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[发明专利]薄膜晶体管阵列面板-CN201210434760.4无效
发明人：金彰洙;金湘甲;秦洪基;吴旼锡;崔熙焕;金时烈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-02-27 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，其包括：栅极线；数据线，与所述栅极线交叉；半导体，布置在所述数据线下方；薄膜晶体管，连接至所述栅极线和所述数据线并具有漏电极；第一绝缘层，布置在所述数据线上并且包括有机材料；像素电极，布置在所述第一绝缘层上并且连接至所述漏电极；屏蔽电极，与所述像素电极布置在相同层上并且传输共电压，所述屏蔽电极包括沿所述数据线延伸且覆盖所述数据线的第一部分。
薄膜晶体管阵列面板

[发明专利]薄膜晶体管阵列面板-CN201010210445.4有效
发明人：金彰洙;金湘甲;秦洪基;吴旼锡;崔熙焕;金时烈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-02-27 - 公布日： 2010-11-10 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，其包括栅极线、与栅极线交叉的数据线、与栅极线和数据线分离的存储电极、连接至栅极线和数据线并具有漏电极的薄膜晶体管、连接至漏电极的像素电极、位于薄膜晶体管之上并设置在像素电极下的第一绝缘层、以及设置在第一绝缘层上并具有用于露出存储电极上第一绝缘层的开口的第二绝缘层。
薄膜晶体管阵列面板

[发明专利]薄膜晶体管阵列面板及其制造方法-CN200480033271.1有效
发明人：金湘甲;李帝珉;赵宽英;郑钟台;宋仁虎;崔熙焕;姜圣哲;妻镐民;崔凡洛;崔埈厚 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-09-16 - 公布日： 2006-12-13 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜晶体管阵列面板、液晶显示器及其制造方法。用于LCD的薄膜晶体管阵列面板用于以独立方式驱动各个像素的电路板。本发明提供了像素电极和把栅极线和数据线的扩展部分连接到外部电路的接触辅助，它们具有包括IZO层和ITO层的双层结构。ITO层设置在IZO层上。在本发明中，像素电极形成为具有IZO层和ITO层的双层以避免在总体测试过程中布线被ITO蚀刻剂破坏并防止探针上的异物堆积。在本发明中，可以仅接触辅助形成为具有IZO层和ITO层的双层，以防止在总体测试过程中探针上的异物堆积。由于减小了ITO的消耗，降低了制造成本。
薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管阵列面板及其制造方法-CN200610057753.1有效
发明人：金彰洙;金湘甲;秦洪基;吴旼锡;崔熙焕;金时烈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-02-27 - 公布日： 2006-09-06 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，其包括栅极线、与栅极线交叉的数据线、与栅极线和数据线分离的存储电极、连接至栅极线和数据线并具有漏电极的薄膜晶体管、连接至漏电极的像素电极、位于薄膜晶体管之上并设置在像素电极下的第一绝缘层、以及设置在第一绝缘层上并具有用于露出存储电极上第一绝缘层的开口的第二绝缘层。
薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管阵列面板及其制造方法-CN200610002183.6无效
发明人：金彰洙;金洙真;韩京泰;崔熙焕;金周汉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-01-18 - 公布日： 2006-08-23 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法。该方法包括：在基底上形成栅极线；在栅极线上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成半导体层；在半导体层上形成数据线和漏极；在数据线和漏极上沉积钝化层；在钝化层上形成包括第一部分和比第一部分薄的第二部分的光阻剂；将光阻剂作为掩模蚀刻钝化层，从而至少部分地暴露漏极的一部分；去除光阻剂的第二部分；沉积导电膜；去除光阻剂，从而在漏极的暴露部分上形成像素电极。
薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

[发明专利]等离子体装置-CN200510129428.7有效
发明人： 崔熙焕;金湘甲;吴旼锡;秦洪基 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-12-08 - 公布日： 2006-06-28 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体装置。所述等离子体装置包括：反应室，具有反应空间以容纳被处理的基板；线圈，位于所述反应空间的外部上；电源，将交流频率电源施加到所述线圈上；以及导电板，位于所述线圈和所述反应空间之间且从施加到所述线圈上的交流频率电源产生感应电流。因此，本发明提供了等离子体装置，其在反应室的内部气体中诱发均匀的电场。
等离子体装置

[发明专利]薄膜晶体管、其制造方法、显示设备及其制造方法-CN200510124866.4有效
发明人：金湘甲;金时烈;朴弘植;崔熙焕;秦洪基;吴旼锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-11-23 - 公布日： 2006-06-21 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：公开了一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括在基板上的栅电极，在所述基板上的栅极绝缘层，沟道图案，源电极和漏电极。所述沟道图案包括：形成在所述栅电极上并覆盖所述栅电极的半导体图案；以及形成在所述半导体图案上并彼此隔开的第一和第二导电粘合图案。所述源电极包括顺序形成在所述第一导电粘合图案上的第一阻挡图案、源极图案和第一覆盖图案。所述漏电极包括顺序形成在所述第二导电粘合图案上的第二阻挡图案、漏极图案和第二覆盖图案。所述第一和第二导电粘合图案的蚀刻部分具有基本竖直的轮廓从而防止了源电极和漏电极的暴露，由此改善了薄膜晶体管的特性。
薄膜晶体管制造方法显示设备及其

[发明专利]有机发光二极管显示器及其制造方法-CN200510106754.6无效
发明人：崔凡洛;崔熙焕;蔡钟哲 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-08-26 - 公布日： 2006-05-10 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：一种有机发光二极管显示器，包括发光器件，相互分离的第一导线、第二导线和第三导线，耦合到第三导线和发光器件的第一薄膜晶体管，和耦合到第一导线和第二导线的第二薄膜晶体管。第三薄膜晶体管包括第一电极，第四薄膜晶体管包括第二电极，并且第一电极和第二电极通过在第一绝缘层中的第一接触孔相互耦合。
有机发光二极管显示器及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管基片-CN200480003672.2无效
发明人：郑敞午;赵范锡;崔熙焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-02-28 - 公布日： 2006-03-15 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种LCD装置的薄膜晶体管基片及其制造方法。该薄膜晶体管基片包括形成在含有硅的绝缘层图样上的镍－硅化物层及在镍－硅化物层上形成的金属层。将镍涂布在含有硅的绝缘层图样并且将金属层涂布在镍涂布层上。然后，在大约200～350℃的温度下进行热处理以获得镍－硅化物层。由于通过应用镍－硅化物布线制造LCD装置的薄膜晶体管基片，所以可以获得具有低电阻率且具有良好欧姆接触特性的装置。
薄膜晶体管

[发明专利]薄膜晶体管阵列面板及其制造方法-CN200510055765.6有效
发明人：李禹根;赵范锡;李制勋;郑敞午;金湘甲;吴旼锡;李永旭;崔熙焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-03-21 - 公布日： 2005-09-21 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括以下步骤：在基片上形成栅极线；在栅极线上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成半导体层；在半导体层上形成数据线及漏极；在数据线及漏极上沉积钝化层；在钝化层上形成光致抗蚀剂，该光致抗蚀剂包含第一部分和比第一部分薄的第二部分；利用将光致抗蚀剂作为掩模蚀刻钝化层，以至少部分地露出漏极的一部分；除去光致抗蚀剂的第二部分；沉积导电薄膜；以及除去光致抗蚀剂，以在漏极的露出部分上形成像素电极。
薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

[发明专利]有机电致发光器件-CN02829140.9无效
发明人：郑縝九;崔埈厚;金湘甲;崔熙焕;崔凡洛 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2002-12-24 - 公布日： 2005-06-15 - 主分类号： H05B33/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于提高发光效率的有机电致发光(EL)器件。在衬底上形成第一电极。在第一电极和衬底上形成具有暴露第一电极的开口的低介电常数的CVD绝缘膜。在开口上依次叠置有机EL层和第二电极。包围有机EL层的区域的壁由低介电常数的CVD绝缘膜形成，可以利用O₂等离子进行象素电极的表面处理，由此提高发光特性。
有机电致发光器件

[发明专利]显示器布线及其制造方法与包含该布线的薄膜晶体管阵列面板及其制造方法-CN02827158.0无效
发明人：柳昇熙;洪雯杓;卢水贵;卢南锡;宋根圭;崔熙焕;金保成;金湘甲;姜聖哲;朴弘植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2002-07-29 - 公布日： 2005-05-11 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：首先，利用含有8－12％Ce(NH₄)₂(NO₃)₆、10－20％NH₃及残留超纯水的蚀刻剂来沉积Cr层和CrOx层并制作布线图案，以形成包括多条栅极线、多个栅极、以及多个栅极衬垫的栅极布线。然后，顺次形成栅极绝缘层、半导体层、及欧姆接触层。利用含有8－12％Ce(NH₄)₂(NO₃)₆、10－20％NH₃及残留超纯水的蚀刻剂来沉积Cr层和CrOx层并制作布线图案，以形成包括多条数据线、多个源极、多个漏极、及多个数据衬垫的数据布线。接着，沉积钝化层并制作布线图案以形成分别露出漏极、栅极衬垫、及数据衬垫的接触孔。沉积透明导电材料或反射性导电材料并制作布线图案以形成分别与漏极、栅极衬垫、及数据衬垫电连接的多个像素电极、多个辅助栅极衬垫、及多个辅助数据衬垫。将具有低反射比的栅极线和数据线作为遮光层用于遮挡像素区域之间光泄漏，而不增加黑色亮度。因此，无需在滤色器面板上设置单独的黑阵，从而可获得像素的纵横比和高对比度。
显示器布线及其制造方法包含薄膜晶体管阵列面板

[发明专利]传送液晶显示器基片的装置-CN200410033824.5无效
发明人：金甲;崔熙焕;姜聖哲 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-04-14 - 公布日： 2005-04-20 - 主分类号： B65G49/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种传送液晶显示器基片的装置，该装置具有1500mm×1800mm以上的大小，包括：一对平行支撑臂，呈棒状且支撑该基片的两端区域；以及至少一个辅助臂，设置在支撑臂之间。通过这种配置，本发明提供了一种传送装置，该传送装置使用于液晶显示器的大型基片的形变最小化同时传送该基片，从而防止由于形变而致缺陷并稳定制造工序。
传送液晶显示器装置

[发明专利]等离子蚀刻机-CN200410073733.4无效
发明人： 崔熙焕;姜聖哲;金湘甲 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-09-02 - 公布日： 2005-03-09 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供了一种等离子蚀刻机，包括：箱体；上部等离子电极和下部等离子电极，设置在箱体的上部和下部；气体注入管，与箱体连接；多个扩散板，设置在上部等离子电极和气体注入管之间；电力发生器，向上部等离子电极和下部等离子电极施加电压，其中在上部等离子电极上形成多个喷射孔，在多个扩散板上形成多个辅助喷射孔。
等离子蚀刻

[发明专利]半导体制造装置-CN200410048125.8有效
发明人： 崔熙焕;宋仁虎;姜聖哲;金湘甲 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-06-16 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明涉及一种干蚀刻装置，包括箱体，用于形成等离子进行干蚀刻工序；下部电极，包含排出箱体内部反应气体的排气口，并且设置基片；上部电极，与下部电极隔开面对。而且，这种干蚀刻装置包括清洗部，清洗部与电源进行电连接，包括：清洗时为了形成包含清洗用气体的等离子的清洗用电极；可引导清洗用电极水平移动的电极引导部件及支撑清洗用电极并引导清洗用电极垂直移动的电极支撑体。向清洗用电极施加电源形成等离子，并通过它除去箱体内壁残留的污染物。
半导体制造装置

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