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[发明专利]源极跟随器以及源极跟随器的驱动方法-CN202210161258.4有效
发明人：王科竣;尹桭植;朴东洙 -专利权人：北京奕斯伟计算技术股份有限公司
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本申请提供一种源极跟随器以及源极跟随器的驱动方法，该源极跟随器中的信号输入端连接第三栅源电压调节模块，电源输入端连接第三栅源电压调节模块和第一恒流模块，第三栅源电压调节模块还连接第一栅源电压调节模块和第四栅源电压调节模块，第一恒流模块还连接第一栅源电压调节模块和第二栅源电压调节模块，第一栅源电压调节模块还连接第四栅源电压调节模块、第二栅源电压调节模块和第二恒流模块，第四栅源电压调节模块、第二恒流模块，第二栅源电压调节模块相互连接，并连接电源输出端，第一恒流模块、第一栅源电压调节模块和第二栅源电压调节模块相互连接，并连接信号输出端。
跟随以及驱动方法

[发明专利]发射控制驱动电路、发射控制驱动器及有机发光显示装置-CN201810054293.X有效
发明人：吴剑龙;黄秀颀;胡思明;朱晖 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2018-01-19 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： G09G3/3208 文献下载
摘要：本发明提供了一种发射控制驱动电路、发射控制驱动器及有机发光显示装置，隔离单元连接在第二电源与第一栅压控制电路和第二栅压控制电路之间；若第一栅控电压低于第二电源的电压值，所述隔离单元将所述第一栅控电压与所述第一栅压控制电路和所述第二栅压控制电路隔离；若第三栅控电压低于第二电源的电压值，所述隔离单元将所述第三栅控电压与所述第一栅压控制电路和所述第二栅压控制电路隔离。本发明的隔离单元可防止第一栅控电压和第三栅控电压过低，其所连接的晶体管栅源间电压过大，造成击穿事故。
栅压控制电路栅控电压隔离单元有机发光显示装置发射控制驱动器电源发射控制驱动电路隔离晶体管栅击穿

[发明专利]具有单个栅电源的多栅电子枪-CN201880071140.4有效
发明人： B·坎菲尔德;C·B·伍德曼 -专利权人：万睿视影像有限公司
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01J29/50 文献下载
摘要：一些实施方案包括一种系统，所述系统包括：高电压外壳；阴极，所述阴极设置在所述高电压外壳中；阳极，所述阳极设置在所述高电压外壳中；多个栅，所述多个栅设置在所述高电压外壳中、介于所述阴极与所述阳极之间；电压源，所述电压源被配置为产生公共栅电压；以及分压器，所述分压器设置在所述高电压外壳中，所述分压器被配置为基于所述公共栅电压来产生多个栅电压，并且被配置为将所述栅电压中的至少两个施加到所述栅。
具有单个电源电子枪

[发明专利]具有电容耦合到浮栅的栅极的存储器单元的编程-CN201980054776.2有效
发明人： V·马克夫;A·柯多夫 -专利权人：硅存储技术股份有限公司
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：一种存储器设备，该存储器设备具有存储器单元，每个存储器单元包括：源极区和漏极区，该源极区和漏极区之间具有沟道区；浮栅，该浮栅处于第一沟道区部分上方；选择栅，该选择栅处于第二沟道区部分上方；控制栅，该控制栅处于浮栅上方；和擦除栅，该擦除栅处于源极区上方。控制电路被配置为针对存储器单元中的一个存储器单元：施加第一编程电压脉冲，该第一编程电压脉冲包括施加到控制栅的第一电压；执行读取操作，该读取操作包括针对不同的控制栅电压检测通过沟道区的电流，以使用对应于通过沟道区的目标电流的所检测到的电流来确定目标控制栅电压；以及施加第二编程电压脉冲，该第二编程电压脉冲包括施加到控制栅的第二电压，该第二电压由第一电压、标称电压和目标电压确定。
具有电容耦合到浮栅栅极存储器单元编程

[发明专利]液晶显示器件及其驱动方法-CN200810085908.1有效
发明人：玄在元;文诚晙 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2008-06-03 - 公布日： 2008-12-17 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有栅高电压产生电路和用于防止栅高电压变化的稳压单元的液晶显示器件及其驱动方法。该液晶显示器件包括：栅高电压产生电路，用于通过利用n个(其中n是大于1的自然数)泵送单元产生栅高电压并通过输出线供应该栅高电压；以及稳压单元，用于在所述栅高电压产生电路处产生的栅高电压超过最高预定值的情形下，通过利用第(n－1)泵送单元的输出电压产生在最高预定值的范围内的栅高电压。
液晶显示器件及其驱动方法

[发明专利]一种共源共栅放大器偏置方法、装置及偏置电路-CN202111187491.1在审
发明人：徐华超;胡胜发 -专利权人：广州安凯微电子股份有限公司
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种共源共栅放大器偏置方法、装置及偏置电路，其中偏置方法包括：获取共源共栅放大器中输入管的漏源电压对应的第一最低饱和漏源电压，以及共源共栅管的漏源电压对应的第二最低饱和漏源电压；根据第一最低饱和漏源电压、第二最低饱和漏源电压，设置共源共栅管的栅偏置电压，使输入管的漏源电压大于等于第一最低饱和漏源电压，以及共源共栅管的漏源电压大于等于第二最低饱和漏源电压。本发明根据第一最低饱和漏源电压和第二最低饱和漏源电压的值，设置共源共栅管的栅偏置电压，使输入管的漏源电压大于等于第一最低饱和漏源电压，以及共源共栅管的漏源电压大于等于第二最低饱和漏源电压，从而使得共源共栅放大器能够获得稳定的增益
一种共源共栅放大器偏置方法装置电路

[发明专利]高带宽PSRR电源调节器-CN201280060113.X有效
发明人： R.G.范伊廷格;P.威尔逊 -专利权人：麦奎尔有限公司
申请日： 2012-12-04 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： G05F1/10 文献下载
摘要：电压调节器包括：功率器件，所述功率器件由NMOS晶体管形成，所述NMOS晶体管具有被耦合到输入电压的漏端子、提供输出电压的源端子和接收栅驱动信号的栅端子；以及集成AC/DC控制环路，所述集成AC/DC控制环路被配置成接入输出电压并基于输出电压相对于第一参考电压和第二参考电压的值而产生栅驱动信号AC控制部分产生栅驱动控制信号，该栅驱动控制信号被AC耦合到功率器件的栅端子作为栅驱动信号的AC分量。DC控制部分控制栅驱动信号的DC电压电平。AC控制部分由输入电压供电，而DC控制部分由大于输入电压的高源电压供电。
带宽 psrr 电源调节器

[发明专利]一种获取三栅FinFet器件的栅电容的方法及装置-CN201611192363.5有效
发明人：殷树娟;刘兴 -专利权人：北京信息科技大学
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： G06F30/3308 文献下载
摘要：一种获取三栅FinFet器件的栅电容的方法，获取费米能级与栅电压的关系模型；根据所述三栅FinFet器件的栅电容与栅电压落在绝缘层部分的压降的关系、所述栅电压落在绝缘层部分的压降与费米能级的关系、及所述费米能级与栅电压的关系模型获取单位面积栅电容；根据所述单位面积栅电容分别获取三栅FinFet器件的顶面的栅电容和侧面的栅电容，进而获取总的栅电容。本方案简化了求单位面积栅电容方法。
一种获取 finfet 器件电容方法装置

[发明专利]一种阈值电压为负的开关器件的阈值电压测试方法及系统-CN202111112577.8在审
发明人：周福斌;任永硕;王荣华;梁辉南 -专利权人：大连芯冠科技有限公司
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： G01R31/327 文献下载
摘要：本发明提供一种阈值电压为负的开关器件的阈值电压测试方法及系统。本发明方法，包括：将阈值电压为负的开关器件作为被测试器件；将被测试器件的栅源之间通过外接电阻连接，漏栅端施加偏压，量测得到漏源电流与栅源电流的总电流；基于总电流与栅源间的外接电阻计算被测器件的栅源电压或直接量测；对漏源电流与栅源电流的和与栅源电压进行拟合，取指定的漏源电流对应的栅源电压即为阈值电压。本发明通过向被测器件的漏栅端施加偏压，使其在一瞬间为导通状态，和连接电阻动态平衡，形成半导通状态，通过电阻两端电压控制栅源电压，从而控制漏源电流，形成动态平衡，通过不断切换电阻阻值，得出多组栅源电压和漏源电流进行拟合，从而得到阈值电压。
一种阈值电压开关器件测试方法系统

[发明专利]行译码电路及存储器-CN201210564385.5有效
发明人：杨光军 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-12-21 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：一种行译码电路及存储器，所述行译码电路用于向双分离栅快闪存储阵列提供字线操作电压和控制栅线操作电压，包括虚拟行译码单元、至少一个行译码单元和驱动电压产生电路，其中，所述虚拟行译码单元包括第一虚拟控制栅线电压输出端、第二虚拟控制栅线电压输出端和至少一个虚拟字线电压输出端；所述行译码单元包括第一控制栅线电压输出端、第二控制栅线电压输出端和至少一个字线电压输出端；所述驱动电压产生电路用于向所述第一控制栅线电压输出端和所述第二控制栅线电压输出端提供第三驱动电压
译码电路存储器

[发明专利]双传导编程期间的模拟浮动栅电压检测-CN200480002892.3有效
发明人： W·欧文 -专利权人：爱克舍股份有限公司
申请日： 2004-01-21 - 公布日： 2006-03-22 - 主分类号： H03K5/153 文献下载
摘要：公开了一种用于在设置模式期间检测浮动栅电路中一浮动栅上的电压的方法。该方法包括以下步骤：a)使所述浮动栅电路进入一设置模式，其中第一预定电压耦合到浮动栅电路中第二晶体管的栅极；b)使由第一晶体管检测相对于第一电压的浮动栅上的电压；c)由浮动栅电路生成一输出电压；以及d)使浮动栅上的电压修改为输出电压的函数，包括在所述设置模式期间工作在双传导模式下的第一隧道器件和第二隧道器件的控制下、修改所述浮动栅上的电荷水平，所述第一隧道器件在所述浮动栅和第一隧道电极间形成，所述第二隧道器件在所述浮动栅和第二隧道电极间形成；以及e)重复步骤b)到d)，直到浮动栅上的电压近似等于第一电压为止。
传导编程期间模拟浮动电压检测

[发明专利]基准电压源电路-CN201610191832.5有效
发明人：邵博闻 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2016-03-30 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种基准电压源电路，包括偏置电路，其第一和二NMOS管都工作于亚阈值区域并且两者之间的栅源电压相减形成正温度系数的栅源电压差到第一电阻的两端；栅源电压差产生电路包括工作于亚阈值区域的第三和四NMOS管，第三和四NMOS管串联并在第三NMOS管的源漏极形成第三和四NMOS管的栅源电压差；偏置电路和各栅源电压差产生电路形成的栅源电压差叠加到基准电压输出电路的第五NMOS管的源极，第五NMOS管的栅漏极相连并输出基准电压，第五NMOS管工作于亚阈值区域，利用各栅源电压差和和第五NMOS管的栅源电压的正负温度系数叠加形成和温度无关的基准电压。
基准电压电路

[发明专利]操作非易失性存储器单元的方法-CN201911102513.2有效
发明人：林义琅 -专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日： 2019-11-12 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：所述非易失性存储器单元包含具有浮栅的浮栅晶体管。所述方法包含在编程操作中：执行初始编程搜寻操作以判别出所述浮栅晶体管的阈值电压的第一初始值，将所述浮栅晶体管的所述浮栅耦合至第一编程电压以提升所述浮栅晶体管的所述阈值电压，执行编程搜寻操作以判别出所述阈值电压的第一变量，根据所述阈值电压的所述第一变量生成第二编程电压，及将所述浮栅晶体管的浮栅耦合至所述第二编程电压以提升所述浮栅晶体管的所述阈值电压。
操作非易失性存储器单元方法

[发明专利]显示器件及其驱动方法-CN200510077621.0有效
发明人：李周映 -专利权人： LG.菲利浦LCD株式会社
申请日： 2005-06-21 - 公布日： 2006-02-01 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：一种显示器件包括彼此相对的第一和第二基板，其中第一基板具有显示区域和非显示区域；位于第一基板上的至少一条数据线；与数据线交叉的至少一条栅线，该栅线提供有栅电压；位于显示区域中并连接到对应的栅线和数据线的至少一个像素；以及至少包括连接到第一栅线以输出第一栅电压的第一驱动单元，和连接到第二栅线以输出第二栅电压的第二驱动单元的第一驱动电路，其中第一驱动单元至少提供有起始栅电压和来自第二驱动单元以将第一栅电压输出到像素的第二栅电压
显示器件及其驱动方法

[实用新型]一种具有恒定导通电阻的模拟开关-CN201821091347.1有效
发明人：何永强;罗旭程;程剑涛;张艳萍 -专利权人：上海艾为电子技术股份有限公司
申请日： 2018-07-10 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： H03K17/14 文献下载
摘要：本申请提供一种具有恒定导通电阻的模拟开关，包括：控制电流产生电路、栅源电压产生电路和主开关管，其中，控制电流产生电路产生控制栅源电压产生电路的电流，然后由栅源电压产生电路产生主开关管所需要的栅源电压，当主开关管因温度、工艺等变化因素变化时，其导通电阻对应发生变化，而通过控制电流产生电路产生控制栅源电压产生电路输出对应的栅源电压，从而使得主开关管的栅源电压发生变化，以实时改变主开关管的栅源电压，进而使得主开关管的导通电阻保持恒定不变
产生电路栅源电压主开关管控制电流导通电阻恒定导通模拟开关控制栅源电压电阻恒定不变因素变化输出申请

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