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[发明专利]一种薄膜晶体管及其制造方法-CN201810932407.6在审
发明人：董波;简锦诚;杨帆;王志军 -专利权人：南京中电熊猫液晶显示科技有限公司;南京中电熊猫平板显示科技有限公司;南京华东电子信息科技股份有限公司
申请日： 2018-08-16 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管的制造方法，通过半透掩膜版同时形成薄光阻区、无光阻区和厚光阻区，通过控制半透掩膜版透过率，实现无光阻区的源漏极层金属和薄光阻区的光阻同时完成刻蚀，以减省薄光阻区光阻灰化工艺。采用干刻的方式对源漏极层金属进行刻蚀，可以将原有单边关键尺寸损失由2um降低到1um以下，有效解决了关键尺寸损失(CD Loss)较大的问题。由于薄光阻区光阻灰化工艺和无光阻区源漏极层金属刻蚀同时进行，节省了刻蚀工艺次数，提升了生产效率，且本发明对于半导体层靶材无特殊要求，降低了生产成本。
光阻区源漏极光阻刻蚀无光关键尺寸损失薄膜晶体管掩膜版金属半透灰化半导体层刻蚀工艺生产效率有效解决透过率靶材厚光生产成本制造

[发明专利]一种薄膜晶体管的制造方法-CN201710569319.X在审
发明人：郝光叶;简锦诚;戴超;周刘飞;王志军 -专利权人：南京中电熊猫平板显示科技有限公司;南京中电熊猫液晶显示科技有限公司;南京华东电子信息科技股份有限公司
申请日： 2017-07-13 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种型薄膜晶体管的制造方法，方法包括如下步骤依次沉积半导体层、金属层；在金属层上方涂布光阻层；对光阻层进行曝光处理，图案化光阻层，其中一部分形成薄光阻层，其余部分形成厚光阻层或者无光阻层；第一次刻蚀，刻蚀金属层和半导体层，去除无光阻层覆盖的部分；灰化光阻层，去除薄光阻层，暴露出位于薄光阻层下方的金属层；第二次刻蚀，刻蚀金属层，形成源极、漏极以及沟道区，暴露出位于沟道区的半导体层；去除光阻层。
一种薄膜晶体管制造方法

[发明专利]TFT阵列基板的制作方法及TFT阵列基板-CN201810603588.8有效
发明人：谭志威 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2018-06-12 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：该TFT阵列基板的制作方法，通过减薄光阻凸出部的厚度，以减薄光阻凸出部的厚度后的光阻层为遮挡，对所述氧化物半导体层进行干蚀刻时，能将厚度被减薄的光阻凸出部蚀刻掉，同时将位于厚度被减薄的光阻凸出部下方的氧化物半导体层蚀刻掉，使形成的有源层边缘与源漏极金属层的边缘平齐，减小有源层与信号走线形成的寄生电容，并且提高开口率。
tft 阵列制作方法

[发明专利]掩膜版、薄膜晶体管和阵列基板及制作方法、显示装置-CN201910332924.4有效
发明人：安晖;叶成枝;吕艳明;操彬彬 -专利权人：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种掩膜版、薄膜晶体管和阵列基板及制作方法、显示装置，薄膜晶体管的制作方法包括：形成栅极、栅极绝缘层、有源层和绝缘保护层，在绝缘保护层上形成光阻，采用掩膜版形成光阻图案，光阻图案包括：光阻全保留区域，第一光阻部分保留区域，第二光阻部分保留区域和光阻去除区域，第二光阻部分保留区域的厚度小于第一光阻部分保留区域的厚度；对光阻图案和绝缘保护层进行刻蚀，使光阻全保留区域和第一光阻部分保留区域的厚度被减薄，第二光阻部分保留区域的光阻完全被消除，绝缘保护层的未被光阻覆盖的部分形成开孔；形成源漏金属层；剥离剩余光阻及位于剩余光阻上的源漏金属层，形成源极和漏极。本发明可以实现栅极和源/漏极的自对准。
掩膜版薄膜晶体管阵列制作方法显示装置

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及薄膜叠层结构的制造方法-CN200410006474.3有效
发明人：来汉中 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2004-03-08 - 公布日： 2005-01-05 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：接着在保护层上形成一图案化光阻层，至少覆盖第一图案化金属层所构成的源极/汲极及其周边区域上方，图案化光阻层的部分边缘具有多个薄化区，每个薄化区分别横跨于一个源极/汲极的部分边缘上方。之后以图案化光阻层为罩幕进行蚀刻，以暴露薄化区下方的源极/汲极及其周边区域的非晶硅层而分别形成多个阶梯状结构。最后在基板上形成多个画素电极，分别覆盖一个阶梯状结构且电性连接至一个源极/汲极。
薄膜晶体管阵列薄膜结构制造方法

[发明专利]薄膜晶体管阵列面板及其制造方法-CN200610002183.6无效
发明人：金彰洙;金洙真;韩京泰;崔熙焕;金周汉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-01-18 - 公布日： 2006-08-23 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：该方法包括：在基底上形成栅极线；在栅极线上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成半导体层；在半导体层上形成数据线和漏极；在数据线和漏极上沉积钝化层；在钝化层上形成包括第一部分和比第一部分薄的第二部分的光阻剂；将光阻剂作为掩模蚀刻钝化层，从而至少部分地暴露漏极的一部分；去除光阻剂的第二部分；沉积导电膜；去除光阻剂，从而在漏极的暴露部分上形成像素电极。
薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

[发明专利]一种阵列基板及其制造方法-CN201910083050.3有效
发明人：戴超;王志军 -专利权人：南京中电熊猫平板显示科技有限公司
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板及其制造方法，涉及液晶显示技术领域，该阵列基板的制造方法在有源层上通过多灰阶光罩对第一光阻进行曝光和显影，使第一光阻形成位于栅极上方的第一厚光阻区、位于端子栅极上方的第一无光阻区以及位于第一厚光阻区和第一无光阻区之间的第一薄光阻区；再刻蚀掉第一无光阻区内的有源层和栅极绝缘层，形成位于端子栅极上方的端子接触孔；对第一光阻进行灰化后刻蚀形成位于栅极上方的半导体层；使得制造源漏极金属的第二金属层可以通过端子接触孔与端子栅极直接连接，同时通过像素电极设在源漏极金属层下的结构减少光罩数量
一种阵列及其制造方法

[实用新型]薄形光阻成形系统及薄形光阻成形设备-CN202120102252.0有效
发明人：林刘恭 -专利权人：光群雷射科技股份有限公司
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： B05C5/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了薄形光阻成形系统及薄形光阻成形设备。薄形光阻成形系统用来对转印滚轮的外表面喷涂光阻层，其包括：雾化腔室；及薄形光阻成形设备，设置于雾化腔室中，薄形光阻成形设备包含：滚轮固定装置；及雾化装置，邻近滚轮固定装置设置，且雾化装置包含至少一个雾化器以及对应至少一个雾化器设置的溶液槽；其中，溶液槽中容纳有水性光阻溶液，并且至少一个雾化器用来朝向所述雾化腔室雾化水性光阻溶液。本实用新型的有益效果在于，薄形光阻成形系统及薄形光阻成形设备能通过“雾化装置用来使雾化的水性光阻溶液在外表面上形成光阻层”的技术方案，减少光阻层在外表面上形成的时间和光阻层的厚度。
薄形光阻成形系统设备

[发明专利]可改善组件特性的高压组件的制造方法-CN03128823.5无效
发明人：高荣正 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2003-05-23 - 公布日： 2004-11-24 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明揭露一种可改善组件特性的高压组件的制造方法，其系在一已形成有漂移区域的半导体基底上形成一薄氧化层、一氮化硅层及一图案化光阻层，并以此图案化光阻层为掩膜，蚀刻氮化硅层后去除该图案化光阻层；接着在半导体基底上形成一磷玻璃层，并将磷离子高温驱入其下方基底中而形成一磷离子掺杂区，完成后即可去除磷玻璃层、氮化硅层及薄氧化层；然后在半导体基底上依序形成场氧化层、栅极结构与源极/偶极等组件。
改善组件特性高压制造方法

[发明专利]利用光阻流修补针孔缺陷-CN01816179.0无效
发明人： M·K·坦普尔顿 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2001-09-21 - 公布日： 2004-01-07 - 主分类号： G03F7/40 文献下载
摘要：根据本发明的一方面，光阻剂涂层中的针孔缺陷是通过简短地加热该光阻剂使光阻剂流动并且填补针孔。该光阻剂加热至或高于该光阻剂流动的温度达一段长到使该光阻剂能流动并且填补针孔缺陷的时间，但不得使该光阻剂图案走样。该原始的光阻剂图案可能会偏移而于该针孔修补过程期间产生部分流动。可一次加热整个图案化光阻剂，或可一次加热一部分。热量施用可视情况需要仅限于发现针孔缺陷的部分。通过本发明，可获得不含针孔缺陷的极薄图案化光阻涂层。
利用光阻流修补针孔缺陷

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法-CN200410084033.5无效
发明人：张世昌 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2004-10-18 - 公布日： 2006-04-26 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管及其制造方法，此薄膜晶体管的制造方法是首先依顺序形成多晶硅层、栅绝缘层以及栅极材料层，接着在栅极材料层上形成图形化光阻层，再以此图形化光阻层为蚀刻掩膜以定义出栅极。形成栅极之后，图形化光阻层之部分底面会与栅极接触。接着，再以图形化光阻层为掩膜，对栅绝缘层进行各向异性蚀刻，以使栅绝缘层在不同的部位具有不同的厚度。在移除图形化光阻层之后，以栅极为掩膜进行掺杂工艺，而在厚度较厚之栅绝缘层下方的多晶硅层中形成轻掺杂漏极区，以及在厚度较薄之栅绝缘层下方的多晶硅层中形成源极/漏极区。此方法以一道光罩及工艺同时形成对称于栅极的轻掺杂漏极区，因此可降低工艺成本。
薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管元件及其制造方法-CN201510933455.3在审
发明人：张占东 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2015-12-15 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管元件及其制造方法，其包含形成一图案化光阻层于有源层上，其中图案化光阻层具有一第一部分、一第二部分及镂空部分，且第一部分的厚度大于第二部分的厚度；薄化镂空部分的有源层；移除图案化光阻层的第二部分，以裸露出对应的有源层部分；对有源层的裸露部分进行高剂量离子掺杂，使较厚的有源层形成高浓度掺杂区，较薄的有源层形成低掺杂区；移除剩余的图案化光阻层；最后形成栅极、接触孔和漏/源极金属层。
薄膜晶体管元件及其制造方法

[发明专利]半导体元件的制造方法-CN02119839.X有效
发明人：林顺利;杨俊仪 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-05-15 - 公布日： 2003-11-26 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：一种制造一具有源极/漏极延伸区与源极/漏极区的金氧半导体结构的方法，包括在半导体基底上形成一碱性抗反射层，在该抗反射层上形成一光阻层。曝光此一光阻层而将一图案转移至该光阻层上，并显影该已曝光的光阻层，而在形成源极/漏极区的区域上方形成一开口，并且在光阻图案底部转角处形成一足形结构的光阻图案。以此光阻图案为罩幕进行一离子植入，以同时形成一源极/漏极延伸区与一源极/漏极区。
半导体元件制造方法

[发明专利]刻蚀阻挡型阵列基板的制备方法-CN201911352202.1有效
发明人：罗传宝 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供了一种刻蚀阻挡型阵列基板的制备方法，其包括：在衬底上制备栅极层、栅极绝缘层；在栅极绝缘层上依次沉积金属氧化物半导体膜和蚀刻阻挡膜；在刻蚀阻挡膜上形成光阻图案，光阻图案包括位于显示区的第一光阻和位于扇出区的第二光阻，第一光阻包括中间部和与中间部相连的侧部，侧部的厚度小于中间部的厚度；分别采用湿法刻蚀，将未被光阻保护的刻蚀阻挡膜和金属氧化物半导体膜去除；采用干法刻蚀，去除侧部，减薄中间部和第二光阻；采用湿法刻蚀，去除未被中间部保护的刻蚀阻挡膜；剥离掉剩余的光阻，得到图案化的有源层和蚀刻阻挡层；依次制备源漏极层、钝化层、像素电极层。
刻蚀阻挡阵列制备方法

[发明专利]基于COA面板的TFT及COA面板-CN201710953769.9在审
发明人：房好强 -专利权人：青岛海信电器股份有限公司
申请日： 2017-10-13 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种基于COA面板的薄膜晶体管TFT及COA面板，包括基板、栅极、钝化层、半导体层、源极、漏极、第一光阻层、第二光阻层及有机层，其中，栅极设于基板之上；钝化层覆盖栅极；半导体层设于钝化层之上；源级和漏极设于半导体层之上；第一光阻层覆盖源级、漏极以及源极和漏极之间的区域；第二光阻层位于第一光阻层之上；有机层位于第二光阻层之上。
基于 coa 面板 tft

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