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[发明专利]使用耦合沟道的反熔丝存储器及其操作方法-CN201210186455.8有效
发明人：卢皓彦;陈信铭;杨青松 -专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日： 2012-06-07 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开一种使用耦合沟道的反熔丝存储器及其操作方法，包括第一导电型的基底、第二导电型的掺杂区、耦合栅极、栅极介电层、反熔丝栅极及反熔丝层。基底中具有隔离结构。耦合栅极设置于掺杂区与隔离结构之间的基底上，且耦合栅极与掺杂区相邻。栅极介电层设置于耦合栅极与基底之间。反熔丝栅极设置于耦合栅极与隔离结构之间的基底上，反熔丝栅极与耦合栅极间隔一间隙。反熔丝层设置于反熔丝栅极与基底之间。
使用耦合沟道反熔丝存储器及其操作方法

[发明专利]非易失性存储器装置-CN201910231443.4在审
发明人：林媛宣 -专利权人：卡比科技有限公司
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：一种非易失性存储器装置，包括：浮接栅极元件、控制耦合元件、抹除耦合元件及选择栅极元件。浮接栅极元件包含浮接栅极层。控制耦合元件接收控制电位以耦合控制电位至浮接栅极层，以使浮接栅极元件根据控制电位、字元选择电位及位元选择电位进行读取或写入。抹除耦合元件接收抹除电位以耦合抹除电位至浮接栅极层，以根据抹除电位进行抹除。选择栅极元件电性耦接于浮接栅极元件，根据字元驱动电位及源极驱动电位产生字元选择电位。本发明的非易失性存储器装置可减少对于浮接栅极元件的栅极氧化层的损坏，并提升元件的可靠度。
电位浮接抹除栅极元件栅极层字元非易失性存储器装置控制电位控制耦合选择栅极耦合元件读取栅极氧化层驱动电位提升元件元件电性元件接收源极驱动耦合控制可靠度耦合位元耦接写入

[发明专利]存储器元件及其制造方法-CN202110266366.3在审
发明人：郭舒绮;廖宏魁;刘振强 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：存储器元件包括浮置栅极、栅间介电层、栅极耦合层与控制栅极。浮置栅极设置于基底上且具有梳状部。所述梳状部具有彼此侧向间隔开的多个条状图案。栅间介电层覆盖浮置栅极的梳状部的上表面。栅极耦合层覆盖栅间介电层。控制栅极包括立于栅极耦合层上的导电插塞，且电连接于栅极耦合层。控制栅极在垂直方向上与水平方向上电容耦合于浮置栅极的梳状部。
存储器元件及其制造方法

[发明专利]包括耦合到虚设栅极接触件的晶体管的集成器件-CN202180022548.4在审
发明人：杨海宁;李夏;杨斌 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种集成器件，包括衬底以及位于该衬底之上的第一晶体管，其中该第一晶体管包括栅极。该集成器件包括耦合到第一晶体管的栅极的第一栅极接触件，其中第一栅极接触件被配置为电耦合到该集成器件的互连件。该集成器件包括耦合到该栅极的第二栅极接触件，其中第二栅极接触件仅直接电耦合到该栅极。
包括耦合虚设栅极接触晶体管集成器件

[发明专利]低VIN高效电荷泵-CN201910400170.1有效
发明人： J·B·迪恩 -专利权人：亚德诺半导体无限责任公司
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：一种电荷泵电路，包括：第一电荷转移电路路径，耦合包括耦合到第一时钟输入的第一升压电容器、耦合到电路输入的第一充电开关以及耦合到电路输出的第一放电开关；第二电荷转移电路路径，包括耦合到第二时钟输入的第二升压电容器、耦合到电路输入的第二充电开关以及耦合到电路输出的第二放电开关；第一充电控制电路，包括耦合到第一充电开关的栅极输入的第一栅极开关、以及耦合到第二充电开关的栅极输入的第一栅极驱动电容器；以及第二充电控制电路，包括耦合到第二充电开关的栅极输入的第二栅极开关、以及耦合到第一充电开关的栅极输入的第二栅极驱动电容器。
vin 高效电荷

[发明专利]动态静电放电钳位电路-CN201410184890.6有效
发明人：陈光;程惠娟;李宏伟 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-05-04 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： H02H9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种动态ESD钳位电路，包括：一个VCC电压电源8；一个VSS接地电源9；一个用于ESD检测的栅极耦合晶体管3；连接在VCC电压电源8和栅极耦合晶体管3的栅极之间的耦合电容器1；连接在栅极耦合晶体管3和VSS接地电源9的栅极之间的一系列电阻2；钳位晶体管7，为多叉指结构，连接在VCC电压电源8和VSS接地电源9之间；反相器4，连接在栅极耦合晶体管3的漏极和钳位晶体管7的栅极之间，在ESD事件发生时，触发钳位晶体管7的栅极与漏极端子耦合；反馈晶体管5，连接在钳位晶体管7的栅极与栅极耦合晶体管3的漏极之间；连接在钳位晶体管7的栅极和VSS接地电源9的栅极之间的电阻6。
动态静电放电电路

[发明专利]用于低功率负载的两线式调光开关-CN201510054381.6有效
发明人：罗伯特·C·纽曼;克里斯托弗·J·萨尔韦斯特里尼;马修·V·哈特 -专利权人：路创电子公司
申请日： 2012-09-13 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： H05B39/04 文献下载
摘要：一种用于控制从交流电源传输到电气负载(例如，高效率照明负载)的功率大小的两线式负载控制装置(例如，调光开关)，包括耦合连接在所述电源与所述负载之间的晶闸管，耦合连接在第一主负载端与所述晶闸管的栅极之间的栅极耦合电路，以及耦合连接到所述栅极耦合电路的控制输入端的控制电路。所述控制电路产生驱动电压，用于使所述栅极耦合电路导通栅极电流，因而使所述晶闸管在交流电源的半周期中在点火时间导通，并且允许所述栅极耦合电路在该半周期中的大致剩余部分期间从点火时间起的任何时间导通所述的栅极电流，其中所述栅极耦合电路传导大致无净平均电流来呈现并保持该晶闸管导通。
用于功率负载两线式调光开关

[发明专利]一种耳机-CN201310529418.7无效
发明人：罗伯特·C·纽曼;克里斯托弗·J·萨尔韦斯特里尼;马修·V·哈特 -专利权人：路创电子公司
申请日： 2012-09-13 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： H05B39/04 文献下载
摘要：一种用于控制从交流电源传输到电气负载(例如，高效率照明负载)的功率大小的两线式负载控制装置(例如，调光开关)，包括耦合连接在所述电源与所述负载之间的晶闸管，耦合连接在第一主负载端与所述晶闸管的栅极之间的栅极耦合电路，以及耦合连接到所述栅极耦合电路的控制输入端的控制电路。所述控制电路产生驱动电压，用于使所述栅极耦合电路导通栅极电流，因而使所述晶闸管在交流电源的半周期中在点火时间导通，并且允许所述栅极耦合电路在该半周期中的大致剩余部分期间从点火时间起的任何时间导通所述的栅极电流，其中所述栅极耦合电路传导大致无净平均电流来呈现并保持该晶闸管导通。
一种耳机

[发明专利]用于低功率负载的两线式调光开关-CN201280055749.5有效
发明人：罗伯特·C·纽曼;克里斯托弗·J·萨尔韦斯特里尼;马修·V·哈特 -专利权人：路创电子公司
申请日： 2012-09-13 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： H05B39/04 文献下载
摘要：一种用于控制从交流电源传输到电气负载(例如，高效率照明负载)的功率大小的两线式负载控制装置(例如，调光开关)，包括耦合连接在所述电源与所述负载之间的晶闸管，耦合连接在第一主负载端与所述晶闸管的栅极之间的栅极耦合电路，以及耦合连接到所述栅极耦合电路的控制输入端的控制电路。所述控制电路产生驱动电压，用于使所述栅极耦合电路导通栅极电流，因而使所述晶闸管在交流电源的半周期中在点火时间导通，并且允许所述栅极耦合电路在该半周期中的大致剩余部分期间从点火时间起的任何时间导通所述的栅极电流，其中所述栅极耦合电路传导大致无净平均电流来呈现并保持该晶闸管导通。
用于功率负载两线式调光开关

[发明专利]降低开关转换器应用中开关接通电阻的栅极驱动技术-CN202180062761.8在审
发明人： T·郭;J·D·鲁特科夫斯基;S·穆赫吉 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H03K17/0812 文献下载
摘要：一种用于驱动开关模式电源(SMPS)电路的晶体管栅极的技术和设备。一个示例电源电路通常包括具有开关晶体管的开关转换器和具有耦合到开关晶体管栅极的输出的栅极驱动器。栅极驱动器包括：第一开关装置，耦合在栅极驱动器的输出与第一电压轨之间；第二开关装置，耦合在栅极驱动器的输出与栅极驱动器的电压节点之间；第三开关装置，耦合在栅极驱动器的电压节点与第二电压轨之间；以及电压钳，与第四开关装置串联耦合，电压钳和第四开关装置耦合在第三电压轨与电压节点(或栅极驱动器的输出)之间。
降低开关转换器应用接通电阻栅极驱动技术

[发明专利]半导体装置以及相关联的方法-CN201610685412.2有效
发明人：马塞厄斯·罗斯;简·雄斯基 -专利权人：耐智亚有限公司
申请日： 2016-08-18 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：半导体装置(200)包括管芯源极端(222)、管芯漏极端(224)和管芯栅极端(226)；半导体管芯(202)；提供于该半导体管芯上的绝缘栅极耗尽型晶体管(203)，该绝缘栅极耗尽型晶体管包括耗尽源极端(204)、耗尽漏极端(206)和耗尽栅极端(208)，其中该耗尽漏极端耦合到该管芯漏极端且该耗尽栅极端耦合到该管芯源极端；增强型晶体管(213)，该增强型晶体管(213)包括增强源极端(214)、增强漏极端(216)和增强栅极端(218)，其中该增强源极端耦合到该管芯源极端，该增强栅极端耦合到该管芯栅极端并且该增强漏极端耦合到该耗尽源极端；以及箝位电路(230)，该箝位电路(230)耦合在该耗尽源极端与该耗尽栅极端之间
半导体装置以及相关方法

[发明专利]用于高电压应用的快速高侧功率FET栅极感测电路-CN201410393707.3有效
发明人：政·李;詹伟钟 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2014-08-12 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H02M3/156 文献下载
摘要：本申请案涉及用于高电压应用的快速高侧功率FET栅极感测电路。本发明涉及一种用于感测功率FET的栅极电压的电路。切换电路包含具有高电压额定值的切换FET，其漏极耦合到所述功率FET的栅极，且其源极耦合到输出节点。第一反馈回路耦合到所述切换FET的栅极以促进感测上升的栅极电压。第二反馈回路耦合到所述切换FET的所述栅极以促进感测下降的栅极电压。
用于电压应用快速功率 fet 栅极电路

[发明专利]使用电容性耦合钳位电路用于保护低电压磁芯晶体管免受高电压输出的ESD保护-CN201010148208.X有效
发明人：邝国权;吴植伟;苏伟杰;关兴杰 -专利权人：香港应用科技研究院有限公司
申请日： 2010-03-19 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：n-通道输出晶体管的栅极的内部节点连接n-通道栅极接地晶体管的漏极并接地。栅极接地晶体管的栅极是一个栅极耦合节点，其通过ESD耦合电容器被耦合到输出，并通过n-通道禁止晶体管和漏泄电阻器被接地。n-通道禁止晶体管的栅极被连接到电源，并在接通电源时禁止ESD保护电路。一个被施加到输出的ESD脉冲通过ESD耦合电容器被耦合以升高栅极耦合节点的脉冲，并打开栅极接地晶体管以将n-通道输出晶体管的栅极接地，其亦击穿以将ESD电流分流。通过栅极接地晶体管的保护，免除了ESD脉冲通过n-通道输出晶体管的寄生米勒电容器的耦合而进入磁芯电路。
使用电容耦合电路用于保护电压晶体管免受输出 esd

[发明专利]每一存储单元电荷存储元件具有双重控制栅极的闪速存储单元阵列-CN200380104733.X有效
发明人：埃利亚胡·阿拉里 -专利权人：桑迪士克股份有限公司
申请日： 2003-10-09 - 公布日： 2006-01-11 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本发明揭示一种闪速NAND型EEPROM系统，其中一电荷存储元件(例如浮动栅极)阵列中的各单独电荷存储元件与至少两条控制栅极线电容性耦合。所述控制栅极线较佳定位于浮动栅极之间以便与浮动栅极的侧壁耦合。结果，存储单元耦合比合乎期望地增大。一所选行的浮动栅极的相对侧上的两条控制栅极线通常被升高至相同电压，同时耦合至紧邻所选行并位于所选行的相对侧上的未选行的浮动栅极的第二控制栅极线则保持低电压。为选择性地在所选浮动栅极的区域中升高衬底电压，控制栅极线也可与衬底电容性耦合。可通过形成一间隔层蚀刻掩膜使浮动栅极的长度及控制栅极线的厚度小于工艺的最小分辨元件。
每一存储单元电荷元件具有双重控制栅极阵列

[发明专利]半导体器件-CN202211285125.4在审
发明人：长田尚 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：该半导体器件包括半导体衬底、形成在半导体衬底上的多个IGBT(绝缘栅双极型晶体管)、栅极电极、耦合到IGBT的栅极的多个栅极导线，以及耦合到栅极电极和多个栅极导线的栅极电阻器，其中栅极电阻器包括电阻元件、耦合栅极电极和电阻元件的第一接触件、以及多个第二接触件，每个第二接触件对应于多个栅极导线中的每个栅极导线并且分别耦合到电阻元件和对应的栅极导线，并且其中多个第二接触件中的每个第二接触件形成在距第一接触件的不同距离处
半导体器件

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