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[发明专利]以CVD及HVPE成长氮化镓的方法-CN200710130162.7无效
发明人：周明奇;徐文庆 -专利权人：周明奇;中美硅晶制品股份有限公司
申请日： 2007-07-23 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种以CVD及HVPE成长氮化镓的方法，其由串联化学气相沉积法及氢化物气相磊晶法的二段式反应炉，利用其第一段的高温化学气相沉积法成长具较好表面形态的氮化镓奈米结构，再以该氮化镓奈米结构为新成核点，藉由第二段的氢化物气相磊晶法成长厚膜的氮化镓。
cvd hvpe 成长氮化方法

[发明专利]一种工业副产含氢尾气净化及氢提纯的方法和系统-CN202211574710.6在审
发明人：吴震;朱铭杰;郭磊磊;肖浩哲;周星睿 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： C01B3/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种工业副产含氢尾气净化及氢提纯的方法和系统，属于煤化工技术领域，包括以下步骤：对工业副产含氢尾气进行预处理，脱除甲烷、水与一氧化碳，获得粗氢气；将粗氢气通入装填有金属氢化物吸附剂的金属氢化物反应器组进行吸附，在金属氢化物反应器组的一个金属氢化物反应器内的金属氢化物吸附剂达到饱和状态后停止通入粗氢气，向金属氢化物吸附剂不饱和的金属氢化物反应器内通入粗氢气；加热金属氢化物反应器，使氢气排出，得到氢气。本发明能够净化工业副产含氢尾气并进行氢提纯，利用基于金属氢化物的分离提纯氢气技术，实现了复杂组分来源气中大浓度变化范围内的氢气的高效回收，可进行尾气的持续处理和氢气的持续生产。
一种工业副产含氢尾气净化提纯方法系统

[发明专利]纵向导通GaN电力电子器件的制作方法-CN201410274182.1在审
发明人：刘扬;郑越;姚尧 -专利权人：中山大学
申请日： 2014-06-18 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明涉及一种纵向导通GaN电力电子器件的制作方法，包括以下步骤：a.提供一蓝宝石衬底，并在其上采用氢化物气相外延生长导电GaN体材料层；b.在导电GaN体材料层上依次生长同质外延层、异质结构势垒层及器件结构层
纵向 gan 电力电子器件制作方法

[发明专利]组分可调的三元InGaAs和InGaN材料纳米线外延生长方法-CN201911171973.0在审
发明人：弗拉基米尔·杜布罗夫斯基;维克多·乌斯季诺夫;黄辉 -专利权人：塞斯奥特（南京）电子科技有限公司;南京奥斯登电子信息产业研究院有限公司
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种组分可调的三元InGaAs和InGaN材料纳米线外延生长方法，该方法通过抑制外延生长过程中三元III‑V和III‑N纳米结构中体积混溶隙实现。‑xAs和InxGa1‑xN材料纳米线组分x从0.1到0.8变化范围的特定实例，利用金属‑有机气相外延(MOVPE)、分子束外延(MBE)和氢化物气相外延(HVPE)技术在金属催化剂作用下，通过气‑液‑固或气‑固‑固方法生长。
组分可调三元 ingaas ingan 材料纳米外延生长方法

[发明专利]一种用于水解制氢的镁-铝基氢化物复合材料-CN201010218882.0无效
发明人：陈云贵;吴朝玲;肖艳 -专利权人：四川大学
申请日： 2010-07-07 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： C01B6/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于水解制氢的镁-铝基氢化物复合材料，其特征在于：镁-铝基材料主要合金元素为Mg和Al，主相为易脆的金属间化合物Mg17Al12；镁-铝基材料经过氢化处理变成镁-铝基氢化物；利用其它氢化物、盐与镁-铝基氢化物组成复合材料反应制取氢气；利用水或酸性或碱性或盐水溶液与镁-铝基氢化物复合材料反应制取氢气；本发明的镁-铝氢化物复合材料可在温和条件下实现即时制氢，适用于为燃料电池提供高纯的氢源。
一种用于水解氢化物复合材料

[实用新型]一种氢或氢氧混合气体储供装置-CN202121908736.0有效
发明人：阎有花;原建光;张宝;武英;周少雄 -专利权人：江苏集萃安泰创明先进能源材料研究院有限公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： F17C11/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种氢或氢氧混合气体储供装置，储供装置包括氢气供给管路、氧气供给管路及混合气输送管路，氢气供给管路包括抽真空管路、排空管路、充氢管路和放氢管路，充氢管路包括：充氢主管路、以及与充氢主管路的末端连接的金属氢化物储氢瓶管路，金属氢化物储氢瓶管路的末端设置有金属氢化物储氢瓶组单元；放氢管路，始端与金属氢化物储氢瓶组单元连接，末端与混合气输送管路连接；抽真空管路一端与金属氢化物储氢瓶管路的始端连接；排空管路一端与金属氢化物储氢瓶管路的始端连接；氧气供给管路末端与混合气输送管路连接。
一种混合气体装置

[发明专利]一种氢或氢氧混合气体储供装置及其使用方法-CN202110931736.0在审
发明人：阎有花;原建光;张宝;武英;周少雄 -专利权人：江苏集萃安泰创明先进能源材料研究院有限公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： F17C11/00 文献下载
摘要：本发明提供一种氢或氢氧混合气体储供装置，储供装置包括氢气供给管路、氧气供给管路及混合气输送管路，氢气供给管路包括抽真空管路、排空管路、充氢管路和放氢管路，充氢管路包括：充氢主管路、以及与充氢主管路的末端连接的金属氢化物储氢瓶管路，金属氢化物储氢瓶管路的末端设置有金属氢化物储氢瓶组单元；放氢管路，始端与金属氢化物储氢瓶组单元连接，末端与混合气输送管路连接；抽真空管路一端与金属氢化物储氢瓶管路的始端连接；排空管路一端与金属氢化物储氢瓶管路的始端连接；氧气供给管路末端与混合气输送管路连接。本发明的储供装置是一种高安全固态储氢为氢源的氢氧呼吸机和吸氢机，可实现不同混合比例的氢氧混合气呼吸和纯氢呼吸。
一种混合气体装置及其使用方法

[发明专利]原子光谱仪样品进入方法-CN03103223.0无效
发明人：段旭川;李鸿敏 -专利权人：李学璧
申请日： 2003-01-25 - 公布日： 2003-08-20 - 主分类号： G01N21/31 文献下载
摘要：本发明由以下步骤组成：(1)加热含元素的样品溶液与氢的还原反应体系，使该反应(生成氢化物)在高于室温的温度下进行。(2)使生成的氢化物从样品溶液(或残渣)中分离出来。(3)除去与分离出来的氢化物一起伴随的溶剂气雾。(4)使除去溶剂气雾后的氢化物被载气导入原子光谱仪中的原子(离子)化器中进行光谱或质谱测定。该发明用于原子光谱仪(AFS，AAS，ICP－AES，ICP－MS等)上的进样系统，不仅适用于传统上易形成氢化物的九个元素(砷，锑，铋，锗，锡，铅，硒，碲，汞)的样品分析进入，也适用于其它几十种元素(金
原子光谱仪样品进入方法

[发明专利]多个气体螺旋通路的喷头-CN201110037719.9无效
发明人：亚历山大·塔姆;雅各布·格雷森;萨姆埃德霍·阿卡赖亚 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2008-10-16 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及一种喷头装置，更具体的是一种多个气体螺旋通路的喷头，本发明还提供了一种用于化学气相沉积和/或氢化物气相外延(HVPE)沉积的方法和装置。在一个实施方式中，使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺在多个基板上沉积III族氮化物膜。III族前体诸如三甲基镓、三甲基铝或三甲基铟以及含氮前体诸如氨被传送到隔离前体气体的多个螺旋通路中。
气体螺旋通路喷头

[发明专利]多种气体直通道喷头-CN200810170603.0有效
发明人：布赖恩·H·伯罗斯;亚历山大·塔姆;罗纳德·史蒂文斯;肯里克·T·乔伊;詹姆斯·D·费尔斯克;雅各布·格雷森;萨姆埃德霍·阿卡赖亚;桑迪普·尼杰霍安;洛里·D·华盛顿;尼欧·谬 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2008-10-16 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供了多种气体直通道喷头，更具体地提供了一种可以用于化学气相沉积和/或氢化物气相外延(HVPE)的方法和装置。在一个实施例中，金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺用于在多个衬底上沉积III族氮化物膜。诸如三甲基镓、三甲基铝、和三甲基铟的III族前驱物以及诸如氨的含氮前驱物被输送到多个对所述前驱物气体进行隔离的多个直的通道。前驱物气体被注入到混合通道，其中所述气体在进入包含衬底的处理容积之前在该混合通道处混合。提供热交换通道用于混合通道的温度控制以防止前驱物的不期望冷凝和反应。
多种气体通道喷头

[发明专利]一种氢化物的检测方法和专用装置-CN201810192313.X在审
发明人：殷学博;陈帅;王晓媛;曾志刚 -专利权人：中国科学院海洋研究所
申请日： 2018-03-09 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： G01N21/73 文献下载
摘要：本发明涉及氢化物的检测技术，特别涉及一种氢化物的检测方法和专用装置。包括气液进样管、气液分离单元、气体中心管、雾化气进气管及液面平衡单元，其中气液分离单元和液面平衡单元的底部连通，所述气液分离单元的上方与气液进样管和气体中心管连通，所述气体中心管的末端容置于所述雾化气进气管的喷口处本方法使用氢化物雾化器系统，简化了实验流程，提高了方法灵敏度，降低了检出险，实现了ICP‑OES快速、简单、高效、准确测试氢化物元素，开启了ICP‑OES与氢化物直接进样系统联用的研究与应用，测试行业具有非常广阔的应用价值
氢化物气液分离单元气体中心液面平衡专用装置进气管进样管雾化气气液氢化物元素雾化器系统测试底部连通方法使用检测技术实验流程元素价态直接测定直接进样灵敏度排液口喷口处检测联用连通应用参考分析研究

[发明专利]掺杂镁的III－V氮化物及其制法-CN00805680.3无效
发明人：格伦·S·所罗门;戴维·J·米勒;泰特苏佐·于达 -专利权人： CBL技术公司;松下电器产业株式会社
申请日： 2000-04-13 - 公布日： 2003-04-09 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：掺杂镁的高质量III－V氮化物层及其制法。一种P型氮化镓，氮化铟，或氮化铝层可通过氢化物气相外延(HVPE)方法在兰宝石基片上生产，HVPE过程使用一种金属供料混合物，它包括镁和III族金属(Ga，In，Al)。氮化镓，氮化铟，或氮化铝层可从兰宝石基片上取下以提供一种掺杂镁的P型III－V氮化物基片，后者具有低位密度并适用于制造，例如，发光器件。
掺杂 iii 氮化物及其制法

[发明专利]分析可通过氢化反应生成氢化物气体的痕量元素的方法-CN201110363076.7无效
发明人：刘志民;王志成 -专利权人：天津重型装备工程研究有限公司;中国第一重型机械股份公司
申请日： 2011-11-16 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： G01N21/72 文献下载
摘要：本发明涉及一种分析可通过氢化反应生成氢化物气体的痕量元素的方法。该方法使用改进的雾化室，具体步骤如下：(1)通过第一蠕动泵将一部分试样溶液泵送至雾化器中，在载气作用下于雾化室中形成雾状颗粒；(2)通过第二蠕动泵将另一部分试样溶液泵送至氢化物气体发生器中，同时通过第三蠕动泵将硼氢化钾溶液泵送至氢化物发生器中，在氢化物气体发生器中试样溶液与硼氢化钾溶液反应生成氢化物气体，生成的氢化物气体经过氢化反应物入口进入雾化室，然后该氢化物气体和雾状颗粒经过炬管接口一同进入炬管到等离子体火焰中激发。
分析通过氢化反应生成氢化物气体痕量元素方法

[发明专利]氢化物气相外延生长GaN单晶用的H₃PO₄腐蚀籽晶及其制备方法-CN201110249039.3有效
发明人：郝霄鹏;张雷;吴拥中;邵永亮;张浩东 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2011-08-26 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种氢化物气相外延生长氮化镓单晶用的磷酸腐蚀籽晶及其制备方法，包括以下步骤：在衬底上生长GaN外延薄膜片，得GaN外延片；将GaN外延片浸入H3PO4溶液中腐蚀；将GaN外延片腐蚀后迅速取出放入水中终止腐蚀，得到GaN外延薄膜层面具有H3PO4腐蚀坑结构的籽晶；将上述腐蚀后具有H3PO4腐蚀坑结构的籽晶经过清洗、吹干后，放入HVPE生长系统中外延生长GaN单晶。
氢化物外延生长 gan 单晶用 sub po 腐蚀籽晶及其制备方法

[发明专利]铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的制作方法-CN200410071058.1无效
发明人：王晓亮;胡国新;王军喜;王翠梅;曾一平;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-07-28 - 公布日： 2006-02-01 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：一种铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：先在蓝宝石(0001)衬底或碳化硅(0001)衬底或硅(111)衬底晶面上采用金属有机物化学气相沉积方法或分子束外延方法或氢化物气相外延方法生长一薄层氮化铝成核层
铝镓氮氮化电子迁移率晶体管制作方法