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[发明专利]薄膜沉积系统及其方法-CN202210157927.0在审
发明人：郑有翔;吴哲玮 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：一种薄膜沉积系统及其方法，薄膜沉积系统包含定位于晶圆之上且用以在薄膜沉积制程期间产生电浆的顶板。薄膜沉积系统包含感测器，感测器用以产生指示薄膜沉积系统的组件的寿命、由薄膜沉积系统沉积的薄膜的特性或流入薄膜沉积系统中的制程材料的特性的感测器信号。薄膜沉积系统包含控制系统，控制系统用以回应于感测器信号在薄膜沉积制程期间调整薄膜沉积系统顶板相对于薄膜沉积系统中晶圆位置的相对位置。
薄膜沉积系统及其方法

[发明专利]薄膜沉积系统以及沉积薄膜的方法-CN202011503282.9有效
发明人：郑文豪;戴逸明;陈彦羽;朱玄之 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：一种薄膜沉积系统以及沉积薄膜的方法，薄膜沉积系统在一薄膜沉积室中在一基板上沉积一薄膜。该薄膜沉积系统通过使一流体流入该薄膜沉积室中来沉积该薄膜。该薄膜沉积系统包括一副产物感测器，该副产物感测器感测一排放流体中的该流体的副产物。该薄膜沉积系统基于这些副产物来调整该流体的流动速率。
薄膜沉积系统以及方法

[发明专利]薄膜沉积设备、物理气相沉积装置以及薄膜沉积方法-CN202111283138.3有效
发明人：程厚义;艾梅尔;李成;杜寅昌;赵巍胜;姚宇暄;许人友;汪建;王燕 -专利权人：北京航空航天大学合肥创新研究院（北京航空航天大学合肥研究生院）
申请日： 2021-11-01 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜沉积设备、物理气相沉积装置以及薄膜沉积方法，薄膜沉积设备包括用于提供薄膜沉积环境的薄膜沉积腔体，用于固定基片且可实现X、Y、Z三维移动，360度连续旋转并调整角度的样品架，用于在所述基片上沉积薄膜且可伸缩并调整角度的若干沉积模块，用于监测薄膜的生长过程和状态的反馈模块，以及用于接收所述反馈模块的反馈信息并根据所述反馈信息对所述沉积模块和/或样品架进行控制的控制模块。该薄膜沉积设备可实现薄膜沉积和反应参数的自动调整，对沉积条件进行优化，可以自动调节薄膜的生长调节和反应条件从而制备高质量的薄膜，并针对特点的材料选择最优的沉积条件，实现薄膜沉积过程的闭环控制，获得高性能沉积薄膜
薄膜沉积设备物理装置以及方法

[发明专利]薄膜沉积装置、薄膜沉积方法及薄膜沉积设备-CN202211066276.0在审
发明人：王晖;张山;王俊;张晓燕;贾社娜;沈辉;王坚;金京俊;李翰相;白晛祐;金在鹤;金泳律 -专利权人：盛美半导体设备(上海)股份有限公司;盛美半导体设备韩国有限公司;清芯科技有限公司
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明揭示了一种薄膜沉积装置，包括：处理腔室；气体供应组件，设置于处理腔室顶壁；加热托盘，设置于气体供应组件下方，用于承载并加热基板；射频源；旋转机构，控制基板旋转或者加热托盘旋转或者基板与加热托盘同步旋转本发明补偿了基板上沉积的薄膜厚度的不均匀，实现了PECVD层堆栈结构薄膜沉积的均匀性和稳定性，避免了基板上沉积的薄膜在后续刻蚀工艺过程中刻蚀通孔偏离垂直方向的现象，从而进一步保证了半导体器件性能的稳定性
薄膜沉积装置方法设备

[发明专利]一种薄膜沉积设备和薄膜沉积方法-CN201710337765.8在审
发明人：孙泉钦;杨晓东;肖昂;李国伟;吴虹见;张杨扬 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2017-05-15 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜沉积设备和薄膜沉积方法，该薄膜沉积设备包括一薄膜沉积腔室；基板承载部件，设置于所述薄膜沉积腔室内，用于承载待进行薄膜沉积的基板；掩膜版固定部件，用于固定一掩膜版，所述掩膜版包括遮挡区和开口区，所述开口区用于允许待沉积的薄膜材料通过；位置调整部件，用于根据待沉积的薄膜的尺寸，调整所述掩膜版与所述基板之间的间距，以在所述基板上沉积不同尺寸的薄膜，所述不同尺寸包括薄膜在所述基板上的正投影的面积不同本发明中，采用一薄膜沉积设备和一掩膜版可沉积不同尺寸的薄膜。
一种薄膜沉积设备方法

[发明专利]一种薄膜沉积方法及半导体器件-CN202110753708.4在审
发明人：杨蒙蒙;王晓玲 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本申请公开了一种薄膜沉积方法及半导体器件。本申请中的薄膜沉积方法包括：提供基底；采用薄膜沉积技术在基底上进行薄膜沉积形成第一沉积层；通入清除气体，对第一沉积层进行清除杂质处理，形成净化沉积层；由净化沉积层形成薄膜层。本申请中的薄膜沉积方法采用薄膜沉积技术形成沉积层，并对沉积层进行杂质处理，使形成的薄膜层的杂质含量大大降低。将该薄膜层覆盖在栅极表面制备成半导体器件，可以更好得保护栅极，显著提高半导体器件的寿命。
一种薄膜沉积方法半导体器件

[发明专利]薄膜电池制备装置及方法-CN201910022823.7有效
发明人：李致朋;区定容 -专利权人：深圳市致远动力科技有限公司
申请日： 2019-01-10 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜电池制备装置及方法，该装置包括薄膜沉积真空腔，用于在电池的衬底上沉积薄膜，薄膜沉积真空腔的数量至少为两个；真空连接腔，连接相邻两个薄膜沉积真空腔；真空阀，设于薄膜沉积真空腔和真空连接腔之间，用于控制薄膜沉积真空腔和真空连接腔的连通和关闭；传送机构，设于真空连接腔内，用于将电池从其中一个薄膜沉积真空腔内转移至相邻的薄膜沉积真空腔。本发明提供的薄膜电池制备装置，多个薄膜沉积真空腔通过真空阀及真空连接腔，并可通过传送机构将沉积后的衬底移送到相邻的薄膜沉积真空腔中，进行其他沉积，如此重复即可在不换靶材的情况下，保持电池生产的过程连续不断地进行
薄膜电池制备装置方法

[发明专利]金属薄膜沉积方法-CN202210096905.8有效
发明人：高政宁;宋文聪 -专利权人：上海陛通半导体能源科技股份有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： C23C16/14 文献下载
摘要：本发明提供一种金属薄膜沉积方法，包括步骤：提供待沉积的基底，对基底进行清洁后置于真空腔体内；待真空腔体内升温至预设温度后，于基底表面沉积金属薄膜；在同一真空腔体中于金属薄膜表面沉积硅薄膜，硅薄膜用于防止金属薄膜被氧化；其中，预设温度与硅薄膜沉积过程中的温度相同。本发明创造性地将金属薄膜的沉积过程置于硅薄膜的沉积温度下进行，在沉积金属薄膜之后连续性地于金属薄膜表面生成硅薄膜以对金属薄膜进行保护，在确保金属薄膜的性能的同时，可以防止金属薄膜在基底转移过程中被氧化污染，避免后续对金属薄膜的成分表征分析造成不良影响而影响到后续制程。
金属薄膜沉积方法

[发明专利]高密度等离子机台的预沉积方法-CN201210081665.0有效
发明人：姜剑光;徐雷军;刘峰松;陆金;陈怡骏 -专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2012-03-23 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种高密度等离子机台的预沉积方法，包括：采用第一频功率在所述高密度等离子机台的腔室内壁上沉积第一薄膜；采用第二频功率在第一薄膜上沉积第二薄膜，所述第二频功率的频率大于第一频功率。本发明采用第一频功率在腔室内壁上沉积第一薄膜，所述第一薄膜在晶片沉积工艺之前沉积，使得所述第一薄膜与腔室内壁结合性好，再采用第二频功率在第一薄膜上沉积第二薄膜，所述第二薄膜的沉积速率小于第一薄膜的沉积速率，使得所述第二薄膜致密性好，有更大的压应力，同时与后续的晶片沉积工艺更接近，从而避免了后续晶片沉积工艺对腔室内壁的刻蚀损伤，避免产生掉落的颗粒物污染晶片，同时第一薄膜和第二薄膜保护腔室内壁上的部件。
高密度等离子机台沉积方法

[发明专利]一种薄膜沉积装置及薄膜沉积方法-CN202310295674.8在审
发明人：刘知琪;秦培鑫 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种薄膜沉积装置及薄膜沉积方法，该薄膜沉积装置包括沉积腔室和位于沉积腔室内相对设置的靶材托架、基片台，靶材托架用于承载沉积目标薄膜所需的靶材，基片台用于承载待沉积目标薄膜的基片，在靶材和基片之间施加预设电压后，使通入沉积腔室内的氩气被电离为等离子体，从而轰击靶材托架上的靶材，使靶材沉积到基片上形成目标薄膜；同时，在沉积腔室的侧壁上设置有电子枪，且电子枪的枪口指向基片台表面，并与基片台表面倾斜相对，用于在目标薄膜覆盖基片后，向基片上沉积的目标薄膜发射电子束，减少或消除目标薄膜中预设晶向的晶粒，使目标薄膜中晶向取向趋于一致，制备得到高质量的单晶薄膜。
一种薄膜沉积装置方法

[发明专利]半导体沉积方法及半导体沉积系统-CN202010820397.4有效
发明人：邱立峰;张丽霞 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体沉积方法及半导体沉积系统，其中，半导体沉积方法包括：提供沉积设备，沉积设备包括用于沉积的喷淋头；检测沉积薄膜是否存在厚度缺陷，厚度缺陷包括沉积薄膜的厚度差异；获取存在厚度缺陷的位置；基于厚度缺陷的位置，调整喷淋头中出风面板的结构，以调整出风面板中出气孔与沉积薄膜间的距离。本实施例通过检测沉积薄膜是否存在厚度缺陷，判断沉积薄膜是否存在厚度差异，根据厚度缺陷的位置对应调整出风面板中出气孔的位置，从而改善沉积薄膜已出现的厚度差异，有效提高半导体衬底上沉积薄膜的厚度均匀性。
半导体沉积方法系统

[发明专利]薄膜沉积设备以及用其沉积薄膜的方法-CN201310181188.X有效
发明人：韩政洹 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2013-05-16 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：一种薄膜沉积设备和利用该薄膜沉积设备沉积薄膜的方法。该薄膜沉积设备包括：腔体，具有衬底和安装在衬底上的掩模；沉积源，向衬底供应沉积气体；以及掩模测量单元，测量腔体内的掩模的状态。
薄膜沉积设备以及方法

[发明专利]一种基于金刚石薄膜上沉积CdTe薄膜的方法-CN201210342060.2有效
发明人：苏青峰;史伟民;王林军;黄健;周平生;李杰;袁安东;钱隽 -专利权人：上海大学
申请日： 2012-09-17 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明公开一种基于金刚石薄膜上沉积CdTe薄膜的方法。具有以下工艺步骤：首先，将硅衬底/金刚石薄膜进行清洗预处理；之后，将预处理后的金刚石薄膜放入紫外臭氧清洗机中进行表面修饰与改性，降低薄膜表面的带隙与表面态，提高薄膜结合力；之后，进行CdTe薄膜沉积，沉积工艺参数：衬底温度为450～500℃，源温度为550～650℃，沉积室压强为500～1500Pa，沉积时间1～2分钟；CdTe薄膜沉积结束后CdCl2退火处理20～30分钟。通过该方法可以在金刚石薄膜表面沉积高质量的CdTe薄膜，从而实现金刚石薄膜表面CdTe薄膜的高效沉积。
一种基于金刚石薄膜沉积 cdte 方法

[发明专利]通孔刻蚀方法、集成电路制造方法和集成电路-CN201110379853.7有效
发明人：俞柳江 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-11-24 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：根据本发明的通孔刻蚀方法包括：二氧化硅薄膜沉积步骤，用于沉积一层二氧化硅薄膜；第一氮化硅薄膜沉积步骤，用于在沉积了所述碳化硅薄膜之后沉积一层第一氮化硅薄膜；第一氮化硅薄膜部分去除步骤，用于利用二氧化硅作为刻蚀停止层刻蚀PMOS器件区域的第一氮化硅薄膜；碳化硅薄膜沉积步骤，用于沉积碳化硅薄膜；第二氮化硅薄膜沉积步骤，用于沉积一层第二氮化硅薄膜；以及第二氮化硅薄膜部分去除步骤，用于利用干刻的方法去除NMOS区域的第二氮化硅薄膜
刻蚀方法集成电路制造

[发明专利]薄膜沉积装置-CN201110254713.7有效
发明人：望月佳彦;殿原浩二 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2011-08-31 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明公开一种薄膜沉积装置，包括：在输送方向上输送基材的带的输送机、设置为面对基材的薄膜沉积电极、设置在薄膜沉积电极的相对侧处的对电极、薄膜沉积气体的气体供应装置和沿所述基材的平面方向设置为围绕薄膜沉积电极的接地屏蔽薄膜沉积电极沿输送方向的上游端部比接地屏蔽沿所述基材的输送方向对应于薄膜沉积电极的上游端部的上游端部更靠近基材。
薄膜沉积装置

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