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[发明专利]金属钨膜及其制备方法-CN202310009875.7有效
发明人：卢金德;庄琼阳;贾晓峰;陈献龙 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种金属钨膜及其制备方法，其制备方法包括：提供半导体衬底；于半导体衬底上沉积钨成核层；于钨成核层上沉积钨体沉积层；钨成核层与钨体沉积层的总厚度小于预设厚度，重复进行沉积钨成核层及钨体沉积层至少一次形成多层结构，直至得到预设厚度的金属钨膜。本发明通过一种简单的多层膜层结构设计和WCVD制备方法结合的方式，在不需要改变现有工艺参数的基础上，解决制备大厚度的金属钨膜因应力、衬底弯曲形变较大，出现膜层破裂、剥离翘曲或剥落等问题；本发明以多层结构的方式，将金属钨膜分层沉积，通过细化晶粒、增加晶界面积，使得金属钨膜沉积过程中产生的应力、应变在钨膜中均匀化，实现低应力、低弯曲形变金属钨膜的制备。
金属及其制备方法

[发明专利]电沉积涂料组合物和电沉积涂布方法-CN201580027759.1在审
发明人：印部俊雄;田合洋平;宫前治广 -专利权人：日涂汽车涂料有限公司
申请日： 2015-02-27 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： C09D201/00 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种电沉积涂料组合物和电沉积涂布方法，其能够形成产生优良的匀镀能力并显示良好外观的固化的电沉积涂膜。本发明的电沉积涂料组合物包含：至少一种选自锌化合物(A‑1)和铋化合物(A‑2)的化合物(A)；胺化树脂(B)；和固化剂(C)。电沉积涂料组合物中每100 g树脂固体含量的酸的毫克当量(MEQ (A))是27以上。电沉积涂料组合物的库仑效率是30 mg/C以下。使用该电沉积涂料组合物形成的15µm厚的未固化电沉积涂膜的膜电阻是400 kΩ·cm2以上。从该电沉积涂料组合物获得的电沉积涂膜的涂膜粘度在50℃是3000Pa·s以下。
沉积涂料组合方法

[发明专利]一种有机膜层的制备方法、有机膜层结构及沉积设备-CN202210430645.3在审
发明人：赵文锋;李文茜;邱承彬 -专利权人：上海酷聚科技有限公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： B05D1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机膜层的制备方法、有机膜层结构及沉积设备，所述有机膜层的制备方法包括提供一种基材，采用化学气相沉积法在所述基材的表面沉积一有机膜层，并且所述有机膜层在所述基材的表面形成三维交联网络结构由于本发明中所述的有机膜层采用化学气相沉积法形成，该化学沉积方法中不包括射频放电、微波或者脉冲放电等手段，在沉积过程中不会破坏原料分子的基团，进而能够保证有机膜层的三维交联网络的致密均匀性。
一种有机制备方法结构沉积设备

[发明专利]护膜打印及维护-CN201710962703.6有效
发明人：阿历克斯·韦斯;龙·图特瑙尔 -专利权人：惠普赛天使公司
申请日： 2017-10-17 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： B41J2/01 文献下载
摘要：本发明涉及护膜打印及维护。在本文公开的某些示例中，沉积机构执行护膜沉积操作。该沉积机构包括多个打印头阵列。每个打印头阵列可被设置在沉积位置以将护膜层沉积到基板上，并且可被设置在维护位置以使得能够执行维护。在某些情况下，在通过该沉积机构执行的正在进行的护膜沉积操作期间，阵列控制器使多个打印头阵列中的至少一个打印头阵列根据预定维护序列，周期性地从沉积位置移动到维护位置。
打印维护

[发明专利]发光元件的保护膜沉积方法-CN201780015710.3有效
发明人：李洪宰;金宗焕;沈愚泌;李愚嗔;尹星然;李敦熙 -专利权人： TES股份有限公司
申请日： 2017-03-07 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光元件的保护膜沉积方法，所述保护膜沉积方法包括：在衬底的发光元件的上部沉积包括硅氮化物(SiNx)的第一保护膜的步骤；以及在所述第一保护膜的上部沉积包括硅氧化物(SiOx)的第二保护膜的步骤；且所述第一保护膜的厚度与第二保护膜的厚度的比率为0.2～0.4∶1。
发光元件保护膜沉积方法

[发明专利]针对碳化钨膜改进附着和缺陷的技术-CN201980008285.4在审
发明人： V·B·沙赫;A·K·辛格;B·库玛;G·巴拉苏布拉马尼恩 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-01-03 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式总的来说涉及硬掩模膜和用于沉积硬掩模膜的方法。更具体而言，本公开内容的实施方式总的来说涉及碳化钨硬掩模膜和用于沉积碳化钨硬掩模膜的工艺。在一个实施方式中，提供了形成碳化钨膜的方法。所述方法包括：在第一沉积速率下，在基板的含硅表面上形成碳化钨初始层。所述方法进一步包括：在第二沉积速率下，在碳化钨初始层上形成碳化钨膜，其中第二沉积速率大于第一沉积速率。
针对碳化改进附着缺陷技术

[发明专利]膜层、膜层的沉积方法和具有该膜层的薄膜光伏器件-CN200810126720.7有效
发明人：林朝晖;杨与胜;李沅民 -专利权人：福建钧石能源有限公司
申请日： 2008-06-20 - 公布日： 2009-12-23 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种膜层、膜层的沉积方法和具有该膜层的薄膜光伏器件，所述膜层为透明导电前电极，分多个化学气相沉积步骤沉积。本发明的膜层沉积方法能够使所沉积膜层同时具有所需的多个特性，使透明导电前电极的综合性能得以优化。
沉积方法具有薄膜器件

[发明专利]一种硅异质结太阳能电池的正面非晶硅膜层沉积工艺-CN202210986205.6在审
发明人：刘靖;刘浚 -专利权人：爱康一期光电科技（泰兴）有限公司
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅异质结太阳能电池的正面非晶硅膜层沉积工艺，包括以下步骤：制绒后的硅片经第一过渡腔环境切换后，进入到预热腔体预热；硅片通过第一转移腔进入到第一工艺腔进行本征层的预镀膜沉积；硅片通过第二转移腔进入到第二工艺腔进行非晶硅膜层沉积，非晶硅膜层沉积包括n‑1层镀膜沉积和N层镀膜沉积，在N层镀膜沉积前进行n‑1层镀膜沉积，所述n‑1层镀膜沉积分两步；非晶硅膜层镀膜沉积完成后的硅片通过第二过渡腔输送出设备。本发明在N层镀膜沉积前分两步进行n‑1层镀膜沉积，将膜层的均一性基本控制在5%以内，晶化率更加趋近于0%，效率提升0.02%—0.05%，膜层的均一性得到大大提高。
一种硅异质结太阳能电池正面非晶硅膜层沉积工艺

[发明专利]真空沉积装置-CN201280013425.5无效
发明人：宫川展幸;西森泰辅;安食高志 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-03-12 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：提供了一种可在沉积材料的沉积期间抑制除要测量膜厚度的沉积材料之外的沉积材料附着于膜厚度计且可提高沉积膜厚度的测量精度的真空沉积装置。在真空室（1）中布置有被沉积体（4）和多个蒸发源（2），所述真空室包括包围被沉积体（4）和多个蒸发源（2）之间的空间的筒状体（3）、以及膜厚度计（10）。所述装置被构造成使得从多个蒸发源（2）蒸发的沉积材料（9）穿过筒状体（3）内部，到达被沉积体（4）的表面，并且沉积在该表面上。在膜厚度计（10）与所述多个蒸发源（2）中的至少一个蒸发源（2）之间布置有导管（7），所述导管用于将从所述蒸发源（2）蒸发的沉积材料（9）引导至膜厚度计（10）。
真空沉积装置

[发明专利]电沉积涂覆的元件和电沉积涂料-CN97119274.X无效
发明人：角仓进;加藤友昭 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 1997-08-25 - 公布日： 2003-07-30 - 主分类号： C25D13/06 文献下载
摘要：一种电沉积涂覆的元件具有一个基体和一个电沉积涂膜，该电沉积涂膜用含有树脂和分散在该树脂中的微粒的电沉积涂料通过电泳作用在该基片上形成。该电沉积涂膜的表面粗糙度为1.7μm至5μm。
沉积元件涂料

[发明专利]低电阻率触点和互连件-CN202180046398.0在审
发明人：照健·史蒂文·黎;罗郑硕 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：金属化方案涉及钼(Mo)的原子层沉积(ALD)，并且在一些实施例中，涉及没有阻挡层的特征中Mo的ALD。在一些实施例中，ALD Mo膜的沉积之后可以是Mo膜的化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PVD)。在一些实施例中，CVD或PVD Mo膜是金属化堆叠的部分。在其它实施例中，CVD或PVD Mo膜沉积为牺牲表面覆盖层。在一些实施例中，ALD Mo膜的沉积之后可以是例如钨(W)的另一种金属的CVD或PVD。在一些实施例中，CVD或PVD W膜是金属化堆叠的部分。在其它实施例中，CVD或PVD W膜沉积为牺牲表面覆盖层。
电阻率触点互连

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN200410004414.8有效
发明人：贺茂尚广;糸贺敏彦;海东拓生;大仓理 -专利权人：株式会社日立显示器
申请日： 2004-02-19 - 公布日： 2004-08-25 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：本发明提供一种显示装置，能避免在薄膜晶体管中其绝缘膜对于多晶硅层的界面的能级变高，并且，可以避免该绝缘膜中的固定电荷增多。该显示装置是一种在绝缘基板上具备薄膜晶体管的显示装置。上述薄膜晶体管具有半导体层、栅极电极、在上述半导体层和栅极电极之间设置的栅极绝缘膜。上述栅极绝缘膜，至少具有1层由沉积法沉积的沉积膜。与上述半导体层之间不存在由沉积法沉积的其他的沉积膜地形成的一个沉积膜中的碳浓度，具有靠近上述半导体层的一侧比远离上述半导体层的一侧更小的分布。
显示装置及其制造方法

[发明专利]掩膜板及掩膜组件-CN201910406476.8有效
发明人：彭丽娟 -专利权人：苏州清越光电科技股份有限公司
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本申请涉及一种掩膜板，包括遮挡部和环绕所述遮挡部的外围沉积图案区；所述外围沉积图案区具有多个贯穿所述掩膜板的沉积开口；其中，多个所述沉积开口沿相同方向并行延伸，所述沉积开口的延伸方向平行于所述掩膜板。如此，当使用该掩膜板制备显示面板时，掩膜板的遮挡部受力均匀，减少了上翘、下垂或塌陷的现象的发生，且外围沉积图案区环绕遮挡部设置，多个沉积开口沿相同方向并行排布，当掩膜板张网时可以施加于遮挡部相同方向(例如张网方向还提供一种掩膜组件。
掩膜板组件

[发明专利]一种CuCr合金触头材料及其制备方法-CN201110412822.7有效
发明人：潘峰;王光月;曾飞 -专利权人：清华大学
申请日： 2011-12-12 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： H01H11/04 文献下载
摘要：该方法包括如下步骤：(1)采用物理气相沉积在自转的基片上沉积Cu膜；(2)启动Cr组元的沉积，并保持Cr组元的相对沉积速率梯度增长，在所述Cu膜上沉积CuCr合金膜a；所述Cr组元的相对沉积速率为Cr组元的沉积速率与Cu组元的沉积速率的比值，所述Cr组元的沉积速率为单位元面积的所述基片上单位时间内沉积的Cr质量；所述Cu组元的沉积速率为单位元面积的所述基片上单位时间内沉积的Cu质量；(3)保持Cr组元的相对沉积速率不变，在所述CuCr合金膜a上继续沉积CuCr合金膜b，然后在真空条件下经原位退火即得。本发明采用物理气相沉积的方法制备了高强度、高导电、高耐电弧侵蚀的CuCr合金触头材料，同时该方法可以节约能源和原材料的消耗。
一种 cucr 合金材料及其制备方法

[发明专利]深硅刻蚀上掩膜底切的最小化-CN200880020153.5无效
发明人：塔玛拉克·潘杜姆索波尔恩;帕特里克·钟;杰基濑户;S.M·列扎·萨贾迪 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2008-06-02 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：在该硅层上形成具有多个掩膜开孔的掩膜。通过使包含C4F8的无氢沉积气体流入，从该沉积气体形成等离子体，用该等离子体沉积聚合物至少20秒，以及在该至少20秒之后停止沉积该聚合物而在该掩膜上沉积聚合物层。通过使打开气体流入，从该打开气体形成等离子体，该等离子体相对于该多个掩膜开孔侧面的沉积聚合物选择性地除去该多个掩膜开孔下部的沉积聚合物，以及当至少该多个掩膜特征中的一些被打开时，停止该打开而打开该沉积聚合物层透过该掩膜和沉积聚合物层刻蚀该硅层。
刻蚀上掩膜底切最小化