结构的方法-CN200310101461.X有效
发明人：刘裕腾 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2003-10-20 - 公布日： 2005-04-27 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供一种蚀刻侧壁的方法及形成半导体结构的方法，其中，蚀刻侧壁的方法首先提供一具有沟槽的基底，且沟槽的开口、侧壁及底部具有填充物质。接着，藉由防止蚀刻剂与沟槽底部填充物质之间的反应，将沟槽的开口及侧壁上的填充物质去除，以留下沟槽底部的填充物质。防止蚀刻剂与沟槽底部填充物质间的反应的方法，主要是利用在沟槽底部的填充物质形成气泡的方法来进行；其中，气泡是藉由将基底反转后浸泡在蚀刻剂中的方法来形成。本发明的方法可去除造成沟槽开口封闭的物质，但不会移除沟槽底部的物质，并让沟槽被完全填满。
蚀刻侧壁方法形成半导体结构

[发明专利]可控制结构尺寸的重力液态蚀刻方法-CN200510072280.8有效
发明人：林韦至;张惠玲;蔡晴翔;梁兆钧;谢建文;李裕文 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2005-05-27 - 公布日： 2006-11-29 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种可控制结构尺寸的重力液态蚀刻方法，是一种使用对立蚀刻槽与蚀刻停止液体搭配，达到芯片级的组件微结构尺寸控制的技术。而控制的技术，则是在芯片两面，分别蚀刻一组包围组件的对立沟槽，而在芯片正面，与组件微结构同面的沟槽，深度则等同于所需求的微结构尺寸；反之在芯片背面的沟槽深度，则无须特别定义，只须待最后待组件释放的同时，背面的沟槽蚀刻与正面沟槽接触时，组件将会由整片芯片上自动分离，由原本的蚀刻液中，落入下层的作为蚀刻停止液体的二碘甲烷中，进而停止蚀刻，借此达到组件微结构尺寸的控制。
控制结构尺寸重力液态蚀刻方法

[发明专利]一种改善深沟道隔离槽填充效果的方法-CN202010838759.2在审
发明人：李虎子;刘凡;杨杰 -专利权人：和舰芯片制造（苏州）股份有限公司
申请日： 2020-08-19 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种改善深沟道隔离槽填充效果的方法，包括：步骤1：单面抛光硅片，氧化生成氧化硅垫层；步骤2：在硅片上依次沉积氮化硅层、氧化硅层；步骤3：光刻，形成图形化窗口；步骤4：干蚀刻，形成氧化硅沟槽，之后去除氧化硅层表面的光刻胶；步骤5：干蚀刻，形成硅深沟槽；步骤6：湿蚀刻，蚀刻硅深沟槽的开口处的氮化硅层；步骤7：对步骤6处理后的硅深沟槽进行后处理。本发明的方法在硅深沟槽蚀刻前去除了氧化硅硬掩模底部开口处的氮化硅，方便蚀刻出利于填充二氧化硅的硅深沟槽；还在硅深沟槽蚀刻后先后去除了开口处残留氮化硅层和二氧化硅层，扩大开口，后续绝缘物质填充更为顺利。
一种改善深沟隔离填充效果方法

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