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- [发明专利]沟槽栅器件的栅极串联电阻-CN202010326494.8有效
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李昊
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2020-04-23
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2023-10-24
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H01L29/423
- 本发明公开了一种沟槽栅器件的栅极串联电阻，沟槽栅器件的有源区中形成有多个并联的沟槽栅，沟槽栅包括第一沟槽和形成于第一沟槽内的栅氧化层和多晶硅栅；多晶硅栅通过对应的栅极总线连接到栅极焊盘；栅极总线包括多级，所需的栅极串联电阻设置在两级相邻的栅极总线之间并实现两级栅极总线之间的连接，栅极串联电阻包括第二沟槽、形成于第二沟槽内的隔离氧化层和多晶硅电阻；多晶硅栅通过顶部对应的接触孔连接到对应的栅极总线；多晶硅电阻通过顶部对应的接触孔连接到对应的栅极总线本发明不需要增加额外的光罩来定义栅极串联电阻，从而能降低成本。
- 沟槽器件栅极串联电阻
- [发明专利]功率芯片-CN202111539430.7在审
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姚尧;罗海辉;肖强;梁利晓;刘葳;管佳宁;覃荣震
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株洲中车时代半导体有限公司
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2021-12-15
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2022-03-22
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H01L29/423
- 本发明公开了一种功率芯片，包括芯片本体，包括由多个元胞组成的至少一个有源区；与所述有源区对应设置的发射极焊盘；栅极焊盘，设置在所述芯片本体上，且与所述发射极焊盘位于同侧；环形的栅极总线，设置在所述有源区周围，且与所述发射极焊盘位于同侧；片上栅极电阻，分别与所述环形的栅极总线以及所述栅极焊盘连接；其中，所述环形的栅极总线的宽度与距离所述栅极焊盘的距离成反比。即：栅极总线离栅极焊盘越远，栅极总线的宽度越小。这样，改善了栅极信号在栅极总线上传输的一致性，从而提高了距离栅极焊盘远、近不同的元胞之间的开关一致性，进而改善了元胞均流，提高了功率芯片工作的鲁棒性与可靠性。
- 功率芯片
- [发明专利]显示装置及其驱动方法-CN200880018765.0有效
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村井淳人;高桥浩三
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夏普株式会社
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2008-01-28
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2010-03-24
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G09G3/36
- 在各行的上下两侧具备栅极总线。在相邻的2根源极总线与2根栅极总线所包围的区域中，形成2个子像素。在奇数行(PsO)中，对于所述2个子像素中左侧的子像素，通过上侧的栅极总线提供扫描信号，通过左侧的源极总线提供视频信号。另一方面，对于右侧的子像素，通过下侧的栅极总线提供扫描信号，通过右侧的源极总线提供视频信号。在偶数行(PsE)中，提供扫描信号的栅极总线与奇数行(PsO)的相反。逐根依次地选择栅极总线，使得在各水平扫描期间内，所有视频信号的极性均相同。
- 显示装置及其驱动方法
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