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[发明专利]一种外露双芯并联封装体、封装方法及PCB板-CN202211040916.0在审
发明人：梁志忠;李明芬;陈育锋 -专利权人：合肥大网格技术合伙企业（有限合伙）
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：该装置包括引线框架、第一芯片、第二芯片、露极导电板、源极导电板、栅极导电板和塑封体；第一芯片的露极和第二芯片的露极分别通过基岛和露极导电板连接至露极引脚；第一芯片的源极和第二芯片的源极均通过源极导电板连接至源极引脚；第一芯片的栅极和第二芯片的栅极均通过栅极导电板连接至栅极引脚；其中，露极导电板至少部分外露于塑封体。
一种外露并联封装方法 pcb

[发明专利]一种充分外露型双芯并联封装体、封装方法及PCB板-CN202211040889.7在审
发明人：梁志忠;李明芬;陈育锋 -专利权人：合肥大网格技术合伙企业（有限合伙）
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：该装置包括引线框架、第一芯片、第二芯片、露极导电板、源极导电板、栅极导电板和塑封体；第一芯片的露极和第二芯片的露极分别通过基岛和露极导电板连接至露极引脚；第一芯片的源极和第二芯片的源极均通过源极导电板连接至源极引脚；第一芯片的栅极和第二芯片的栅极均通过栅极导电板连接至栅极引脚；其中，露极导电板完全外露于塑封体。
一种充分外露型双芯并联封装方法 pcb

[实用新型]一种阵列基板及显示装置-CN201720969437.5有效
发明人：蒙冰美;季金 -专利权人：信利半导体有限公司
申请日： 2017-08-04 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：该阵列基板包括位于显示区域内的多条栅线和数据线，位于非显示区域内的多条栅极引线和源极引线，所述栅极引线分别连接所述栅线和IC引脚，所述源极引线分别连接数据线和IC引脚；至少一栅极引线的两端上并联有第一辅助线该阵列基板中的栅极引线和源极引线就算被ESD击穿损坏也可正常工作，无需后期进行修复。
一种阵列显示装置

[发明专利]超薄微型贴片微功耗声控传感器用封装芯片及其封装方法-CN201410046978.1有效
发明人：周祥兵 -专利权人：扬州江新电子有限公司
申请日： 2014-02-11 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供了微电子元器件技术领域内的一种超薄微型贴片微功耗声控传感器用封装芯片，包括封装在塑封体内的芯片、引线、框架和栅极引脚，栅极引脚及作为源极、漏极的边侧引脚从塑封体中伸出；边侧引脚厚度为0.09~0.11mm；框架的厚度为0.03~0.05mm，框架的下表面与边侧引脚的下表面位于同一平面内，封装芯片整体塑封厚度为0.3~0.35mm，其中，框架的下表面与边侧引脚的下表面局部塑封厚度为0.025~
超薄微型贴片微功耗声控传感器用封装芯片及其方法

[发明专利]晶体管器件的静电放电保护-CN201910082349.7有效
发明人：霍斯特·克内德根;克里斯托夫·N·纳格尔;里波莎·吉拉卡 -专利权人： DIALOG半导体（英国）有限公司
申请日： 2019-01-28 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：所述过压保护电路包括耦合到晶体管器件的栅极端子的第一引脚、耦合在第二引脚和晶体管器件的源极端子之间的静电放电保护电路、耦合在第一引脚和第二引脚之间的第一二极管，以及与所述第一二极管并联耦合在第一引脚和第二引脚之间的第二二极管另外，提出了一种测量晶体管器件的栅极漏电流的方法和一种耦合到这种过电压保护电路的晶体管器件的接合方法。
晶体管器件静电放电保护

[发明专利]低功率元件自动测试电路-CN201110304004.5有效
发明人：吴穷 -专利权人：神讯电脑（昆山）有限公司
申请日： 2011-10-10 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H03K3/3565 文献下载
摘要：本发明揭示一种低功率元件自动测试电路，包括：六角反相施密特触发器，具有基准电压引脚、第一输入引脚、第二输入引脚、输出引脚，所述基准电压引脚接基准电压，所述输出引脚输出方形波；晶体管，具有源极、栅极和漏极，所述源极接基准电压，所述漏极输出控制电流；反馈电阻，第一端接所述六角反相施密特触发器的输出引脚，第二端接所述晶体管的栅极；RC振荡电路，包括振荡电阻和振荡电容，所述振荡电阻一端接所述六角反相施密特触发器的第一输入引脚、另一端接所述反馈电阻的第二端，所述振荡电容一端接所述六角反相施密特触发器的第二输入引脚、另一端接所述反馈电阻的第二端。
功率元件自动测试电路

[实用新型]一种GaN封装芯片结构与电子装置-CN202222803700.7有效
发明人：郑凌波;王福龙 -专利权人：深圳市力生美半导体股份有限公司
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本申请涉及一种GaN封装芯片结构与电子装置，GaN封装芯片结构包括引线框架、GaN芯片和塑封体，引线框架包括散热载片、第一引脚和两个第二引脚，第一引脚和散热载片一体成型，两个第二引脚设置在第一引脚的两侧；GaN芯片设置在散热载片上，GaN芯片的栅极和第一引脚电性连接，GaN芯片的源极和GaN芯片的漏极分别对应连接一个第二引脚；塑封体固定设置在散热载片上，塑封体密封GaN芯片，塑封体还固定连接第二引脚。本申请通过将GaN芯片的栅极和中间的第一引脚连接，使得整个散热载片在使用过程中和地线连接，在加装金属散热片时具有无需对金属散热片进行额外的绝缘处理的效果。
一种 gan 封装芯片结构电子装置

[实用新型]一种转换型功能继电器-CN201820922893.9有效
发明人：阳琳玲 -专利权人：厦门市硅兆光电科技有限公司
申请日： 2018-06-14 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01H47/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种转换型功能继电器，其包括输入端、输出端、发光二极管、光敏二极管阵列、耗尽型MOS管M1和增强型MOS管M2；所述输入端包括正极输引脚和负极输入引脚；所述输出端包括公共引脚、常闭引脚和常开引脚；所述发光二极管的阳极连接正极输入引脚，阴极连接负极输入引脚；所述光敏二极管阵列靠近发光二极管，所述光敏二极管阵列的阳极连接耗尽型MOS管M1的栅极，而耗尽型MOS管M1的漏极连接常闭引脚，源极连接公共引脚；所述增强型MOS管M2的栅极连接光敏二极管阵列的阴极，增强型MOS管M2的漏极连接常开引脚，源极则连接公共引脚。
引脚光敏二极管阵列发光二极管耗尽型MOS 公共引脚增强型阴极本实用新型功能继电器负极输入引脚阳极连接输出端输入端转换型常闭漏极继电器正极无触点切换机械动作开关频率使用寿命源极连接栅极连接正极输入

[实用新型]半导体MOS器件结构-CN202320004987.9有效
发明人：田伟;廖兵 -专利权人：苏州达晶半导体有限公司
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本实用新型公开一种半导体MOS器件结构，其一环氧封装体包覆于MOS芯片、金属支撑片和栅极引脚、漏极引脚和源极引脚各自的焊接端上，漏极引脚进一步包括基板区和宽度小于基板区宽度的引脚条区，此引脚条区位于基板区一侧端，MOS芯片下表面的漏极区与一陶瓷片之间通过导电焊膏层连接，漏极引脚的基板区上间隔地开有若干个通孔，此基板区位于导电焊膏层内；漏极引脚的引脚条区位于栅极引脚和源极引脚之间，位于陶瓷片下表面的凸起块嵌入金属支撑片的贯通区内
半导体 mos 器件结构

[发明专利]智能功率模块、智能功率模块的制备方法和电力电子设备-CN201710188658.3在审
发明人：冯宇翔 -专利权人：广东美的制冷设备有限公司
申请日： 2017-03-27 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种智能功率模块、智能功率模块的制备方法和电力电子设备，其中，智能功率模块包括导电组件层，设有电路布线和多个器件引脚部，电路布线用于连通多个器件引脚部；多个MOSFET功率器件，多个MOSFET功率器件的底侧面焊接于器件引脚部的顶侧面；栅极驱动器件，设于每个MOSFET功率器件的顶侧面；封装外壳，完全包覆于电路布线、MOSFET功率器件和栅极驱动器件，其中，器件引脚部自封装外壳的内侧向外侧伸出，MOSFET功率器件、电路布线和栅极驱动器件中的任两个之间通过邦定线连接。
智能功率模块制备方法电力电子设备

[发明专利]一种开关管驱动电路-CN202210947737.9在审
发明人：何海滨;唐强国;刘晓博 -专利权人：深圳市高斯宝电气技术有限公司
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H03K17/081 文献下载
摘要：本发明公开了一种开关管驱动电路，包括隔离栅极驱动器、三极管开关电路、第一反抽二极管、PWM信号输入端和PWM信号输出端，隔离栅极驱动器的阳极引脚接第一辅助电源，阴极引脚通过三极管开关电路接地，NPN三极管开关电路的控制端通过第一限流电阻接PWM信号输入端；第一反抽二极管的阴极接PWM信号输入端，阳极接三极管开关电路的控制端；隔离栅极驱动器的电源输入引脚接第二辅助电源，输出引脚接PWM信号输出端。
一种开关驱动电路

[发明专利]一种MOS晶体管阵列栅氧化层完整性测试结构-CN201210533034.8有效
发明人：程凌霄 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-12-11 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供一种MOS晶体管阵列栅氧化层完整性测试结构，至少包括：MOS晶体管矩形阵列；多晶硅连线结构，包括多个位于相邻两栅极引脚之间且沿栅极引脚排列方向延伸的多晶硅分线、以及位于所述MOS晶体管矩形阵列第二侧的连接各该多晶硅分线的多晶硅总线；绝缘结构；以及包括栅极连线、源漏极连线、及体极连线的金属连线结构。本发明采用多晶硅连接各该栅极引脚，只需采用一层金属层就能将MOS晶体管阵列的四个电极分别连接至测试点，大大地节省了工艺制作成本及时间成本，而且只需要进行一次金属沉积，降低了对后续其它制程的影响。
一种 mos 晶体管阵列氧化完整性测试结构

[发明专利]一种光模块-CN202110845205.X在审
发明人：吴涛;金爽 -专利权人：青岛海信宽带多媒体技术有限公司
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H04B10/40 文献下载
摘要：第一场效应管的栅极与金手指的第一电源引脚连接，接入光模块工作电压，源极与金手指的第二电源引脚连接，漏极与寄存器的启动引脚连接。第二场效应管的栅极与MCU供电引脚连接，源极接地连接，漏极与第一场效应管的源极连接。当第二电源引脚的电压为高电压时，启动引脚与第二电源引脚导通，启动引脚的电位接近阈值的高电位，此时金手指上的第一通信引脚和第二通信引脚用于I2C通信，实现将固件应用程序写入寄存器，不必对光模块进行拆卸，提高工作效率当第二电源引脚的电压为低电压时，第一通信引脚和第二通信引脚不用于I2C通信。
一种模块

[发明专利]一种GaN基级联型功率器件及其制备方法-CN201910928826.7在审
发明人：王洪;武智斌;周泉斌;高升 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-09-28 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基级联型功率器件及其制备方法，功率器件包括引脚框架，所述引脚框架包括基岛，与基岛相连的栅极电极引脚、源极电极引脚和漏极电极引脚；基岛的上表面连接PCB板，所述PCB板上表面设有第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽的上表面设有凹槽焊盘，凹槽焊盘的上表面连接硅基器件，第二凹槽的上表面连接GaN功率器件；PCB板上表面设有焊盘，硅基器件与焊盘电气连接，焊盘与栅极电极引脚电气连接，GaN功率器件分别与焊盘和漏极电极引脚电气连接
焊盘引脚电气连接上表面功率器件硅基器件基岛漏极电极引脚框架栅极电极级联型通孔散热性能源极电极制备工艺制备

[发明专利]双晶体管的封装结构及使用该封装结构的供电电路-CN201310350529.1有效
发明人：彭勃;苏聪贤 -专利权人：鸿富锦精密工业(武汉)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2013-08-13 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：一种双晶体管的封装结构，包括一本体及第一至第五功能引脚，所述第一至第三功能引脚构成所述双晶体管中第一晶体管的栅极、漏极及源极，所述第三至第五功能引脚构成所述双晶体管中第二晶体管的漏极、栅极及源极；所述第一及第二功能引脚设置于所述本体的第一侧边，所述第三及第四功能引脚设置于相对于所述本体第一侧边的第二侧边上，所述第五功能引脚设置于所述本体的底部。上述双晶体管的封装结构中将第三功能引脚设置于本体的第二侧边上，进而使得在多相供电电路布线时节约了空间。
双晶封装结构使用供电电路