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[发明专利]氧化膜形成方法及氧化膜形成装置-CN03817749.8无效
发明人：江口勇司;中岛节男;伊藤巧;川崎真一 -专利权人：积水化学工业株式会社
申请日： 2003-06-13 - 公布日： 2005-09-21 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供一种利用大气压附近的压力条件下的CVD法在基板(S)的表面形成氧化膜的装置，具备供给由TMOS、MTMOS等含硅气体构成的原料气体(A)、由O₂、N₂O等氧化性气体构成的反应气体(B)这样的2成分工艺气体的工艺气体供给源(3A)、(3B)、放电处理部(1)。通过对工艺气体(A)不进行放电处理，而在基板表面附近混合到用放电处理部1进行了放电处理的工艺气体(B)中，从而在常压下的CVD法中，用较快的成膜速度形成膜质·覆盖性良好的氧化膜。
氧化形成方法装置

[发明专利]氧化膜形成装置-CN201980078450.3有效
发明人：龟田直人;三浦敏德;花仓满 -专利权人：株式会社明电舍
申请日： 2019-09-05 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：提供了一种氧化膜形成装置(1)，它包括炉壳体(6a)和炉盖(6b)，上面要形成膜的工件(8)布置在该炉壳体中。混合气体扩散部件(6c)经由屏蔽板(12)布置在炉盖(6b)的内侧。混合气体缓冲空间(21)形成在混合气体扩散部件(6c)中。喷头板(13)形成在混合气体扩散部件(6c)上。臭氧气体缓冲空间(17)形成在炉盖(6b)中并且臭氧气体缓冲空间(17)具有气流扩散板(20)。喷头板(13)中形成有臭氧气体流过的孔(13a)和混合气体流过的孔(13b)。
氧化形成装置

[发明专利]氧化膜形成方法-CN02809018.7无效
发明人：菱屋晋吾;秋山浩二;古泽纯和;青木公也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2002-02-28 - 公布日： 2004-08-04 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：一种氧化膜形成方法，有利于在整个晶片上形成膜厚和膜质量的均匀性都很高的优质氧化膜。氧化膜形成方法包括前处理工序和氧化膜形成工序，前处理工序是在减压条件下，利用活性氧化晶种或含有活性氧化晶种的气氛对配置在反应容器内的晶片进行氧化处理，在晶片的表面上形成保护氧化膜；氧化膜形成工序是在减压条件下以规定温度对晶片进行氧化处理，形成氧化膜。氧化膜形成工序最好是在进行前处理工序的反应容器内和前处理工序连续进行。前处理工序最好在比氧化膜形成工序的温度低的温度下进行，而且，最好是在减压程度比氧化膜形成工序高的减压条件下进行。根据该氧化膜形成方法，可形成良好的晶体管元件的栅极绝缘膜。
氧化形成方法

[发明专利]硅氧化膜的形成方法以及硅氧化膜的形成装置-CN201410120634.0在审
发明人：池内俊之;木村法史;大部智行 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2014-03-27 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种硅氧化膜的形成方法以及硅氧化膜的形成装置。一种硅氧化膜的形成方法，在该形成方法中进行一次以上组合工序，该组合工序包括如下工序：待机工序，将被处理体收纳／回收到舟皿内；装载工序，将收纳在上述舟皿内的被处理体收纳到反应室内；硅氧化膜形成工序，在收纳于上述反应室内的被处理体形成硅氧化膜；卸载工序，将形成有上述硅氧化膜的被处理体输送到上述反应室外，其中，在上述卸载工序、上述待机工序以及上述装载工序的至少1个工序中，在对上述反应室内进行加热的同时，向该反应室内供给含有水蒸气的气体。
氧化形成方法以及装置

[发明专利]阳极氧化膜形成处理剂和阳极氧化膜形成方法-CN201910104986.X有效
发明人：古川雄贵 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： C25D11/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种阳极氧化膜形成处理剂和阳极氧化膜形成方法。用于在由铝或铝合金构成的基材(12)上形成阳极氧化膜(14)的阳极氧化膜形成处理剂(10)由通过非离子表面活性剂增加电解液的粘度而成的粘性体构成。使用阳极氧化膜形成处理剂(10)的阳极氧化膜形成方法具有：接触工序，使阳极氧化膜形成处理剂(10)接触基材(12)；和通电工序，将基材(12)作为阳极，并在该基材(12)与设置于阳极氧化膜形成处理剂(10根据本发明，能够通过简单的结构提高阳极氧化膜的成膜速度。
阳极氧化形成处理方法

[发明专利]氧化硅膜的形成方法及氧化硅膜的形成装置-CN201310268788.X无效
发明人：大部智行;黑川昌毅 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2013-06-28 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化硅膜的形成方法及氧化硅膜的形成装置。该氧化硅膜的形成方法包括以下工序：成膜工序，向容纳有多张被处理体的反应室内供给含有氯的硅原料，并在上述多张被处理体上形成氧化硅膜；以及改性工序，向上述反应室内供给氢和氧或者氢和一氧化二氮而使该反应室内处于氢和氧的气氛下或者氢和一氧化二氮的气氛下，对利用上述成膜工序形成的氧化硅膜进行改性。
氧化形成方法装置

[发明专利]半导体结构及其形成方法、半导体器件-CN201911320044.1在审
发明人：刘继全 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：形成隧穿氧化膜，形成隧穿氧化膜的步骤包括：依次形成多个子隧穿氧化膜；形成子隧穿氧化膜的步骤包括：形成初始子隧穿氧化膜；对初始子隧穿氧化膜进行氧化处理，使初始子隧穿氧化膜转化为子隧穿氧化膜本发明实施例依次形成多个子隧穿氧化膜以形成隧穿氧化膜，初始子隧穿氧化膜的厚度较薄，因此，有利于保证初始子隧穿氧化膜在所述氧化处理的过程中能够完全被氧化、并提高氧化处理的均匀性，从而有利于提高氧原子在子隧穿氧化膜中的分布均匀性、改善子隧穿氧化膜材料中的晶格结构，相应提高了隧穿氧化膜的薄膜质量，进而在后续图形化隧穿氧化膜以形成隧穿氧化层后，有利于提升隧穿氧化层的薄膜质量。
半导体结构及其形成方法半导体器件

[发明专利]层叠膜的形成方法及其形成装置-CN201310432378.4在审
发明人：大部智行;黑川昌毅;入宇田启树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2013-09-22 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明涉及层叠膜的形成方法及其形成装置，该层叠膜的形成方法包括如下工序：在容纳于反应室内的多片被处理体上形成氧化硅膜的氧化硅膜形成工序、和向前述反应室内供给硅源、氮化剂和氧化剂、在前述多片被处理体上形成氮氧化硅膜的氮氧化硅膜形成工序；该方法具备如下步骤：重复前述氧化硅膜形成工序以及前述氮氧化硅膜形成工序，在前述多片被处理体上形成前述氧化硅膜和前述氮氧化硅膜的层叠膜。
层叠形成方法及其装置

[发明专利]金属氧化膜形成用组成物、图案形成方法、及金属氧化膜形成方法-CN202310194659.4在审
发明人：小林直贵;郡大佑;矢野俊治 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C09D1/00 文献下载
摘要：本发明涉及金属氧化膜形成用组成物、图案形成方法、及金属氧化膜形成方法。本发明课题为提供相对于已知的有机下层膜材料具有优良的干蚀刻耐性而且兼顾高程度的填埋/平坦化特性的金属氧化膜形成用组成物、使用了此组成物的图案形成方法、及金属氧化膜(抗蚀剂下层膜)形成方法。一种金属氧化膜形成用组成物，其特征为含有(A)金属氧化物纳米粒子、(B)为选自下列通式(I)、通式(II)及通式(III)中的一种以上表示的化合物及/或分子量5000以下的聚合物的流动性促进剂、及(C)有机溶剂，该(A)金属氧化物纳米粒子与该(B)流动性促进剂的重量比例为10/90～90/10。
金属氧化形成组成图案方法

[发明专利]硅氧化膜的形成方法、硅氧化膜的形成装置和程序-CN200610092209.0有效
发明人：松浦广行 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2006-06-14 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：在能够选择性地供给含有氯硅烷类气体的第一处理气体、含有氯置换用气体的第二处理气体和含有氧化气体的第三处理气体的处理区域内，利用CVD在被处理基板上形成硅氧化膜。该成膜方法交替地具有第一～第六工序。
氧化形成方法装置程序

[发明专利]热氧化工艺中自动调控硅氧化膜厚度的方法和系统-CN202110680105.6在审
发明人：徐兴国;张凌越;姜波 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开一种热氧化工艺中自动调控氧化膜厚度的方法和系统，所述热氧化工艺中自动调控氧化膜厚度的方法，包括：采集硅氧化膜的目标形成厚度、形成硅氧化膜的基准大气压、在所述基准大气压下硅氧化膜达到所述目标形成厚度的基准时间、前一批次硅氧化膜的形成厚度、前二批次硅氧化膜的形成厚度以及当前批次硅氧化膜开始形成前的实时大气压；基于采集的结果、压力修正系数以及厚度修正系数计算得到用以形成当前批次的硅氧化膜的目标氧化时间；以及，根据所述目标氧化时间执行所述热氧化工艺，以形成当前批次的硅氧化膜。本发明具有节省人力，并可以实时调节硅氧化膜厚度，保证产品膜厚不偏离目标厚度的优点。
氧化工艺自动调控厚度方法系统

[发明专利]用于制造半导体器件的方法-CN200910209922.2无效
发明人：李斗成 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2009-10-29 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：该方法包括以下步骤：在半导体衬底上顺序形成第一氧化膜、氮化膜和第二氧化膜；刻蚀第二氧化膜和氮化膜，以形成暴露部分第一氧化膜的第二氧化膜图样和氮化膜图样；执行至少一次氮注入，以在这样暴露的第一氧化膜下方的半导体衬底中形成氮注入区；在其上形成有第二氧化膜图样和氮化膜图样的半导体衬底的表面上形成第三氧化膜；刻蚀其上形成有第三氧化膜的半导体衬底，以形成穿过氮离子注入区的沟槽；以及在沟槽中填充氧化膜，以形成器件隔离膜。
用于制造半导体器件方法

[发明专利]在碳膜上形成氧化物膜的成膜方法和成膜装置-CN201110457396.9有效
发明人：柿本明修;远藤笃史;久保万身 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-12-27 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明提供一种即使在碳膜上形成氧化物膜也能够抑制碳膜的膜厚减少的在碳膜上形成氧化物膜的成膜方法。其具备在被处理体上形成碳膜的工序(步骤1)；在碳膜上形成被氧化体层的工序(步骤2)；和一边使被氧化体层氧化、一边在被氧化体层上形成氧化物膜的工序(步骤3)。
碳膜上形成氧化物方法装置

[发明专利]半导体器件和半导体器件的制造方法-CN01121865.7无效
发明人：甲斐徹哉;笠井良夫;角田弘昭;萩原裕之;小林英行 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2001-06-29 - 公布日： 2002-01-09 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：通过提高栅氧化膜的膜质量降低漏电流来提高可靠性的半导体器件的制造方法。在半导体衬底11上形成隧道氧化膜12,在隧道氧化膜12上形成成为浮栅的多晶硅膜13。在多晶硅膜13上形成用CVD法制成的硅氧化膜14后,在氧化性气氛中进行热处理。在硅氧化膜14上形成硅氮化膜15,在硅氮化膜15上用CVD法形成硅氧化膜16。在氧化性气氛中进行热处理,进一步在硅氧化膜16上形成多晶硅膜17。
半导体器件制造方法

[发明专利]等离子体处理装置用部件-CN201980047802.9在审
发明人：花待年彦;诸田修平;高原刚;泷本优;横山响;光田拓史;荒木良仁;味泽贤吾 -专利权人：日本发条株式会社;株式会社泉科技
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本发明的等离子体处理装置用部件包括：铝基材；以及氧化被膜，其形成在铝基材上，具有多孔质结构，其中，氧化被膜包括：第一氧化被膜，其形成在铝基材的表面上，第二氧化被膜，其形成在第一氧化被膜的与铝基材侧相反的一侧，以及第三氧化被膜，其形成在第二氧化被膜的与第一氧化被膜侧相反的一侧，第一氧化被膜比第二氧化被膜及第三氧化被膜硬，在第一氧化被膜、第二氧化被膜和第三氧化被膜的各被膜中形成的孔被封孔。
等离子体处理装置部件

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