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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201510451122.7有效
发明人：钟汇才;罗军;殷华湘;朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2015-07-28 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：该半导体结构可以包括：衬底；在衬底上沿第一方向延伸的鳍；在衬底上沿与第一方向交叉的第二方向延伸从而与鳍相交的多个器件栅堆叠，各器件栅堆叠在侧壁上形成有侧墙，所述多个器件栅堆叠包括相邻的第一器件栅堆叠和第二器件栅堆叠；在第一器件栅堆叠和第二器件栅堆叠之间形成的伪栅堆叠，伪栅堆叠在侧壁上形成有侧墙；在各栅堆叠之间延伸的导电材料。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]形成半导体器件替代栅的方法以及制造半导体器件的方法-CN201210500533.7有效
发明人：许高博;徐秋霞 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-11-29 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供形成半导体器件替代栅的方法以及制造半导体器件的方法。所述方法包括：提供半导体衬底，包括N型区域和P型区域；在N型区域和P型区域上分别形成牺牲栅堆叠，每个牺牲栅堆叠包括牺牲栅介质和牺牲栅电极，牺牲栅电极位于牺牲栅介质上，所述N型区域中的牺牲栅电极高于P型区域中的栅电极；环绕每一个牺牲栅堆叠形成侧墙；在半导体衬底中位于牺牲栅堆叠两侧处形成源/漏区；去除N型区域中牺牲栅堆叠以在侧墙内形成第一开口；在所述第一开口内形成N型替代栅堆叠；去除所述P型区域中的牺牲栅堆叠以形成第二开口；在第二开口内形成P型替代栅堆叠；以及平坦化至暴露N型替代栅堆叠。
形成半导体器件替代方法以及制造

[发明专利]一种半导体结构及其制造方法-CN201110066929.0有效
发明人：尹海洲;骆志炯;朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-03-18 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构的制造方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成有源区，在所述有源区上形成栅堆叠或伪栅堆叠，并在所述栅堆叠或伪栅堆叠两侧形成源极延伸区和漏极延伸区，在所述栅堆叠或伪栅堆叠侧壁形成侧墙，并在所述侧墙和所述栅堆叠或伪栅堆叠外的所述有源区上形成源极和漏极；去除源极侧侧墙的至少一部分，使所述源极侧侧墙的厚度小于漏极侧侧墙的厚度；在所述侧墙和所述栅堆叠或伪栅堆叠外的所述有源区上形成接触层。
一种半导体结构及其制造方法

[发明专利]包括第一栅堆叠和第二栅堆叠的集成电路及其制造方法-CN200810173726.X无效
发明人： R·诺夫勒;M·斯佩克特;J·威勒 -专利权人：奇梦达股份公司
申请日： 2008-09-12 - 公布日： 2009-03-25 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明揭露了一种包括第一栅堆叠和第二栅堆叠的集成电路及其制造方法。一个实施例提供了非挥发性存储单元，其包括在半导体衬底的主表面的第一表面部分上的第一栅堆叠和栅电介质，以及第二表面部分上的包括存储层堆叠的第二栅堆叠。第一图形被转移到第一栅堆叠中，第二图形被转移到第二栅堆叠中。
包括第一堆叠第二集成电路及其制造方法

[发明专利]具有连续侧墙的半导体设置及其制造方法-CN201611033447.4有效
发明人：朱慧珑;张严波;钟汇才 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-11-15 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：例如，半导体设置可以包括：衬底；在衬底上形成的沿第一方向延伸的多个鳍；在衬底上形成的沿与第一方向交叉的第二方向延伸的多个栅堆叠以及沿第二方向延伸且由电介质构成的伪栅，其中各栅堆叠与至少一个鳍相交；在栅堆叠和伪栅的侧壁上形成的侧墙；以及设于在第二方向上对准的第一栅堆叠和第二栅堆叠之间用以将它们电隔离的电介质，其中，第一栅堆叠和第二栅堆叠的侧墙一体延伸，且该电介质设于第一栅堆叠和第二栅堆叠的一体延伸的侧墙所围绕的空间内，第一栅堆叠和第二栅堆叠在第二方向上的至少一部分间隔小于该半导体设置的制造工艺中光刻所能实现的线间隔
具有连续半导体设置及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201310351422.9在审
发明人：朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-08-13 - 公布日： 2015-02-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一示例方法可以包括：在衬底上形成牺牲栅堆叠；在牺牲栅堆叠的侧壁上形成栅侧墙；在衬底上形成层间电介质层，并对其平坦化，以露出牺牲栅堆叠；部分地回蚀牺牲栅堆叠以形成开口；对所得的开口进行扩大，以使开口呈现从靠近衬底一侧向远离衬底一侧逐渐增大的形状；以及去除剩余的牺牲栅堆叠，并在栅侧墙内侧形成栅堆叠。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]连接存储栅存储单元及其操作和制造方法-CN201410601526.5在审
发明人：骆志炯 -专利权人：骆志炯
申请日： 2014-10-30 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本公开提供了一种连接存储栅存储单元及其操作和制造方法。一示例存储单元可以包括：存储晶体管，包括在衬底上形成的栅堆叠，所述栅堆叠包括依次堆叠的存储栅介质、存储栅电极、控制栅介质和控制栅电极；以及辅助晶体管，包括在衬底上形成的栅堆叠以及位于栅堆叠相对两侧的源/漏区，其中，存储晶体管的存储栅电极连接到辅助晶体管的源/漏区之一。
连接存储单元及其操作制造方法

[发明专利]三维半导体存储器件-CN201910639467.3在审
发明人：李奉镕;金泰勋;裵敏敬 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：一种三维(3D)半导体存储器件可以包括：堆叠结构，包括顺序地堆叠在衬底上的栅电极；以及穿透堆叠结构的垂直沟道。栅电极可以包括顺序地堆叠在衬底上的地选择栅电极、单元栅电极、串选择栅电极和擦除栅电极。
堆叠结构栅电极衬底堆叠半导体存储器件串选择栅电极单元栅电极选择栅电极垂直沟道擦除栅电极穿透三维

[发明专利]半导体器件及包括其的数据存储系统-CN202211285735.4在审
发明人：金俊亨;李昇珉;韩相凡;任峻成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：一种半导体器件包括堆叠结构，该堆叠结构包括栅极堆叠区和虚设堆叠区。栅极堆叠区包括交替堆叠的层间绝缘层和栅电极。虚设堆叠区包括交替堆叠的虚设绝缘层和虚设水平层。分离结构穿透堆叠结构。垂直存储结构在第一区域中穿透栅极堆叠区。多个栅极接触结构在第二区域中电连接到栅电极。栅电极包括第一栅电极和设置在比第一栅电极的水平高的水平上的第二栅电极。栅极接触插塞包括第一栅极接触插塞和第二栅极接触插塞，第一栅极接触插塞穿透第二栅电极并接触第一栅电极，第二栅极接触插塞接触第二栅电极。
半导体器件包括数据存储系统

[发明专利]具有嵌入式非易失性存储器的集成电路的制作方法-CN200780004902.0无效
发明人： C-N·B·李;C·M·洪 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2007-01-05 - 公布日： 2009-05-20 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法，包括：将位于衬底上的栅堆叠层(20-28)图案化为栅堆叠(18)；在邻近栅堆叠的衬底中注入掺杂剂离子(30)以形成浅源/漏扩展注入区(32)；在第一氧化条件下氧化栅堆叠(18)以在栅堆叠(18)的侧壁上形成氧化层(34)；以及在第二氧化条件下氧化栅堆叠以进一步在栅堆叠的侧壁上形成氧化层(34)的氧化。
具有嵌入式非易失性存储器集成电路制作方法

[发明专利]半导体设置及其制造方法-CN201310674438.3有效
发明人：朱慧珑;赵治国;张永奎;马小龙;许淼;殷华湘;杨红 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-12-11 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：第一单元半导体器件可以包括第一栅堆叠，第二单元半导体器件可以包括第二栅堆叠。第一栅堆叠可以包括第一功函数调节层，第二栅堆叠可以包括第二功函数调节层。第一栅堆叠的栅长可以小于第二栅堆叠的栅长，且第一功函数调节层的厚度可以小于第二功函数调节层的厚度。
栅堆叠功函数调节层半导体器件半导体衬底栅长制造申请

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN201010594946.7有效
发明人：许高博;徐秋霞 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-12-17 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底；在形成场隔离后的半导体衬底上形成牺牲栅堆叠；环绕所述牺牲栅堆叠形成侧墙；在所述牺牲栅堆叠两侧在所述半导体衬底上形成源/漏区；在所述半导体衬底上形成SiO2层，在所述SiO2层上旋涂SOG，并进行反刻平坦化至所述牺牲栅堆叠顶露出；去除所述牺牲栅堆叠以在所述侧墙内形成凹槽，在所述凹槽内形成高k栅介质/金属栅堆叠。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]一种环栅晶体管-CN202311161002.4在审
发明人：李永亮;雒怀志 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-09-08 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种环栅晶体管，涉及半导体技术领域，用于增强栅堆叠结构对每层纳米结构沿长度方向两侧边缘部分的控制能力，利于提升环栅晶体管的驱动性能。所述环栅晶体管包括：半导体基底、源区、漏区、至少一层纳米结构、栅堆叠结构和内侧墙。上述源区、漏区和至少一层纳米结构形成在半导体基底上。至少一层纳米结构位于源区和漏区之间。栅堆叠结构环绕在每层纳米结构的外周。内侧墙位于栅堆叠结构与源区之间、以及栅堆叠结构与漏区之间。内侧墙具有靠近栅堆叠结构的内侧壁，内侧壁沿栅堆叠结构宽度方向的中部区域的表面相对于边缘区域的表面向内凹入或向外凸出。
一种晶体管

[发明专利]非易失性存储器元件及其制造方法-CN201110107959.1有效
发明人：许正源;黎俊霄 -专利权人：力晶科技股份有限公司
申请日： 2011-04-28 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本发明公开一种非易失性存储器元件及其制造方法，该存储器元件包括基底、栅极堆叠结构、选择栅、擦除栅、源极区、漏极区、第一介电层与第二介电层。位于基底上的栅极堆叠结构，该栅极堆叠结构由下而上包括隧穿介电层、浮置栅、栅间介电层与控制栅，以及间隙壁，位于控制栅以及栅间介电层的侧壁且浮置栅与擦除栅相邻的一侧为具有尖角的包覆轮廓，凸出于间隙壁的纵表面选择栅与擦除栅分别位于栅极堆叠结构的第一侧与第二侧的基底上。源极区位于擦除栅下方的基底中。漏极区位于选择栅的一侧的基底中。第一介电层位于栅极堆叠结构与擦除栅之间以及栅极堆叠结构与源极区之间。第二介电层位于选择栅与基底之间。
非易失性存储器元件及其制造方法

[发明专利]半导体器件和包括半导体器件的数据存储系统-CN202210279465.X在审
发明人：郑基容;金承允;沈在龙;韩智勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：堆叠结构；以及绝缘结构，覆盖堆叠结构；竖直存储结构，穿透堆叠结构；以及分离结构，穿透堆叠结构并且具有位于比竖直存储结构的上表面高的高度处的上表面。堆叠结构包括沿竖直方向堆叠的三个栅堆叠组。三个栅堆叠组中的每个栅堆叠组包括沿竖直方向堆叠并且彼此间隔开的栅层。在最下栅层与最上栅层之间的高度处，竖直存储结构的侧表面包括存储侧表面坡度改变部，并且分离结构的侧表面包括分离侧表面坡度改变部，该分离侧表面坡度改变部设置在与存储侧表面坡度改变部中的一些存储侧表面坡度改变部基本上相同的高度处
半导体器件包括数据存储系统

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