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[发明专利]一种氧化铪基铁电薄膜、制备方法及应用-CN202111621293.1在审
发明人：贾婷婷;戴文斌;蔡亚丽;于淑会;孙蓉 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本申请涉及铁电薄膜技术制备领域，具体公开了一种氧化铪基铁电薄膜、制备方法及应用。氧化铪基铁电薄膜的制备方法为：衬底预处理：采用有机溶剂对衬底进行清洗；底电极的沉积：采用物理气相沉积方式在衬底上沉积底电极；HZO薄膜沉积：采用脉冲激光沉积方式在底电极上沉积HZO薄膜；覆盖层沉积：采用脉冲激光沉积方式在HZO薄膜上沉积覆盖层；退火：在400‑800℃高温中通入20‑80mTorr氧气，保持3‑30min后使薄膜样品冷却至室温；顶电极沉积：采用物理气相沉积方式在覆盖层上沉积顶电极，形成氧化铪基铁电薄膜。本申请的氧化铪基铁电薄膜可用于制作负电容场效应晶体管，其具有铁电性性能优异的特点。
一种氧化铪基铁电薄膜制备方法应用

[发明专利]薄膜沉积装置-CN02160220.4有效
发明人：金昌男 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2002-09-13 - 公布日： 2003-06-18 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于将薄膜沉积到显示面板上的薄膜沉积装置，此装置包括一沉积源，位于该沉积源的一表面上的凹槽中储存有将要沉积在面板上的薄膜材料，一个用于加热沉积源使得薄膜材料升华的加热器，和一个装载在沉积源上以覆盖沉积源中的凹槽的蒙罩，该蒙罩具有多个孔以调节沉积在面板上的薄膜材料的沉积量。
薄膜沉积装置

[发明专利]微晶硅薄膜太阳能电池的真空热退火处理背电极技术-CN201110287896.2无效
发明人：陈宏昌;刘幼海;刘吉人 -专利权人：吉富新能源科技(上海)有限公司
申请日： 2011-09-26 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明关于一种微晶硅薄膜太阳能电池的真空热退火处理背电极技术，此技术包括玻璃、真空溅镀沉积第一透明导电层薄膜、真空溅镀沉积第一金属层薄膜、真空溅镀沉积第二金属层薄膜、真空热退火处理、与真空溅镀沉积第二透明导电层薄膜先在玻璃上依序真空溅镀沉积第一透明导电层薄膜、真空溅镀沉积第一金属层薄膜、真空溅镀沉积第二金属层薄膜、以真空热退火处理第二金属层薄膜表面平整化后、最后真空溅镀沉积第二透明导电层薄膜。本发明可将薄膜太阳能电池背电极表面平整化，进而改善微晶硅吸收层结构，提升基材型硅薄膜太阳能电池效率。
微晶硅薄膜太阳能电池真空退火处理电极技术

[发明专利]改善薄膜表面平坦度的方法-CN202211614670.3在审
发明人：刘雄 -专利权人：杭州富芯半导体有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本申请提供一种改善薄膜表面平坦度的方法，包括步骤：提供待进行薄膜沉积的衬底，获取所述衬底的表面平坦度数据；基于所述衬底的表面平坦度数据对基准薄膜沉积参数进行调节而得到预设沉积参数，所述预设沉积参数使得沉积出的薄膜表面平坦度数据和衬底的表面平坦度数据互补；依所述预设沉积参数进行薄膜沉积，以于衬底表面得到表面平坦度均匀的膜层。本申请通过基于薄膜沉积前的衬底形貌，针对具有不同的表面平坦度的区域分别制定薄膜沉积参数，可以沉积出与衬底形貌互补的膜层，可以有效改善薄膜的表面平坦度，且有助于改善薄膜和衬底之间的应力分布，有助于提高后续工艺良率
改善薄膜表面平坦方法

[发明专利]薄膜沉积装置-CN200510021233.0无效
发明人：张树人;杨成韬;刘敬松 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2005-07-11 - 公布日： 2007-01-17 - 主分类号： C23C16/46 文献下载
摘要：薄膜沉积装置，涉及一种薄膜沉积设备，特别是一种沉积腔内温度可调、基片承放台种类可换的大面积薄膜化学气相沉积设备，属于薄膜材料领域。本发明提供一种满足根据不同薄膜的生长要求、构造简单的薄膜沉积装置。本发明包括：至少两个加热装置，用于对沉积腔进行加热；沉积腔，具有气体入口和出口；基片承放台，位于沉积腔内；运动机构，使基片承放台与加热装置相对运动。本发明的有益效果是，可根据实际需要调节沉积腔内的温度梯度分布；可根据沉积薄膜的要求调节基片承放台的位置；可以高效、灵活的制备大面积薄膜和多元氧化物薄膜；设备构造简单，易于制造；操作简便。
薄膜沉积装置

[发明专利]一种金刚石薄膜手术器械及其制备方法-CN201910553061.3有效
发明人：戎非;邓剑军 -专利权人：东南大学
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种金刚石薄膜手术器械及其制备方法，该手术器械包括器械本体、沉积在器械本体表面的金刚石薄膜粘附层、以及沉积在粘附层表面的纳米金刚石薄膜层，其中，金刚石薄膜粘附层由磁控溅射物理气相沉积法沉积得到，纳米金刚石薄膜层由热丝化学气相沉积法沉积得到。其制备方法包括基材清洗、沉积金刚石薄膜粘附层、抛光和沉积纳米金刚石薄膜层四个步骤。本发明使用表面沉积金刚石薄膜的方式，结合物理气相沉积法和热丝化学气相沉积法，显著提高了金刚石薄膜在基材表面的粘附力，减少薄膜的剥离；该制备方法能适用于碳钢、不锈钢、高速钢、硬质合金等多种金属材料，大大提高手术器械的性能同时提高金刚石薄膜手术器械的使用寿命
一种金刚石薄膜手术器械及其制备方法

[发明专利]薄膜沉积装置-CN201310697963.7有效
发明人：梁皓植;卞柱舜 -专利权人：圆益IPS股份有限公司
申请日： 2013-12-18 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： C23C14/26 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜沉积装置，更详细的说根据沉积物质的蒸发，在基板形成薄膜的薄膜沉积装置。本发明公开了薄膜沉积装置的特征在于，根据薄膜沉积装置，包括：工序腔室；一个以上的蒸发源，使沉积物质蒸发，使搬运至所述工序腔室的基板上沉积薄膜；与一个以上的开关板，屏蔽在所述蒸发源蒸发的沉积物质，所述开关板，包括：基座部，沉积蒸发的沉积物质；至少一个热屏蔽部件，层叠在所述基座部上部，屏蔽在所述蒸发源蒸发沉积物质时发生的热辐射。
薄膜沉积装置沉积蒸发蒸发源工序腔室基座部开关板屏蔽基板热屏蔽部件沉积薄膜蒸发沉积热辐射薄膜搬运

[发明专利]薄膜沉积方法-CN201710086741.X在审
发明人：张同文;杨玉杰;丁培军;王厚工 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2017-02-17 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜沉积方法，包括：S1，预设沉积第一厚度薄膜的工艺参数，在该工艺参数下进行沉积；S2，将所述基片水平旋转一定角度；S3，预设沉积第二厚度薄膜的工艺参数，在该工艺参数下进行沉积；执行上述步骤S1～S3至少一次，直至沉积预设厚度的薄膜。该薄膜沉积方法可以获得厚度均匀性较好的薄膜。
沉积薄膜沉积预设厚度薄膜薄膜厚度均匀性基片水平

[实用新型]薄膜太阳能电池沉积生产设备-CN201120346696.5有效
发明人：胡兵 -专利权人：理想能源设备（上海）有限公司
申请日： 2011-09-16 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： C23C16/54 文献下载
摘要：一种薄膜太阳能电池沉积生产设备，包含传输腔、P型第一沉积腔和第二沉积腔，传输腔设置有加热装置，用于加热基板。不同的沉积腔中沉积不同类型的硅薄膜，P型硅薄膜沉积过程中残留在沉积腔中的掺杂气体不会影响I型硅薄膜沉积，从而提高薄膜太阳能的光电转换效率，传输腔中设置加热装置，用于加热基板，可以保持完成P型硅薄膜沉积的基板处于较高的温度，促进附着在基板上的掺杂气体残留挥发，进一步降低沉积P型硅薄膜沉积过程中的掺杂气体残留对I型硅薄膜沉积的影响；腔体采用叠层设置，提高了处理效率，沉积腔共用气体源和清洁源，降低了设备的生产成本。
薄膜太阳能电池沉积生产设备

[发明专利]一种薄膜沉积设备及薄膜沉积方法-CN202010535592.2有效
发明人：陈松超;徐文浩;宋月;张高升;董洪旺 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-06-12 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜沉积设备及薄膜沉积方法，该薄膜沉积设备包括反应腔室及位于反应腔室内的承载台，承载台包括位于中间的本体部以及位于本体部外围的承载环，承载台和承载环在反应腔室内相互独立地可升降。在对衬底的背面进行薄膜沉积时，提升承载环，由承载环将衬底保持在反应位置；对衬底的侧面进行薄膜沉积时，提升本体部，由本体部将衬底保持在反应位置。通过本发明的薄膜沉积设备及沉积方法实现了在同一设备中完成背面沉积及侧面沉积，大大节约了薄膜沉积的成本，并且能够避免或者有效减少衬底背面沉积的薄膜的剥离。
一种薄膜沉积设备方法

[发明专利]薄膜沉积模拟方法、装置、电子设备及存储介质-CN202210548370.3有效
发明人：祝经明;徐平;胡琅;胡强;卫红;杨振怀;郭可升;侯少毅;毕诗博;沈若尧 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G06F30/28 文献下载
摘要：本发明涉及数据模拟分析技术领域，具体公开了一种薄膜沉积模拟方法、装置、电子设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：设定代表薄膜凝固情况的第一相场参量及代表输入蒸汽局部密度的第二相场参量；根据第一相场参量和第二相场参量建立用于模拟物理气相沉积的弹道沉积相场模型；根据第一相场参量耦合弹道沉积相场模型和固态薄膜的杨氏模量，以使弹道沉积相场模型与力学平衡方程耦合而建立薄膜沉积模型；根据薄膜沉积模型进行薄膜沉积模拟；该方法实现薄膜沉积过程的预测模拟，且能根据模拟结果反映薄膜沉积形态和应力分布特点
薄膜沉积模拟方法装置电子设备存储介质

[发明专利]一种透明导电薄膜及其制备方法-CN201510501833.0有效
发明人：刘生忠;常远程;朱学杰;邓增社;肖锋伟;田占元;訾威;魏葳;朱小宁;范瑞娟;赵炎 -专利权人：陕西师范大学;陕西煤业化工技术研究院有限责任公司
申请日： 2015-08-14 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明一种透明导电薄膜，包括基底，在基底上沉积的透明导电薄膜，以及沉积在导电薄膜之间的缓冲层薄膜；所述的缓冲层薄膜至少沉积有一层。一种透明导电薄膜的制备方法，包括如下步骤，步骤1，在经过预处理的基底上沉积第一层透明导电薄膜层；步骤2，然后沉积一层厚度不超过100纳米的缓冲层薄膜；步骤3，在缓冲层薄膜上沉积一层透明导电薄膜层；步骤4，重复步骤2和3达到需要的缓冲层薄膜层数，制备得到透明导电薄膜。本发明通过沉积多层的透明导电薄膜层，并在相邻的透明导电薄膜层之间分别添加缓冲层薄膜以制备透明导电薄膜，利用缓冲层薄膜的廉价制备低价的透明导电薄膜。不仅提高其电学性能和光学性能，而且成本低。
一种透明导电薄膜及其制备方法

[发明专利]薄膜沉积装置-CN201110064882.4有效
发明人：洪钟元;张锡洛;曹昌睦;崔永默;柳在光 -专利权人：三星移动显示器株式会社
申请日： 2011-03-11 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜沉积装置，薄膜沉积装置包括薄膜沉积组件，薄膜沉积组件包括：沉积源，用于排放沉积材料；沉积源喷嘴单元，设置在沉积源的一侧并包括沿第一方向布置的多个沉积源喷嘴；图案化缝隙片，与沉积源喷嘴单元相对地设置并与沉积源喷嘴单元分隔开；位置检测构件，检测基底相对于图案化缝隙片的相对位置；对准控制构件，通过利用位置检测构件检测的基底的所述相对位置来控制图案化缝隙片相对于基底的相对位置；其中，薄膜沉积组件和基底相互分隔开，并且薄膜沉积组件和基底被设置成可彼此相对移动
薄膜沉积装置

[发明专利]薄膜沉积设备和制造有机发光显示装置的方法-CN201010248429.4有效
发明人：吴枝淑;崔镕燮;金钟宪;康熙哲;李润美;曹昌睦 -专利权人：三星移动显示器株式会社
申请日： 2010-08-05 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜沉积设备和利用该薄膜沉积设备制造有机发光显示装置的方法。薄膜沉积设备包括多个薄膜沉积组件，每个薄膜沉积组件包括：沉积源，排放沉积材料；沉积源喷嘴单元，设置在沉积源的一侧，并包括多个沉积源喷嘴；图案化缝隙片，设置为面对沉积源喷嘴单元，并包括沿第一方向布置的多个图案化缝隙；障碍板组件，设置在沉积源喷嘴单元和图案化缝隙片之间。障碍板组件包括将沉积源喷嘴单元和图案化缝隙片之间的空间划分为多个子沉积空间的多个障碍板。
薄膜沉积设备制造有机发光显示装置方法

[发明专利]提高薄膜厚度均匀性的方法-CN202110088473.1在审
发明人：田守卫;胡海天;章盟狄 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高薄膜厚度均匀性的方法，包括：提供衬底和薄膜沉积设备；将所述衬底放进所述薄膜沉积设备，在所述衬底上进行薄膜沉积；将衬底在水平方向上进行旋转，并继续在所述薄膜沉积设备继续薄膜沉积，以使得所述衬底的各个部位均受到所述薄膜沉积设备的反应腔室内的不同部位的等离子体冲击最后可以使得衬底的各个部位受到的等离子体的冲击更加均匀，从而使得衬底上沉积的薄膜的厚度更加均匀。
提高薄膜厚度均匀方法