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[发明专利]硅外延层的形成方法-CN200310115692.6有效
发明人：田村明威;冈哲史 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2003-10-16 - 公布日： 2005-04-20 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：在处理室(2)内的被处理基板(W)的半导体基底层上形成硅外延层。这种形成方法包括：在容纳被处理基板(W)的处理室(2)内进行减压的减压工序，向处理室(2)内导入含有硅烷气体的成膜气体，在半导体基底层上气相生长硅外延层的气相生长工序，其间包含氯化氢处理工序和氢气热处理工序在氯化氢处理工序中，向处理室(2)内导入含有氯化氢气体的第1预处理气体，用第1预处理气体对处理室(2)的环境进行处理。在氢气热处理工序，向处理室(2)内导入含有氢气的第2预处理气体，用第2预处理气体对半导体基底层表面进行处理。
外延形成方法

[发明专利]蚀刻方法-CN202180054563.7在审
发明人：户村幕树;大类贵俊;高桥圭惠;须田隆太郎;大内田聪;若生悠辅;木原嘉英 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本申请所公开的蚀刻方法包含工序(a)，所述工序(a)在等离子体处理装置的腔室内准备基板。基板包含含硅膜及掩模。掩模设置于含硅膜上。蚀刻方法还包含工序(b)，所述工序(b)通过来自在腔室内由处理气体生成的等离子体的化学物种来对含硅膜进行蚀刻。处理气体包含氟化氢气体及含碳气体。在不包含稀有气体的处理气体中的所有气体的流量中，氟化氢气体的流量最多。或者，在处理气体中的除了稀有气体以外的所有气体的流量中，氟化氢气体的流量最多。
蚀刻方法

[发明专利]燃烧除害装置-CN201280004451.1有效
发明人：渡边信昭;涩谷和信;新冈正继;大石祐辅 -专利权人：大阳日酸株式会社
申请日： 2012-08-09 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： F23G7/06 文献下载
摘要：本发明提供一种燃烧除害装置，该燃烧除害装置能够高效地对含有作为有害气体成分的可燃性气体成分的废气等被处理气体中的有害气体成分进行除害处理，其中，燃烧除害装置（10）包括：被处理气体导入管嘴（12），其用于导入含有有害气体成分的被处理气体；氧化剂导入管嘴（13），其用于从被处理气体导入管嘴的外周侧导入氧化剂；点火燃烧器（14），其用于在燃烧腔室（11）内形成火种；氢气导入部（16），其用于向供给到被处理气体导入管嘴的被处理气体中导入作为燃烧用燃料的氢气，并且氧化剂导入管嘴的管嘴轴线（13a）配置在朝向被处理气体导入管嘴的管嘴轴线（12a）的延长线上的方向上。
燃烧除害装置

[发明专利]沉积氧化膜的装置和方法-CN200380101492.3无效
发明人： R·N·安德森;P·B·科米塔;A·瓦尔德豪尔;N·B·赖利 -专利权人：应用材料有限公司
申请日： 2003-10-08 - 公布日： 2005-12-07 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：该方法包括采用含有硅源气体、氧气和氢气的处理气体混合物，在800－1300℃的处理温度下在衬底上沉积氧化膜。在氧化膜沉积期间，处理气体混合物中含有6％以下的氧气、硅气体和主要的氢气。
沉积氧化装置方法

[发明专利]基板处理方法和存储介质-CN201210077997.1有效
发明人：曾根隆;西村荣一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-03-22 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： C23F4/00 文献下载
摘要：本发明提供一种能够不使用卤素气体而对至少含有铂的层进行蚀刻的基板处理方法。在使用具有规定的图案形状的钽层(38)对在晶片(W)形成的铂锰层(37)进行蚀刻时，使用含有一氧化碳气体、氢气和氩气的处理气体，在该处理气体中，相对于一氧化碳气体和氢气的合计流量，氢气的流量比为50％～
处理方法存储介质

[发明专利]一种洁净煤气生产LNG联产氮氢气、富CO的方法及装置-CN201811081014.5在审
发明人：虎骁;王蕾;相里国栋;杨波 -专利权人：陕西黑猫焦化股份有限公司
申请日： 2018-09-17 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： F25J3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种洁净煤气生产LNG联产氮氢气、富CO的方法及装置，由以下步骤组成：以洁净煤气为基础，进行干燥，得到第一处理气；除去汞，得到第二处理气；除去二氧化碳、重烃和粉尘，得到第三处理气；对第三处理气降温后经重烃分离器得到LPG和气液混合物，对气液混合物继续降温后经过脱氢处理得到富氢气气体和第一处理液；采用液体氮气在洗涤塔中对富氢气气体中的甲烷和CO进行脱除；对第一处理液脱碳处理得到富CO气体和LNG；本发明解决了冷箱通道发生重烃冻堵的问题，冷箱内设置洗涤塔，脱除富氢气中的CO和甲烷。
处理气洁净煤气富氢气处理液氮氢气洗涤塔甲烷联产脱除重烃气液混合物重烃分离器脱氢处理脱碳处理液混合物液体氮气二氧化碳冻堵冷箱粉尘生产

[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理系统-CN202310255900.X在审
发明人：向山广记;户村幕树;木原嘉英;高桥笃史;大类贵俊 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理系统，抑制蚀刻的形状异常。在具有腔室的等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法包括：工序(a)，提供具有含硅膜以及含硅膜上的掩模的基板；以及工序(b)，对含硅膜进行蚀刻，其中，工序(b)包括：工序(b‑1)，使用从包含氟化氢气体和含钨气体的第一处理气体生成的等离子体对含硅膜进行蚀刻；以及工序(b‑2)，使用从包含氟化氢气体的第二处理气体生成的等离子体对含硅膜进行蚀刻，第二处理气体不包含含钨气体、或者以比第一处理气体中的含钨气体的流量比小的流量比包含含钨气体。
等离子体处理方法系统

[发明专利]多层膜的蚀刻方法-CN201510484856.5有效
发明人：石田竜宇;斋藤祐介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2015-08-07 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：[课题]要求对形成于多层膜的空间的垂直性在被处理体的一部分区域中的劣化进行抑制。[解决手段]多层膜的蚀刻方法包括在等离子体处理装置的处理容器内使等离子体产生，对多层膜进行蚀刻的工序。在该工序中，由用于向被处理体的中央区域供给气体的第1供给部和用于向该中央区域的外侧的区域供给气体的第2供给部，供给含有氢气、溴化氢气体、含氟气体、烃气体、氢氟烃气体和全氟烃气体的第1处理气体，由第1供给部和第2供给部中的一者，进一步供给包含烃气体和全氟烃气体的第2处理气体，并使第1处理气体和第2处理气体激发。
多层蚀刻方法

[发明专利]经由物理气相沉积沉积非晶硅层或碳氧化硅层的方法-CN201780071488.9有效
发明人：伟民·郑;勇·曹;丹尼尔·李·迪尔;慧雄·戴;科伊·潘;克里斯托弗·恩加伊;汪荣军;唐先明 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：在一些实施方式中，在物理气相沉积工艺腔室中处理设置在基板支撑件的顶部上的基板的方法包括以下步骤：(a)在物理气相沉积腔室的处理区域内由工艺气体形成等离子体，其中工艺气体包含惰性气体和含氢气体，以在物理气相沉积腔室的处理区域内从靶材的表面溅射硅；和(b)在基板上的第一层的顶部上沉积非晶硅层，其中调整含氢气体的流动速率以调节经沉积的非晶硅层的光学性质。
经由物理沉积非晶硅层氧化方法

[发明专利]控制氢气的膜处理的方法-CN200780007280.7无效
发明人： M－K·戚 -专利权人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
申请日： 2007-02-09 - 公布日： 2009-03-25 - 主分类号： B01D3/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种借助渗氢分离膜处理至少包含氢气和包含至少一种其它化合物的气体的方法，其中使待处理气体与所述膜接触，从而产生富氢渗透物和贫氢滞留物。调整穿过膜的压差从而使具有上式的比率R等于或大于滞留物中存在的至少一种化合物冷凝时的比率R_min的值，其中，Qr为滞留物流速，Q为待处理气体流速，F_H2为待处理气体中氢气浓度的特征量
控制氢气处理方法

[发明专利]蚀刻方法及基板处理装置-CN202010841594.4在审
发明人：大堀高宽;三浦太树;小笠原正宏 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：该蚀刻方法包括：准备基板的工序，在所述基板上形成有硼膜或含硼膜；供给处理气体的工序，所述处理气体含有氯气、含氟气体、以及含氢气体；以及通过所述处理气体的等离子体经由掩模对所述硼膜或所述含硼膜进行蚀刻的工序
蚀刻方法处理装置

[发明专利]蚀刻方法-CN202310013829.4在审
发明人：横山乔大;户村幕树;木原嘉英;须田隆太郎;大类贵俊 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本申请所公开的蚀刻方法包括工序(a)，所述工序(a)在等离子体处理装置的腔室内准备基板。基板包括含硅膜。蚀刻方法还包括工序(b)，所述工序(b)通过来自在腔室内从处理气体形成的等离子体的化学物种来对含硅膜进行蚀刻。处理气体包含含磷气体、含氟气体及含氢气体。含氢气体含有选自由氟化氢、H2、氨及烃组成的组中的至少一种。
蚀刻方法

[发明专利]蚀刻方法-CN202080005420.2有效
发明人：横山乔大;户村幕树;木原嘉英;须田隆太郎;大类贵俊 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本申请所公开的蚀刻方法包括工序(a)，所述工序(a)在等离子体处理装置的腔室内准备基板。基板包括含硅膜。蚀刻方法还包括工序(b)，所述工序(b)通过来自在腔室内从处理气体形成的等离子体的化学物种来对含硅膜进行蚀刻。处理气体包含含磷气体、含氟气体及含氢气体。含氢气体含有选自由氟化氢、H2、氨及烃组成的组中的至少一种。
蚀刻方法

[发明专利]蚀刻方法和等离子体处理系统-CN202280005781.6在审
发明人：须田隆太郎;户村幕树;木原嘉英;三浦太树;朴宰永;福永裕介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供一种在具有腔室的等离子体处理装置中执行的蚀刻方法。该方法包含下述的工序：(a)将具有含硅膜和含硅膜上的掩模的基板提供至腔室内的基板支撑部上的工序；和(b)将含硅膜进行蚀刻的工序，所述(b)的工序包含下述的工序：(b‑1)使用由第一处理气体生成的等离子体将含硅膜进行蚀刻的工序，其中，所述第一处理气体含有氟化氢气体和控制氟化氢与含硅膜的反应的反应控制气体，第一处理气体中，作为反应控制气体，含有促进反应的反应促进气体和抑制反应的反应抑制气体中的至少一者；和(b‑2)使用由含有氟化氢气体的第二处理气体生成的等离子体将含硅膜进行蚀刻的工序，其中，第二处理气体中，以比第一处理气体中的反应促进气体小的分压含有促进反应的反应促进气体、和/或以比第一处理气体中的反应抑制气体高的分压含有抑制反应的反应抑制气体、或不含有反应控制气体。
蚀刻方法等离子体处理系统

[发明专利]气体软氮化方法和轴承部件的制造方法-CN201280018454.0有效
发明人：大木力 -专利权人： NTN株式会社
申请日： 2012-04-09 - 公布日： 2014-01-08 - 主分类号： C23C8/32 文献下载
摘要：气体软氮化方法是通过将由钢形成的被处理物(14)在导入热处理气体的热处理炉内进行加热而在被处理物(14)的表层部形成氮化物层(14A)的方法，热处理气体包含氨气、和二氧化碳气体及氢气中的至少任一方，其余部分由杂质形成
气体氮化方法轴承部件制造

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