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[发明专利]薄膜晶体管及用于薄膜晶体管的氧化锌基溅射靶-CN201310272148.6有效
发明人：朴在佑;李伦圭;金度贤;金东朝;朴柱玉;孙仁成;尹相元;李建孝;李镕晋;全祐奭 -专利权人：三星康宁精密素材株式会社;三星显示有限公司
申请日： 2013-07-01 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供了一种薄膜晶体管以及一种用于薄膜晶体管的氧化锌基溅射靶。薄膜晶体管包括金属电极和阻挡物质从金属电极扩散出来的氧化锌基阻挡膜。氧化锌基阻挡膜由掺杂有氧化铟的氧化锌制成，氧化铟的含量范围按重量计为氧化锌基阻挡膜的1%到50%。用于沉积薄膜晶体管的阻挡膜的氧化锌基溅射靶由掺杂有氧化铟的氧化锌制成，氧化铟的含量范围按重量计为氧化锌基溅射靶的1%到50%。
薄膜晶体管用于氧化锌溅射

[发明专利]一种用水热法生长氧化锌单晶体的方法-CN200410009367.6无效
发明人：江锦春;沈德忠 -专利权人：清华大学
申请日： 2004-07-23 - 公布日： 2005-03-23 - 主分类号： C30B7/10 文献下载
摘要：一种用水热法生长氧化锌单晶体的方法属于无机非金属材料领域。其主要内容是利用氢氧化锌作前驱物，用氨水作矿化剂，在高压釜中加热来生长氧化锌晶体。加热方式可以是微波加热，也可以是电阻丝加热；长出的晶体可以是氧化锌纳米纤维，也可以是大块氧化锌单晶。本发明的优点是工艺简单、成本低，可以通过改变工艺条件来控制氧化锌晶体的大小。
一种用水热法生长氧化锌单晶体方法

[发明专利]氧化锌系半导体晶体的制造方法-CN200780030699.4有效
发明人：大道浩儿;贝渊良和;藤卷宗久;吉川明彦 -专利权人：株式会社藤仓;国立大学法人千叶大学
申请日： 2007-06-22 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： H01L21/363 文献下载
摘要：一种氧化锌系半导体晶体的制造方法，用于至少使锌和氧到达基板表面，在该基板上生长氧化锌系半导体晶体，在1×10^-4Torr以下的真空气氛中，将上述锌的一部分或全部离子化，并使其到达上述基板表面，生长氧化锌系半导体晶体。结果，可提供能够生长晶体的生长速度快、生长表面平坦性和结晶性良好，并且晶体内的杂质极少的氧化锌系半导体晶体的氧化锌系半导体晶体的制造方法。
氧化锌半导体晶体制造方法

[发明专利]一种氧化锌杂化晶体形貌调控方法及其防晒应用-CN202310708854.4在审
发明人：东为富;张正;李婷;汪洋;黄晶 -专利权人：江南大学
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：一种氧化锌杂化晶体形貌调控方法及其防晒应用，属于功能复合材料技术领域。可以形貌调控的氧化锌杂化晶体通过掺杂类黑色素分子的水热法制备而成，氧化锌杂化晶体同时具备广谱的UV波段吸收、反射和折射特性。类黑色素分子与锌离子的络合作用能够有效抑制氧化锌杂化晶体的轴向生长，从而调控杂化晶体形貌，包括长棒状、短棒状、片状、近球状；类黑色素分子的掺杂改变了氧化锌杂化晶体的能量转化、界面作用等紫外吸收作用，有效提高了氧化锌杂化晶体的抗紫外性能；同时，类黑色素具备的生物相容性和自由基捕获性能使得氧化锌杂化晶体作为防晒成分更加安全和全面；另外，氧化锌杂化晶体作为防晒剂的配伍性、外观、肤感等使用性能都得到了改善。
一种氧化锌晶体形貌调控方法及其防晒应用

[发明专利]一种实现氧化锌线状晶体管电导可调的方法-CN201810734873.3有效
发明人：赖云锋;陈凡;陈帅;程树英;林培杰;俞金玲 -专利权人：福州大学
申请日： 2018-07-06 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明涉及一种实现氧化锌线状晶体管电导可调的方法，其特征在于：所述氧化锌线状晶体管包括重掺硅/二氧化硅衬底、氧化锌线状介质以及一对钛电极；所述氧化锌线状晶体管电导可调的方法包括以下步骤：设氧化锌线状晶体管的阈值电压为VG1，某一栅极电压下的电导状态为C1；对氧化锌线状晶体管的栅极施加‑V1~V2范围的扫描电压，使氧化锌线状晶体管的阈值电压变为VG2，可以获得该栅压下的第2电导状态C2；对氧化锌线状晶体管的栅极施加‑V1~Vi范围的扫描电压，使氧化锌线状晶体管的阈值电压变为V氧化锌线状晶体管，获得在同一栅极电压下不同的电导状态。
一种实现氧化锌线状晶体管电导可调方法

[发明专利]定向排列硫化锌－氧化锌纳米电缆复合材料的制备方法-CN200410015984.7无效
发明人：王卓;钱雪峰 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2004-01-19 - 公布日： 2004-12-29 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：一种定向排列硫化锌－氧化锌纳米电缆复合材料的制备方法，采用化学溶液法先制备出纳米棒定向排列氧化锌纳米材料，然后硫化氧化锌晶体排列。将硫代乙酰胺溶解于去离子水中，搅拌至溶液澄清，再将预先制备好的纳米棒排列的氧化锌薄膜浸入反应液中，升温至130℃，反应11－12小时即可获得纳米电缆定向排列的硫化锌－氧化锌纳米复合材料。复合材料的外皮由硫化锌纳米晶体构成，晶体的平均粒径为80纳米，电缆的内芯由未反应的氧化锌纳米晶体组成，晶体的平均直径为300纳米。本发明操作简单，可以高效率的实现从纳米棒定向排列氧化锌纳米材料到纳米电缆定向排列的硫化锌－氧化锌纳米复合材料排列的大面积转化。
定向排列硫化锌氧化锌纳米电缆复合材料制备方法

[发明专利]一种生长氧化锌晶体的方法-CN201210182714.X有效
发明人：马剑平;吴盼儒;刘洋;刘富丽 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2012-06-05 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： C30B23/06 文献下载
摘要：一种生长氧化锌晶体的方法，在真空下，通入保护气，以氧化锌粉为粉源，将氧化锌粉加热使其升华为气体，所述升华的气体在温度梯度作用下被输运到氧化锌籽晶表面且结晶生长。采用升华法生长氧化锌晶体装置，加热速度快、生长室容易达到高真空，可通过改变工艺条件实现对氧化锌晶体尺寸、生长速度的控制，可获得高质量大尺寸氧化锌晶体；克服了现有技术生长速率低的不足，且工艺设备要求简单，
一种生长氧化锌晶体方法

[实用新型]纳米氧化锌连续式制备装置-CN201720246433.4有效
发明人：陈明山 -专利权人：福建中翔纳米科技有限公司
申请日： 2017-03-14 - 公布日： 2017-11-17 - 主分类号： C01G9/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及纳米氧化锌连续式制备装置，包括纳米氧化锌晶体生长衬底制作槽、喷雾装置、机械手、气动爪、纳米氧化锌高压反应釜、马弗炉和自动控制器，所述喷雾装置通过支架固定安装在纳米氧化锌晶体生长衬底制作槽的顶部，所述机械手设置在纳米氧化锌晶体生长衬底制作槽一侧，且机械手的活动范围覆盖纳米氧化锌晶体生长衬底制作槽；本实用新型结构设计合理，减少晶种层制备的时间，能耗少，对衬底质量要求低，且能生长出结晶质量好的纳米氧化锌结构
纳米氧化锌连续制备装置

[发明专利]一种氧化锌基薄膜晶体管及其制备方法-CN201010275718.3无效
发明人：韩德栋;王漪;张盛东;孙雷;张韬;任奕成;韩汝琦 -专利权人：北京大学
申请日： 2010-09-08 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化锌基薄膜晶体管及其制备方法，属于半导体技术领域。该氧化锌基薄膜晶体管包括衬底、栅电极、栅介质层、沟道层和源漏电极，衬底是玻璃或者塑料；在衬底上由氧化锌或掺杂Al或者Ga氧化锌导电材料形成栅电极；半导体沟道是由氧化锌及其掺杂半导体材料形成；栅绝缘介质层是由氧化锌绝缘材料形成，设置于栅极和半导体沟道之间；源端和漏端电极是由氧化锌或掺杂Al或者Ga氧化锌导电材料形成。本发明为全氧化锌基薄膜晶体管，可提高器件各层薄膜之间的匹配度，降低了栅绝缘介质层和半导体沟道层之间的失配率，减少界面电荷密度，从而大大提高半导体沟道层的载流子迁移率，使氧化锌薄膜晶体管的性能得到了有效改善
一种氧化锌薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]氧化锌晶体及其制备方法-CN202111276945.2有效
发明人：文焱立;孙吉良;林鹏;李坤锋;李丽丽;刘春雨;周江;刘夏杰;李利 -专利权人：中广核研究院有限公司;中国广核集团有限公司;中国广核电力股份有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化锌晶体及其制备方法，氧化锌晶体的制备方法包括以下步骤：S1、将含锌玻璃粉末、金属氧化物、碳酸钠及碳材料混合均匀形成混合物料；S2、将所述混合物料放置于封闭的容器中并进行高温熔融；S3、将所述容器冷却，所述容器内上部生长出纤维状产物，即为氧化锌晶体。本发明的氧化锌晶体的制备，以含锌玻璃为主料，金属氧化物和碳材料分别为置换剂和还原剂，在高温下与玻璃中的锌进行置换和还原，使其从玻璃熔体中挥发出来，再通过冷却后生长成氧化锌晶体；工艺简单、成本低，能够获得大尺寸且纯度高的氧化锌晶体
氧化锌晶体及其制备方法

[发明专利]一种透明氧化锌陶瓷的制备方法-CN202010230230.2有效
发明人：吕冠军;林韩邦;董威;李惠龙;江晨辉;王节强 -专利权人：宁波南海泰格尔陶瓷有限公司
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： C04B35/453 文献下载
摘要：本发明涉及一种透明氧化锌陶瓷的制备方法，选制备氢氧化锌溶胶，再经过蒸发去除双氧水溶液得到氧化化锌凝胶再与氧化镧混合成浆料，再常规成型方法成型并干燥，然后再进行烧结过程中，氧化锌陶瓷的烧结温度远低于氧化镧的熔点，氧化镧并没有熔化，并保持其正六方体的晶体结构，同时在烧结过程中，磁场的加入，使得氧化镧的晶体实现有序排列，再经过氧化镧晶体对氧化锌晶粒的诱导，实现了氧化锌晶粒的有序排列，再结合氧化镧对氧化锌晶粒生长的限制作用，制备的氧化锌陶瓷内部的晶粒排列有序，实现了氧化锌陶瓷透光率的大幅度提高。
一种透明氧化锌陶瓷制备方法

[发明专利]用于ZnO和掺杂ZnO薄膜成核的种子层及种子层沉积方法-CN201380044150.6无效
发明人：丁国文;M·哈桑;M·H·黎;孙志文 -专利权人：分子间公司
申请日： 2013-08-07 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： B32B17/06 文献下载
摘要：通过采用包括金属元素的种子层，包括纯氧化锌和掺杂氧化锌的氧化锌层能够以优化的晶体取向和改进的导电性沉积。通过选定在低温下容易在玻璃衬底上结晶，并且具有优化晶体取向和尺寸的金属元素，能够形成具有优化晶体取向和大粒度的氧化锌层，从而能够优化透明传导氧化层堆叠。
用于 zno 掺杂薄膜成核种子沉积方法

[发明专利]一种光电器件及其制备方法、显示装置-CN202111362463.9在审
发明人：罗强 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10K50/16 文献下载
摘要：本申请的光电器件包括层叠设置的阴极、电子传输层、发光层及阳极，电子传输层的材料包括纳米氧化锌和晶体生长抑制剂。通过加入晶体生长抑制剂，抑制纳米氧化锌的晶体生长。或者，电子传输层包括层叠设置的第一子膜层和第二子膜层；第一子膜层的材料包括纳米氧化锌或掺杂纳米氧化锌，第二子膜层的材料包括纳米氧化镍；其中，第一子膜层靠近阴极一侧，第二子膜层靠近发光层一侧，通过形成纳米氧化锌或掺杂纳米氧化锌与纳米氧化镍的复合层，束缚纳米氧化锌的晶体生长。从而避免电子传输层中的纳米氧化锌的晶体尺寸增大而破坏与电子传输层接触的发光层，从而改善高温通电下的光电器件寿命急剧衰减。
一种光电器件及其制备方法显示装置

[发明专利]一种氢钝化氧化锌基双沟道层薄膜晶体管及其制备方法-CN201510866302.1在审
发明人：廖蕾;阿布来提·阿布力孜;刘传胜;郭太良 -专利权人：武汉大学
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种氢钝化氧化锌基双沟道层薄膜晶体管及其制备方法。本发明的薄膜晶体管以氢等离子体钝化处理的氧化锌超薄层和纯氧化锌厚层为双沟道层，其制备方法为：以生长有一层二氧化硅的硅片为基底，对纯氧化锌靶材进行射频磁控溅射，同时通过掩膜板沉积在基底上形成的纯氧化锌超薄层；对纯氧化锌超薄层进行原位氢等离子体处理，然后继续沉积纯氧化锌厚层；再采用直流溅射掩膜板沉积制备Al电极得到氢钝化氧化锌基双沟道层薄膜晶体管。本发明通过氢钝化氧化锌超薄层来提高载流子浓度，纯氧化锌厚层来调节器件的阈值电压。本发明的薄膜晶体管具有电子迁移率较高、亚阈值摆幅低、电学稳定性好，开关比高等优点；其制备工艺简单，成本低。
一种钝化氧化锌沟道薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]一种纳米氧化锌场效应晶体管的制作方法-CN200810042500.6有效
发明人：陈韬;屈新萍;刘书一;万景;茹国平;蒋玉龙 -专利权人：复旦大学
申请日： 2008-09-04 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种纳米氧化锌场效应晶体管的制作方法。其特点在于：通过选择性淀积籽晶层实现氧化锌纳米棒的定向生长，在薄膜晶体管的源漏电极之间横向生长氧化锌纳米棒作为导电沟道层，利用单晶氧化锌纳米棒优良的电学特性制作高迁移率的氧化锌场效应晶体管。该方法能够有效提高氧化锌器件的迁移率，同时又具备工艺方法简单、可以大面积生长的优点。
一种纳米氧化锌场效应晶体管制作方法

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