专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]耐崩刀性、耐缺损性优异的表面包覆切削工具-CN201310007836.X有效
  • 龙冈翔;岩崎直之;长田晃 - 三菱综合材料株式会社
  • 2013-01-09 - 2013-09-18 - B23B27/14
  • 本发明的表面包覆切削工具,在由WC基硬质合金或TiCN基金属陶瓷构成的工具基体表面上设置有硬质包覆层,其中,硬质包覆层由下部和上部构成,(a)下部为由Ti的碳化物、氮化物、碳氮化物、碳氧化及碳氮氧化中的1或2以上构成,且具有3~20μm的合计平均厚的Ti化合物,(b)上部为具有1~25μm平均厚的氧化,构成上部氧化含有板状生长氧化晶相与非晶氧化相,在上部的表面,板状生长氧化晶相的占有比例为5~35面积%,非晶氧化相以填充板状生长氧化晶相的间隙的方式存在。
  • 耐崩刀性缺损优异表面切削工具
  • [发明专利]切削工具-CN201980069701.1在审
  • 奥野晋;今村晋也;力宗勇树;城户保树;小林史佳 - 住友电工硬质合金株式会社
  • 2019-12-12 - 2021-06-08 - B23B27/14
  • 一种切削工具,其包括基材和被覆基材的被膜,其中:被膜包括设置在基材上的α‑氧化;α‑氧化包含α‑氧化晶粒;α‑氧化包括下侧部和上侧部;当沿着包括第二界面的法线的平面切割α‑氧化以获得截面,并使用场发射扫描显微镜对该截面进行电子背散射衍射分析以识别α‑氧化晶粒的晶体取向,并且基于此创建彩色图时,在彩色图中,在上侧部中,由(006)面的法线方向相对于上述第二界面的法线方向在±15°以内的α‑氧化晶粒所占据的面积比率为50%以上,并且在下侧部中,由(012)面、(104)面、(110)面、(113)面、(116)面、(300)面、(214)面和(006)面各自的法线方向相对于上述第二界面的法线方向在±15°以内的α‑氧化晶粒所占据的面积比率为大于等于5%且小于50%;并且α‑氧化的厚度为3μm以上20μm以下。
  • 切削工具
  • [发明专利]双位快闪存储器的制作方法-CN200910201181.3有效
  • 三重野文健 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2009-12-15 - 2011-06-15 - H01L21/8247
  • 一种双位快闪存储器的制作方法,包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上依次形成栅介电与栅电极,刻蚀所述栅电极及栅介电,形成栅极结构;侧向刻蚀栅介电的部分区域,在栅介电两侧形成开口;在栅电极与半导体衬底表面形成隔离层;在半导体衬底及栅极结构上形成氧化,所述氧化填充到栅介电的开口中,栅电极与半导体衬底表面的隔离层将所述氧化与栅电极及半导体衬底隔离;刻蚀氧化,仅保留位于栅介电开口处的氧化,所述开口处的氧化形成电荷俘获
  • 双位快闪存制作方法
  • [发明专利]高导热电路板及其制作方法-CN201010537345.2无效
  • 寇崇善 - 寇崇善
  • 2010-11-05 - 2012-05-23 - H05K1/02
  • 本发明有关于一种高导热电路板及其制作方法,其中,高导热电路板包括:一铝基板;一氧化,形成于铝基板上;一类钻碳膜,设于氧化上,且氧化层位于类钻碳膜与铝基板间;以及一电路,设于类钻碳膜上。于本发明中,透过阳极化处理铝基板以于铝基板表面形成具多孔隙结构的氧化,且类钻碳完全填入氧化的孔洞中。利用氧化及类钻碳膜,可使电路板展现极高的热传导效率。
  • 导热电路板及其制作方法
  • [发明专利]一种增强型双面真空镀铝膜及其制备方法-CN202310170067.9在审
  • 章澄 - 南京沪江复合材料股份有限公司
  • 2023-02-27 - 2023-05-23 - C23C14/35
  • 本发明提供了一种增强型双面真空镀铝膜及其制备方法,该方法对基膜进行表面处理后采用双面磁控溅射镀氧化及在其氧化进一步真空蒸镀铝膜;该增强型双面真空镀铝膜包括从上到下依次设置有镀铝、镀氧化、基膜、镀氧化和镀铝;所述基膜厚度为4~6微米;所述镀氧化厚度为5~7纳米;所述镀铝厚度为50~60纳米;相较于普通蒸镀法,本发明对基膜进行表面处理后采用双面磁控溅射镀氧化及在其氧化进一步真空蒸镀铝膜的方法,其膜与基材结合力强、膜致密性及均匀性好;双面同时溅射,不仅提高了镀膜效率;双面增强镀铝膜还显著提高其阻隔性。
  • 一种增强双面真空镀铝及其制备方法
  • [实用新型]一种新型泡轻活性氧化-CN202022240991.4有效
  • 聂雨彬;聂文斐 - 山东物华新材料科技有限公司
  • 2020-10-10 - 2021-06-08 - B01J21/04
  • 本实用新型公开了一种新型泡轻活性氧化球,属于氧化球技术领域,氧化球球体的外侧表面设有沟槽,沟槽的一端连接有中心孔,氧化球球体的内部连接有氧化氧化的一表面通过第一胶固定粘接有拟薄水铝石,拟薄水铝石的另一表面通过第二胶固定粘接有莫来石,该新型泡轻活性氧化球设置的拟薄水铝石和沟槽在相同体积的情况下,不仅提高了孔容,而且增加了与液体以及气体的接触面积,有效的促进了催化效率,而且设置的第一胶和第二胶保证了拟薄水铝石以及莫来石的粘接牢固性,不仅降低了生产磨耗,而且可以避免相互之间裂缝的产生,从而有效的提高了活性氧化球的强度。
  • 一种新型活性氧化铝

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