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[发明专利]带有背侧本体接触部的深沟槽有源器件-CN201780054488.8在审
发明人： S·格科特佩里;S·法内利 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2017-08-03 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种集成电路可以包括具有栅极指状件的栅极。集成电路还可以包括本体，其具有与栅极的栅极指状件互锁的半导体柱。集成电路还可以包括被耦合到本体的(多个)背侧接触部。集成电路还可以包括背侧金属化物。背侧金属化物可以通过(多个)背侧接触部被耦合到本体。
集成电路背侧接触部金属化物指状件耦合到半导体柱深沟槽源器件互锁

[发明专利]具有宽调节电压范围的混合电压调节器-CN202180047029.3在审
发明人： M·哈菲齐 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G05F1/59 文献下载
摘要：在某些方面中，一种电压调节器包括传输n型场效应晶体管(NFET)和传输p型场效应晶体管(PFET)传输n型场效应晶体管被耦合在第一电压轨与第二电压轨之间，传输p型场效应晶体管被耦合在第一电压轨与第二电压轨之间电压调节器还包括具有输出的第一放大器、被耦合在第一放大器的输出与传输NFET的栅极之间的第一开关、具有输出的第二放大器以及被耦合在第二放大器的输出与传输PFET的栅极之间的第二开关、被耦合在传输NFET的栅极与接地之间的第三开关以及被耦合在传输PFET的栅极与第二电压轨之间的第四开关。
具有调节电压范围混合调节器

[发明专利]具有2T存储器单元的存储器阵列-CN03812010.0无效
发明人： V·卡亚尔 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2003-05-09 - 公布日： 2005-08-17 - 主分类号： G11C11/405 文献下载
摘要：为了结合DRAM的紧凑以及SRAM的速度和不复杂工艺的优势，本发明提出一种具有多个存储器单元的存储器阵列，每一存储器单元包括：存储器晶体管，其具有与所述阵列的字线耦合的漏极，与所述阵列的位线耦合的源极，和栅极；和控制晶体管，其具有与所述存储器晶体管的栅极耦合的漏极，与所述位线耦合的源极，和与所述字线耦合的栅极。
具有存储器单元阵列

[发明专利]低寄生电容低噪声放大器-CN201880062330.X在审
发明人： S·格科特佩里 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2018-08-27 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：第一晶体管包括源极区域、漏极区域和栅极。LNA设备还包括被耦合到栅极的第一侧栅极接触。LNA设备还包括被耦合到源极区域的第二侧源极接触。LNA设备还包括被耦合到漏极区域的第二侧漏极接触。
寄生电容低噪声放大器

[发明专利]用于减少闪存存储器系统中字线和控制栅极线之间的耦合的方法和装置-CN201810626274.X有效
发明人：钱晓州;K.M.岳;罗光燕 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2018-06-15 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H10B41/41 文献下载
摘要：用于减少闪存存储器系统中字线和控制栅极线之间的耦合的方法和装置。本发明公开了一种方法和装置，以用于减少由于寄生电容和寄生电阻而导致闪存存储器系统中的字线和控制栅极线之间原本可能出现的耦合。所述闪存存储器系统包括被组织成行和列的闪存存储器单元的阵列，其中每行被耦合到字线和控制栅极线。
用于减少闪存存储器系统中字线控制栅极之间耦合方法装置

[发明专利]用于功率开关的多感测电路-CN201811556757.3有效
发明人： M·纽布灵;T·勒韦 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H03K17/082 文献下载
摘要：一种多感测电路包括：晶体管电路，其具有感测节点和栅极节点；峰值检测器，其具有耦合到晶体管电路的感测节点的输入和输出；以及控制电路，其具有耦合到晶体管电路的栅极节点的栅极控制节点和耦合到峰值检测器的输出的过电流保护节点
用于功率开关多感测电路

[发明专利]用于无线电力传输系统的辅助电源掉电保护-CN202180011656.1在审
发明人： C·罗奇福德;M·达尼洛维奇 -专利权人：韦特里西提公司
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H02J50/10 文献下载
摘要：本公开的特点是用于保护无线电力接收器的晶体管的电路和方法，该无线电力接收器能够由辅助电源供电的栅极驱动器控制。该电路能够包括：比较器，该比较器被配置为生成指示辅助电源的值与预定阈值的比较的信号；以及故障锁存器，该故障锁存器被耦合到比较器。故障锁存器能够被配置为基于所生成的信号来触发，并且将信号传输到栅极驱动器的相应输入以使得晶体管的相应栅极处于锁定状态。分别被耦合到栅极驱动器的开关能够被配置为将栅极驱动器的相应输出与相应晶体管栅极断开连接。分别被耦合到相应晶体管栅极的栅极保持电路能够被配置为将相应晶体管栅极的锁定状态维持一时间段。
用于无线电力传输系统辅助电源掉电保护

[发明专利]漏极辅助供电生成电路-CN202210765373.2在审
发明人： O·拉扎罗;T·B·莫金;Y·K·拉马达斯 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：示例装置(204)包括：具有控制输出端子的栅极驱动器(226)；具有栅极端子和第一电流端子的功率晶体管(228)，该栅极端子耦合到控制输出端子；以及漏极导出供电电路系统(232)，其具有耦合到第一电流端子的输出
辅助供电生成电路

[发明专利]具有薄板内联机的半导体封装-CN200680033342.7有效
发明人：孙明;石磊;何约瑟;刘凯;张晓天 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2006-09-12 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体封装，包括一具有漏极、源极、栅极引脚的导线架，一半导体晶粒耦合该导线架，半导体晶粒具有金属化源极区域与栅极区域，其藉由一保护区域分开，一图案化源极连接，其耦合源极引脚至半导体晶粒金属化栅极区域，一半导体晶粒汲极区域耦合至漏极引脚，及一封装体覆盖半导体晶粒及漏极、源极与栅极引脚的至少一部分。
具有薄板联机半导体封装

[发明专利]电荷泵电路-CN201610072649.3有效
发明人：阿伦·罗思;艾瑞克·苏恩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-02-02 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：晶体管具有与输入端耦合的第一源极/漏极(S/D)端、与输出端耦合的第二S/D端以及栅极端。第一电容性器件具有与晶体管的栅极端耦合的第一端部以及配置为接收第一驱动信号的第二端部。第一二极管器件具有与晶体管的第二S/D端耦合的阴极以及与晶体管的栅极端耦合的阳极。第二二极管器件具有与晶体管的栅极端耦合的阴极以及与晶体管的第二S/D端耦合的阳极。
电荷电路

[发明专利]无线充电系统中整流电压的自适应提升-CN202211200341.4在审
发明人：张志荣;陈建民 -专利权人：意法半导体亚太私人有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H02M7/217 文献下载
摘要：一种无线功率接收器包括整流器，整流器具有耦合到接收器线圈的第一端子和第二端子的第一输入和第二输入，并且具有耦合到接地的第一输出和第二输出，在第二输出处整流电压被产生。第一开关耦合在第二输入和接地之间，并且由在第一节点生成的第一栅极电压控制。第二开关耦合在第一节点和接地之间，并且由第二栅极电压控制。当整流电压小于阈值电压时，第一栅极电压闭合第一开关以将第二输入耦合到接地，从而提升整流电压。当整流电压大于阈值电压时，第二栅极电压闭合第二开关以使得第二栅极电压被拉到接地，从而限制整流电压的提升。
无线充电系统整流电压自适应提升

[发明专利]具有金属可编程拐点频率的去耦电容器-CN201780072044.7有效
发明人：赵安迪;R·维兰谷迪皮查;D·库玛 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2017-09-28 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种MOS IC包括pMOS晶体管，每个pMOS晶体管具有pMOS晶体管漏极、源极和栅极。每个pMOS晶体管栅极在第一方向上延伸并且耦合到其他pMOS晶体管栅极。每个pMOS晶体管源极/漏极耦合到第一电压源。MOS IC进一步包括在pMOS晶体管之上延伸的第一金属互连(310)。第一金属互连具有第一端(312)和第二端(314)。第一金属互连耦合到每个pMOS晶体管栅极，并且耦合到小于第一电压源的第二电压源。每个pMOS晶体管栅极或第二电压源中的一者通过位于第一端与第二端之间的至少一个分接点(316)耦合到第一金属互连。
具有金属可编程拐点频率电容器

[发明专利]耦合到多个感测晶体管的功率晶体管-CN201980051009.6在审
发明人： K·约达尔;M·朱;V·克里希纳穆尔蒂;T·哈约诺;A·乔汉;V·赫格德;M·斯里瓦斯塔瓦 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：一种电子设备，其包括：第一半导体管芯(102)；集成在第一半导体管芯中的功率晶体管(104)，该功率晶体管包括第一栅极(104g)、第一端子(104s)和第二端子(104d)；集成在第一半导体管芯中的第一感测晶体管(106)，第一感测晶体管包括第二栅极(106g)、第三端子(106s)和第四端子(106d)，第二栅极耦合到第一栅极，并且第四端子耦合到第二端子；具有第一温度系数的第一电阻器(106R)；集成在第一半导体管芯中的第二感测晶体管(108)，第二感测晶体管包括第三栅极(108g)、第七端子(108s)和第八端子(108d)，第三栅极耦合到第一栅极，并且第八端子耦合到第二端子；以及具有第二温度系数的第二电阻器(108R)。
耦合到多个感测晶体管功率

[发明专利]用于功率转换装置的栅极驱动电路-CN201780045108.4有效
发明人：卢俊诚;H.白 -专利权人：黑拉有限责任两合公司
申请日： 2017-07-20 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H03K17/16 文献下载
摘要：一种装置包括栅极驱动电路和GaN HEMT开关，其中栅极驱动电路具有栅极驱动输出以响应于栅极控制信号产生栅极驱动信号。所述开关具有通过栅极驱动电阻器被连接到栅极驱动电路的栅极。所述栅极驱动电路包括NPN（或NMOS）接通晶体管和PNP（或PMOS）关断晶体管。所述栅极驱动电路包括被耦合到接通晶体管的、具有第一电阻的接通电阻器和被耦合到关断晶体管的、具有第二电阻的关断电阻器。所述接通和关断晶体管、栅极驱动电阻器、开关器件，但不是接通和关断电阻器被布置在集成电路中以减少栅极驱动环路电感。所述第一和第二电阻可以是不同的，以调整所述开关器件的接通和关断速度。
用于功率转换装置栅极驱动电路

[发明专利]一种源漏外延场效应晶体管栅围电容的建模方法-CN201911264350.8有效
发明人：李相龙;田明;王昌锋;刘人华;孙亚宾;李小进;石艳玲;廖端泉;曹永峰 -专利权人：华东师范大学;上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明公开了一种源漏外延场效应晶体管栅围电容的建模方法，本发明将源漏外延器件的栅围电容分为栅极与插塞耦合电容CCO、栅极与底层互连金属M1耦合电容CPM和栅极与源漏耦合电容CGSD三类，设计了四类不同的测试结构，用于提取三类栅围寄生电容。通过对四种测试结构的测试值统计分析，逐步将栅极与插塞耦合电容CCO、栅极与底层互连金属M1耦合电容CPM和栅极与源漏耦合电容
一种外延场效应晶体管电容建模方法

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