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[发明专利]一种具有深能级掺杂的肖特基二极管-CN202011271968.X在审
发明人：单亚东;谢刚 -专利权人：广微集成技术（深圳）有限公司
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有深能级掺杂的肖特基二极管，其包括衬底以及形成于衬底表面的外延层，所述外延层上设有若干个沟槽，每一沟槽内侧壁和底部形成有栅氧化层，该沟槽内填充有多晶硅，且所述多晶硅覆盖在多个沟槽内的栅氧化层上，每一沟槽旁形成有深能级杂质层，所述深能级杂质层以及沟槽上表面形成有金属层。本发明肖特基二极管中每一沟槽旁形成有深能级杂质层，深能级杂质层以及沟槽上表面形成有金属层，在常温情况下，深能级杂质层中的杂质未能完全激活，二极管势垒较低，正向压降也比较低；而在高温情况下，杂质大部分激活，可以有效提高肖特基二极管的势垒高度，降低肖特基二极管高温漏电流，进而降低器件功耗。
一种具有能级掺杂肖特基二极管

[发明专利]图像传感器器件和方法-CN201210536910.2有效
发明人：林政贤;杨敦年;刘人诚;洪丰基;蔡双吉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-12-12 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了减少光敏二极管之间的串扰的系统和方法。在实施例中，第一滤色器在第一光敏二极管上方形成而第二滤色器在第二光敏二极管上方形成，间隙在第一滤色器和第二滤色器之间形成。间隙将起到反射光的作用，否则光将从第一滤色器跨越到第二滤色器，从而减少第一光敏二极管和第二光敏二极管之间的串扰。也可以在第一光敏二极管和第二光敏二极管之间形成反射栅格以协助反射并进一步减少串扰量。
图像传感器器件方法

[实用新型]可调整色温的发光二极管驱动装置-CN201120294772.2有效
发明人：黄钦正;安波 -专利权人：黄钦正
申请日： 2011-08-15 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种可调整色温的发光二极管驱动装置，该驱动装置应用于第一色温发光二极管、第二色温发光二极管、交流电源及墙壁开关，该交流电源电性连接至该墙壁开关，该驱动装置包含第一色温发光二极管驱动单元、第二色温发光二极管驱动单元该分段开关控制单元依据墙壁开关的开关次数，控制该第一开关单元以控制该第一色温发光二极管驱动单元驱动第一色温发光二极管；该分段开关控制单元依据该墙壁开关的开关次数，控制该第二开关单元以控制该第二色温发光二极管驱动单元驱动第二色温发光二极管
可调整色温发光二极管驱动装置

[发明专利]利用伪彩色显示技术的嵌入式液晶显示系统低功耗方法-CN200710042891.7无效
发明人：何咏;刘翔;戎蒙恬;刘文江 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2007-06-28 - 公布日： 2007-12-26 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：一种多媒体技术领域的利用伪彩色显示技术的嵌入式液晶显示系统低功耗方法，利用液晶显示系统控制器色彩检测模块实时地对屏幕上显示的像素做统计，如果屏幕上的所有色彩种数未超过预设值，液晶显示系统控制器会根据已检测到的原始高色深颜色自动生成一个对应的查找表，将这些高色深的颜色与低位的索引值一一对应，随后系统切换到伪彩色模式，即：用户程序所输入的原始颜色在查找表内自动查出相应的索引值放入显示缓存，液晶显示系统控制器再用显示缓存中的索引数据再次查表后得到高色深的数据进行屏幕的刷新，一旦用户程序输入的颜色未命中查找表，液晶显示系统控制器则切换回正常色深的显示模式。
利用彩色显示技术嵌入式液晶显示系统功耗方法

[实用新型]基于双色发光二极管的功能显示电路和状态显示装置-CN201620759534.7有效
发明人：程亮亮;康凯;张祥平;朱伟;周勇 -专利权人：浙江艾罗电源有限公司
申请日： 2016-07-18 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本实用新型提供了基于双色发光二极管的功能显示电路和状态显示装置，属于电力系统领域，双色发光二极管的功能显示电路包括驱动电路，以及与驱动电路电连接的三极管和双色发光二极管，状态显示装置包括至少一个双色发光二极管的功能显示电路通过驱动电路对三极管进行驱动，实现对双色发光二极管的控制，从而对电力设备的状态进行显示。由于双色发光二极管仅需两个三极管就可以驱动，相对于LCD能够降低驱动电路的复杂性且无需背光源，从而降低了制造成本；同时相对于单色发光二极管，能够提供更多的显示内容，提升了用户的使用感受。
基于发光二极管功能显示电路状态显示装置

[发明专利]具有深N井区的串接二极管结构及其形成方法-CN200310100542.8无效
发明人：叶达勋;李朝政;曹太和 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2003-10-16 - 公布日： 2005-04-20 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：一种具有深N井区的串接二极管，并将该串接二极管所寄生的晶体管的基极浮接，藉以有效降低泄漏于P型基材的漏电电流。该串接二极管包含：一P型基材；一深N井区，是形成于P型基材上；多个二极管组件，是形成于深N井区上；以及多个导体，藉以串接多个二极管组件。其中每个二极管组件包含：一P型井区，是形成于深N井区上；一P型高掺杂区，是形成于P型井区上；以及一N型高掺杂区，是形成于P型井区上，并与P型高掺杂区相隔离。
具有二极管结构及其形成方法

[实用新型]金属氧化物半导体场效应晶体管-CN200420112318.0无效
发明人：王志豪;陈尚志;王焱平;邱显光;姚亮吉;胡正明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-11-01 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：栅极的每一侧形成有深源极和深漏极，其具有浅延伸区。深源极与深漏极区通过选择性原位掺杂外延法或离子注入法形成，延伸区通过选择性原位掺杂外延法形成。延伸区位于栅极下方并与栅极介电质接触。栅极介电质的材料以及其突出至栅极电极外的程度可以选择，以使外延及其相关步骤不会引发栅极电极与源极/漏极延伸区间发生桥接而导致的短路。
金属氧化物半导体场效应晶体管

[发明专利]发光二极管封装结构及发光二极管封装结构制造方法-CN202210229953.X在审
发明人：谢欣珀 -专利权人：光感动股份有限公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L33/54 文献下载
摘要：本发明揭露一种发光二极管封装结构及发光二极管封装结构制造方法。发光二极管封装结构包含基板、发光芯片、色转换封装体及透明封装体。色转换封装体包覆设置于基板上的发光芯片的所有出光面，色转换封装体掺有色转换粒子，且部分的色转换粒子露出于色转换封装体的至少一侧面。透明封装体不掺有任何色转换粒子，且透明封装体与色转换封装体的各个侧面相连接，而遮蔽露出于任一个侧面的色转换粒子。本发明的发光二极管封装结构在高湿度的环境中，发光二极管封装结构的外表面不容易出现黑斑的问题。
发光二极管封装结构制造方法

[发明专利]横向PNP晶体管及其制造工艺方法-CN200610117429.4无效
发明人：王乐 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2006-10-23 - 公布日： 2008-04-30 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本发明公开了一种横向PNP晶体管，所述发射极的底部设有一隔离深槽。制造所述的横向PNP晶体管的工艺方法，包括如下步骤：通过刻蚀工艺在外延层上形成一隔离深槽，在该深槽的表面形成与其深槽形状相适配的绝缘薄膜，然后用氧化物或氮化物填平；在所述外延层上涂光刻胶、曝光、光刻刻蚀，有选择的形成发射极、集电极窗口；所述发射极的窗口位于所述深槽上部。
横向 pnp 晶体管及其制造工艺方法

[发明专利]干法碳化板材的方法-CN200710071320.6有效
发明人：潘可安 -专利权人：安吉大竹海地板有限公司
申请日： 2007-09-14 - 公布日： 2008-04-23 - 主分类号： B27M1/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于地板、家具板、表板、贴面板的深碳化(深咖啡色)竹板材的碳化方法。新鲜的竹材料进行粗加工处理后直接进行烘干，竹材内的营养成分自行吸收，不会污染环境；2.高温干法碳化，所得板材膨胀率减小，不易膨胀收缩，不易变形；3.高温干法碳化，所得板材强度较传统方法所得板材提高30％左右；4.高温干法碳化能将材料碳化成深咖啡色即深褐色，所得板材颜色均匀美观，为天然的深咖啡色。
碳化板材方法

[发明专利]一种深阱型SiC Mosfet器件及制备方法-CN202310813702.0在审
发明人：袁力鹏;范玮;完颜文娟 -专利权人：华羿微电子股份有限公司
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种深阱型SiC Mosfet器件及制备方法，该器件包括：SiC衬底、SiC外延层、SiC外延层上设置的P+深阱、沟槽、P‑体区、N+源极、隔离钝化层，正面源极金属层、背面漏极金属层以及正面栅极金属层，N+源极与P+深阱平行设置且彼此隔离，沟槽与所述P+深阱正交设置。该深阱型SiC Mosfet器件采用沟槽和深能离子注入P+的正交方式来降低功率SiC MOSFET的导通电阻和器件耐压以及器件栅极可靠性。该制备方法采用沟槽型Mosfet结构通过在沟槽侧壁形成沟道，采用沟槽和深能离子注入P+的正交方式在器件源区部分沟槽底部形成P+深阱，通过深注入P+区域更好的保护沟槽底部的栅极氧化层，使其不受高电场的影响
一种深阱型 sic mosfet 器件制备方法

[发明专利]电源管理芯片及其形成方法-CN201810868655.9在审
发明人：郑玉宁;方绍明 -专利权人：深圳元顺微电子技术有限公司;厦门元顺微电子技术有限公司
申请日： 2018-08-01 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：所述电源管理芯片包括：位于半导体衬底的低压逻辑控制电路；采用低压工艺制作于所述半导体衬底的高压JFET，所述高压JFET包括：位于所述半导体衬底的深N阱区；位于所述深N阱区中的内部P阱区，所述内部P阱区上表面与所述深N阱区上表面齐平，所述内部P阱区的底面和侧面被所述深N阱区包围；所述内部P阱区具有栅极重掺杂区，所述深N阱区具有源极重掺杂区和漏极重掺杂区，所述栅极重掺杂区位于所述源极重掺杂区和所述漏极重掺杂区之间；所述内部P阱区到所述漏极重掺杂区的剖面距离为20μm～30μm。
深N阱电源管理芯片漏极重掺杂区衬底半导体源极重掺杂区低压工艺重掺杂区上表面齐平低压逻辑控制电路设计周期区包围上表面底面良率制作侧面保证

[实用新型]电源管理芯片-CN201821236029.X有效
发明人：郑玉宁;方绍明 -专利权人：深圳元顺微电子技术有限公司;厦门元顺微电子技术有限公司
申请日： 2018-08-01 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：所述电源管理芯片包括：位于半导体衬底的低压逻辑控制电路；采用低压工艺制作于所述半导体衬底的高压JFET，所述高压JFET包括：位于所述半导体衬底的深N阱区；位于所述深N阱区中的内部P阱区，所述内部P阱区上表面与所述深N阱区上表面齐平，所述内部P阱区的底面和侧面被所述深N阱区包围；所述内部P阱区具有栅极重掺杂区，所述深N阱区具有源极重掺杂区和漏极重掺杂区，所述栅极重掺杂区位于所述源极重掺杂区和所述漏极重掺杂区之间；所述内部P阱区到所述漏极重掺杂区的剖面距离为20μm～30μm。
深N阱电源管理芯片漏极重掺杂区衬底半导体源极重掺杂区低压工艺重掺杂区上表面齐平低压逻辑控制电路设计周期区包围上表面底面良率制作侧面保证

[发明专利]基于深N阱NMOS晶体管的源极跟随器-CN201310076156.3有效
发明人：刘松;杨飞琴;吴柯 -专利权人：香港中国模拟技术有限公司
申请日： 2013-03-11 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：本发明提供一种基于深N阱NMOS晶体管的源极跟随器，属于源极跟随器技术领域。该源极跟随器包括电流源和用作输入器件的深N阱NMOS晶体管，其中，所述深N阱NMOS晶体管的体端与源极跟随器的输入端（Vin）连接，以至于使N阱NMOS晶体管的源极与体端之间的电压（Vsb）在输入信号变化的情况下基本保持恒定该源极跟随器失真小、线性度好，尤其适合于在高速大负载场合应用。
基于 nmos 晶体管跟随

[实用新型]基于深N阱NMOS晶体管的源极跟随器-CN201320108726.8有效
发明人：刘松;杨飞琴;吴柯 -专利权人：香港中国模拟技术有限公司
申请日： 2013-03-11 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：本实用新型提供一种基于深N阱NMOS晶体管的源极跟随器，属于源极跟随器技术领域。该源极跟随器包括电流源和用作输入器件的深N阱NMOS晶体管，其中，所述深N阱NMOS晶体管的体端与源极跟随器的输入端（Vin）连接，以至于使N阱NMOS晶体管的源极与体端之间的电压（Vsb）在输入信号变化的情况下基本保持恒定该源极跟随器失真小、线性度好，尤其适合于在高速大负载场合应用。
基于 nmos 晶体管跟随