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[发明专利]防串扰SiC MOSFET驱动电路-CN202210910736.7在审
发明人：陈广辉;赵文卓;刘敏通 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：一种防串扰SiC MOSFET驱动电路,包括:相互连接的上桥臂电路和下桥臂电路，上桥臂电路和下桥臂电路分别包括上桥臂防串扰电路和下桥臂防串扰电路；上桥臂防串扰电路通上桥臂驱动电阻接入上桥臂上管MOSFET，并且上桥臂防串扰电路中包括：连接在上桥臂驱动电阻的上桥臂关断防串扰电路和连接在上桥臂驱动电阻另一端的上桥臂开通防串扰电路；下桥臂防串扰电路通下桥臂驱动电阻接入下桥臂下管MOSFET，下桥臂防串扰电路中包括：连接在下桥臂驱动电阻的下桥臂关断防串扰电路和连接在下桥臂驱动电阻另一端的下桥臂开通防串扰电路。本发明的方案有效抑制了器件在开通和关断期间产生的串扰电压尖峰，在保证串扰被抑制的前提下，能够有效保护功率器件的安全性。
防串扰 sic mosfet 驱动电路

[发明专利]一种桥臂串扰处理方法、装置、电子设备及存储介质-CN202111336906.7在审
发明人：刘云 -专利权人：金琥新能源汽车(成都)有限公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H02M7/5387 文献下载
摘要：本申请提供了一种桥臂串扰处理方法、装置、电子设备及存储介质，涉及桥臂串扰技术领域。该桥臂串扰处理方法应用于逆变桥，逆变桥的每一桥臂均连接有串扰抑制组件，当任一桥臂导通时，获取预设周期内输入的直流电压值，然后依据周期、直流电压值以及预设的最大栅极电压公式确定目标桥臂的最大栅极电压，其中，目标桥臂与导通的桥臂关联，并且当最大栅极电压超过目标桥臂的预设栅极电压阈值时，控制串扰抑制组件动作，以防止目标桥臂发生串扰。本申请具有能够防止桥臂串扰的优点。
一种桥臂串扰处理方法装置电子设备存储介质

[发明专利]一种串扰抑制的控制电路和控制方法-CN202310166948.3在审
发明人：王旭;卢圣文;曾宏;陈彦;彭鹏;李诚;禹辉;王锦源 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，公开了一种串扰抑制的控制电路和控制方法，控制电路包括检测模块、电平翻转模块、上桥臂串扰抑制模块及下桥臂串扰抑制模块；检测PWM控制信号的下降沿产生翻转信号，对次级控制信号进行电平翻转，使能翻转后的次级控制信号交替导通上桥臂串扰抑制模块及下桥臂串扰抑制模块，在上下桥臂发生串扰之前提前吸收掉上下桥臂导通至关断时刻产生的串扰应力，从而实现对上下桥臂的串扰现象主动抑制，在不牺牲上下桥臂开关器件的开关速度、开关损耗的前提下，可高效可靠的实现对上桥臂和下桥臂的串扰现象的主动抑制，提高开关器件的可靠性，且电路结构易于实现，成本低。
一种抑制控制电路控制方法

[发明专利]一种GaN FET半桥串扰抑制电路-CN202210536004.6在审
发明人：毕闯;王娜;洪涛;贾科林 -专利权人：成都楞次科技有限公司
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H02M1/44 文献下载
摘要：本发明属于电子电路技术领域，具体涉及一种GaN FET半桥串扰抑制电路。本发明提供一种GaN半桥串扰抑制电路，利用有源器件实现串扰抑制，并防止因桥臂串扰导致GaN桥臂直通或器件击穿，抑制效果明显，能够很好的保证GaN器件的正确开通和关断。
一种 gan fet 半桥串扰抑制电路

[发明专利]一种无线充电系统的驱动电路构建方法及系统-CN202110968461.8有效
发明人：王丽芳;薄强;张玉旺;陶成轩;李芳 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：所述方法，包括：计算桥臂串扰分析拓扑中的一个SiC MOSFET关断时，与该SiCMOSFET互补的另一个SiC MOSFET的负向桥臂串扰电压；桥臂串扰分析拓扑包括依次连接的直流电源、高频逆变器、原边补偿电容、松耦合变压器、副边补偿电容、整流器和负载；高频逆变器包括四个SiC MOSFET结构；将一个SiC MOSFET关断时，与该SiC MOSFET互补的另一个SiC MOSFET的正向桥臂串扰电压置为零，根据负向桥臂串扰电压构建无线充电系统的驱动电路。
一种无线充电系统驱动电路构建方法

[发明专利]一种抑制SiC MOSFET桥臂串扰的驱动电路-CN202211031902.2在审
发明人：徐洋;王华;汪剑华;雷洋 -专利权人：派恩杰半导体（杭州）有限公司
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明涉及SiC器件驱动电路，公开了一种抑制SiC MOSFET桥臂串扰的驱动电路，其包括SiC MOSFET上桥臂和SiC MOSFET下桥臂；每个桥臂均包括串扰抑制单元和驱动单元；其驱动单元包括驱动集成单元，驱动集成单元的VCC端和VEE端均连接有驱动电源支撑单元；驱动集成单元的VOUT端连接有驱动调节单元，驱动调节单元与串扰抑制单元连接；串扰抑制单元与SiC MOSFET连接。本发明设计的驱动电路可以有效的抑制正向串扰电压和负向串扰电压，保证了SiCMOSFET器件的安全运行；延长了SiC MOSFET器件的使用寿命。
一种抑制 sic mosfet 桥臂串扰驱动电路

[发明专利]一种SiC MOSFET的驱动电路-CN202110292262.X有效
发明人：张少昆;范涛;温旭辉 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC MOSFET的驱动电路，驱动电路包括：控制模块、上桥臂电路及下桥臂电路，控制模块发出上桥臂SiC MOSFET及下桥臂SiC MOSFET的控制信号；上桥臂电路及下桥臂电路均包括：推挽电路，用于根据控制信号生成正向驱动电压或负向驱动电压；串扰抑制电路，用于基于正向驱动电压，将SiC MOSFET的栅‑源电压从零电压上升至正向驱动电压，驱动SiC MOSFET导通；或基于负向驱动电压，在正向串扰发生之前，将SiC MOSFET的栅‑源电压下降至负向驱动电压，驱动SiC MOSFET关断，从而避免了正向串扰电压尖峰误导通SiC MOSFET，并在正向串扰发生之后、负向串扰发生之前，将SiC MOSFET的栅‑源电压从负向驱动电压钳位至零电压，从而避免了负向串扰电压尖峰击穿SiC MOSFET。
一种 sic mosfet 驱动电路

[发明专利]一种eGaN HEMT桥臂串扰抑制驱动电路及其控制方法-CN201810326422.6在审
发明人：张英;秦海鸿;彭子和;修强;徐华娟 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2018-04-12 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种eGaN HEMT桥臂串扰抑制驱动电路及其控制方法，电路包括连接在上桥臂的第一供电电源与上管之间的第一驱动电路和连接在下桥臂的第二供电电源与下管之间的第二驱动电路，第一、第二驱动电路结构相同，均包括栅极电压图腾柱结构电路和低阻抗桥臂串扰抑制电路。其中，栅极电压图腾柱结构电路的输入端接第一/第二供电电源，输出端连接上管/下管的栅极，低阻抗桥臂串扰抑制电路的输入端接第一/第二供电电源，输出端分别连接上管/下管的栅极和源极。此种驱动电路可充分发挥eGaN HEMT高速开关的性能优势，在实现桥臂串扰抑制功能的同时实现高速开关。
桥臂串扰供电电源驱动电路上管下管第二驱动电路电路图腾柱结构高速开关抑制电路栅极电压低阻抗输入端第一驱动电路输出端连接性能优势上桥臂输出端源极

[发明专利]一种改进型SiC MOSFET桥臂串扰抑制驱动电路及方法-CN202010462838.8在审
发明人：刘志珍;宗沙沙 -专利权人：山东大学
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明公开了一种改进型SiC MOSFET桥臂串扰抑制驱动电路及方法，包括SiC MOSFET上桥臂和SiC MOSFET下桥臂；在每一个桥臂的SiC MOSFET栅极和源极之间，分别并联防直通电阻和由辅助三极管与辅助电容组成的串联防直通支路本发明能够有效降低在高开关频率下由于器件的快速开通关断产生的正向桥臂串扰与负向桥臂串扰现象，以提高SiC MOSFET桥式电路的工作可靠性，同时不增加电路复杂度以及在正常工作情况下对电路的开关速度没有任何影响
一种改进型 sic mosfet 桥臂串扰抑制驱动电路方法

[实用新型]一种抑制GaN HEMT半桥串扰导通的驱动电路-CN202122265003.6有效
发明人：肖龙;詹荣花;李岩;连和谬;吴正炀;周秀敏 -专利权人：闽南理工学院
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H02M1/38 文献下载
摘要：本发明涉及电力电子领域，尤其是涉及的是一种抑制GaN HEMT半桥串扰导通的驱动电路，该上桥臂电路包括第一驱动电路、第一低阻抗桥臂串扰抑制电路，该下桥臂电路包括第二驱动电路、第二低阻抗桥臂串扰抑制电路。
一种抑制 gan hemt 半桥串扰导通驱动电路

[发明专利]一种抑制SiC MOSFET串扰的低阻抗钳位驱动电路-CN202110701401.X在审
发明人：张雷;吴典;郭晓丽;秦岭;桑顺;黄杰杰;任磊 -专利权人：南通大学
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明公开了一种抑制SiC MOSFET串扰的低阻抗钳位驱动电路，包括SiC MOSFET上桥臂和下桥臂；每个桥臂都包含第一开关管、第二开关管，第一供电电压源、第二供电电压源、开通栅极电阻、关断栅极电阻本发明确保在同一桥臂中，发生正向串扰时SiC MOSFET不会误导通，发生负向串扰时不会出现反向击穿。可通过调节电阻关断栅极电阻和电阻的值调节桥臂SiC MOSFET栅极驱动负电压；且抑制串扰的辅助电路只使用无源器件，整体结构简单，容易实现。本发明适用各种型号的SiC MOSFET。
一种抑制 sic mosfet 阻抗驱动电路

[发明专利]一种抑制半桥电路串扰导通的多电平驱动电路及其控制方法-CN202111094034.8在审
发明人：肖龙;詹荣花;颜文煅;李岩;连和谬;周秀敏 -专利权人：闽南理工学院
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明涉及电力电子技术领域，尤其是涉及的是一种抑制半桥电路串扰导通的多电平驱动电路，所述电路包括上桥臂电路、下桥臂电路，该上桥臂电路与该下桥臂电路均包括控制组件、驱动电路以及串扰抑制电路。该电路在抑制串扰导通的同时，避免了宽禁带半导体器件反向续流阶段的门级反向过压，提高了宽禁带半导体器件门级的安全性。
一种抑制电路串扰导通电平驱动及其控制方法

[实用新型]一种抑制半桥电路串扰导通的多电平驱动电路-CN202122264255.7有效
发明人：肖龙;詹荣花;颜文煅;李岩;连和谬;周秀敏 -专利权人：闽南理工学院
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明涉及电力电子技术领域，尤其是涉及的是一种抑制半桥电路串扰导通的多电平驱动电路，所述电路包括上桥臂电路、下桥臂电路，该上桥臂电路与该下桥臂电路均包括控制组件、驱动电路以及串扰抑制电路。该电路在抑制串扰导通的同时，避免了宽禁带半导体器件反向续流阶段的门级反向过压，提高了宽禁带半导体器件门级的安全性。
一种抑制电路串扰导通电平驱动

[发明专利]一种抑制GaN半桥模块桥臂串扰的栅极驱动电路-CN201910425463.5有效
发明人：李斌兴;王高林;张容驰;刘少博;赵楠楠;徐殿国 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2019-05-21 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H03K17/16 文献下载
摘要：一种抑制GaN半桥模块桥臂串扰的栅极驱动电路，属于宽禁带半导体功率器件驱动技术领域，特别是涉及增强型GaN器件桥式电路串扰抑制方法。解决了使用GaN功率器件的桥式电路拓扑中，由于GaN功率器件开关速度非常快，在桥式电路拓扑中使用传统的驱动方式难以抑制串扰尖峰电压的问题。本发明包括两个典型驱动电路，且两个典型驱动电路分别用于对GaN半桥模块上桥臂中的功率开关管Q1和下桥臂的功率开关管Q2进行驱动；还包括两个辅助电路，两个辅助电路分别叠加在两个典型驱动电路后，抑制GaN半桥模块中上、下桥臂串扰尖峰电压。本发明主要用于对GaN半桥模块进行驱动。
一种抑制 gan 模块桥臂串扰栅极驱动电路

[发明专利]一种抑制GaN HEMT半桥串扰导通和门级反向过压的驱动电路及其控制方法-CN202111093950.X在审
发明人：肖龙;詹荣花;李岩;连和谬;吴正炀;周秀敏 -专利权人：闽南理工学院
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H02M1/38 文献下载
摘要：本发明涉及电力电子领域，尤其是涉及的是一种抑制GaN HEMT半桥串扰导通和门级反向过压的驱动电路，该上桥臂电路包括第一驱动电路、第一低阻抗桥臂串扰抑制电路，该下桥臂电路包括第二驱动电路、第二低阻抗桥臂串扰抑制电路
一种抑制 gan hemt 半桥串扰导通反向驱动电路及其控制方法

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