专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]锌铝氧化陶瓷靶材表面背铟方法-CN03148177.9无效
  • 赵大庆;董民超 - 清华大学
  • 2003-07-04 - 2004-02-18 - C04B41/89
  • 一种锌铝氧化陶瓷靶材表面背铟方法,属特种材料的表面处理工艺领域。本发明表面背铟方法分为2个步骤:1、在锌铝氧化陶瓷靶材的表面烧结一层银:具体的做法是在锌铝氧化陶瓷靶材的表面均匀的喷涂一层锌铝氧化陶瓷靶材专用银浆,该银浆由氧化银70~80%wt、二氧化硅10-15干燥后放到加热炉加热到550~580℃,保持15分钟,自然冷却后便可在锌铝氧化靶材的表层形成均匀的一层银。2、在已烧结银层的锌铝氧化陶瓷靶材表面焊接一层铟:具体作法是把带有烧结有银层的锌铝氧化陶瓷靶材加热到180~200℃,加铟在银层的表面均匀的融化,5~8分钟后铟和银互融,完成在银的表面焊接铟的过程。
  • 氧化物陶瓷表面方法
  • [发明专利]强化氧化陶瓷及其制备方法-CN202010474737.2有效
  • 康展博 - OPPO广东移动通信有限公司
  • 2020-05-29 - 2022-07-26 - C04B35/49
  • 本申请提出了强化氧化陶瓷及其制备方法。该制备强化氧化陶瓷的方法包括:提供非晶态复合金属氧化纳米颗粒;将非晶态复合金属氧化纳米颗粒与氧化锆粉末混合,以获得原料粉末;对原料粉末进行热压烧结,以获得陶瓷块体;对陶瓷块体进行热等静压,以获得强化氧化陶瓷本申请所提出的制备方法,通过在原料粉末中添加非晶态的复合金属氧化纳米颗粒,在烧结过程中可以形成尺寸更加细小的结晶,从而实现更好的弥散强化,并使结晶后复合金属氧化氧化锆基体之间形成更好的结合,进而使制备出的强化氧化陶瓷的强度更高
  • 强化氧化锆陶瓷及其制备方法
  • [发明专利]具有陶瓷涂层的切削刀片-CN200880010764.1有效
  • M·埃尔考拜;G·格伦曼 - 伊斯卡有限公司
  • 2008-03-06 - 2010-02-17 - C23C28/00
  • 具有多层陶瓷涂层的切削工具刀片。所述多层陶瓷涂层为交替子层的分层结构,所述交替子层是氧化材料与和该氧化材料具有良好粘附力的第二材料的界面层的交替层。所述陶瓷涂层通过化学气相沉积而沉积;每一随后沉积的界面层用于中断前一沉积的氧化材料子层,并用作随后氧化材料子层的沉积用表面。所述第二材料是所述氧化材料的至少一种元素在硬质材料中的固溶体。
  • 具有陶瓷涂层切削刀片
  • [发明专利]陶瓷坯土、陶瓷成型体、陶瓷结构体及它们的制造方法-CN201110053321.4有效
  • 富田崇弘;森本健司 - 日本碍子株式会社
  • 2011-03-03 - 2011-10-12 - C04B35/01
  • 本发明提供一种陶瓷坯土、陶瓷成型体、陶瓷结构体及它们的制造方法。就含有层状双氢氧化陶瓷坯土而言,保持良好的成型性的同时,降低层状双氢氧化的含有量,由此,可实现使用该陶瓷坯土所制造的陶瓷结构体的成本降低、产品特性的提高。本发明提供一种陶瓷坯土,其为通过混炼含有陶瓷形成材料的成型原料而得到的陶瓷坯土,上述成型原料不仅含有上述陶瓷形成材料还含有规定化学式表示的层状双氢氧化,所述层状双氢氧化相对于其与上述陶瓷形成材料的合计的比例为上述层状双氢氧化分散于水中时成为凝胶状的形态,以浓度6质量%分散于水中时其粘度为1000~20000mPa·s。
  • 陶瓷成型结构它们制造方法
  • [发明专利]组装体-CN201580080123.3有效
  • 中泽辽马;吉留和宏 - TDK株式会社
  • 2015-12-11 - 2019-06-28 - B22F7/08
  • 本发明提供一种具有充分的接合强度的金属构件和金属陶瓷构件的组装体。组装体具有金属陶瓷构件、金属构件和中间层。金属陶瓷构件包含金属陶瓷氧化相和金属陶瓷金属相。金属陶瓷氧化相包含含有Ni的氧化或含有Fe的氧化。金属陶瓷金属相含有Ni。中间层含有Cu。将从金属陶瓷构件和中间层的界面向金属陶瓷构件侧离开10、50、100、1000μm的点处的金属陶瓷金属相中的Cu的质量比率设为C10、C50、C100、C1000(质量%)。将从界面向金属陶瓷构件侧离开10、100μm的点处的氧化相中的Cu的质量比率设为M10、M100(质量%),此时,C10>C50>C100>C1000且5>M10‑M100>‑5。
  • 组装

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