“机械抛光过程”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果4663487个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种锗晶体化学机械抛光的抛光液及使用方法-CN201711111759.7在审
发明人：宋丛恺 -专利权人：青岛凯玉盈商贸有限公司
申请日： 2017-11-13 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种锗晶体化学机械抛光的抛光液及使用方法，包括粗抛液和精抛液，所述粗抛液按重量％计主要由下列原料组成：磨料粒径15‑110nm、浓度≥40wt％、硬度≤7Mohs的SiO2水溶胶磨料10‑50选择两步抛光法进行化学机械抛光，第一步选用粗抛液，第二步选用精抛液，两步抛光在同一台抛光机上完成。有益效果：可以解决锗晶体材料化学机械抛光过程中速率低、粗糙度高、金属离子及颗粒沾污等问题。
化学机械抛光粗抛液精抛液锗晶体表面活性剂抛光液磨料机械抛光过程氧化剂两步抛光法材料化学金属离子颗粒沾污磨料粒径去离子水原料组成抛光粗糙度抛光机水溶胶螯合剂

[发明专利]一种化学机械抛光液和化学机械抛光方法-CN202310513145.0在审
发明人：张力飞;王同庆;王淑慧;路新春 -专利权人：华海清科股份有限公司;清华大学
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种化学机械抛光液和化学机械抛光方法，所述化学机械抛光液包括磨料、氧化剂、络合剂、缓蚀剂、表面活性剂和水；其中，所述表面活性剂包括脂肪醇聚氧乙烯醚、壬基酚聚氧乙烯醚、聚乙烯吡咯烷酮、八苯基聚氧乙炔或吐温本发明在抛光液中加入合适的表面活性剂，能够改善抛光液的分散稳定性，使表面活性剂吸附在磨粒的表面，从而改变磨料的表面性质，可有效去除抛光过程中的有机物残留和颗粒污染等，而且为第二步精抛提供了更好的抛光基础，防止粗抛后的残留物在精抛过程中对晶片造成损伤。
一种化学机械抛光方法

[发明专利]抛光液、抛光机以及抛光方法-CN201610186551.0在审
发明人：王同庆;王婕;路新春 -专利权人：清华大学
申请日： 2016-03-29 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明提出了抛光液、抛光机以及抛光方法。该方法包括：将抛光液添加在待抛光的晶圆表面上，同时采用紫外灯照射所述抛光液，以便完成所述化学机械抛光，其中，所述抛光液包括：抛光颗粒；氧化剂；光催化剂；以及去离子水。利用紫外灯对抛光液进行照射，能够使光催化剂催化附着在光催化剂表面的物质发生氧化反应，产生更多强氧化剂，进而可以提高该抛光液对待抛光材料的氧化效果，从而可以增强化学机械抛光过程对待抛光材料表面的材料去除程度
抛光抛光机以及方法

[发明专利]用于钽阻挡层的化学机械抛光浆料-CN200510030869.1有效
发明人：宋伟红;陈国栋;顾元;徐春;宋鹰 -专利权人：安集微电子（上海）有限公司
申请日： 2005-10-28 - 公布日： 2007-05-02 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于钽阻挡层的化学机械抛光浆料，其包括研磨颗粒A、比研磨颗粒A的尺寸大的研磨颗粒B、三唑类化合物、有机酸和载体。本发明的化学机械抛光浆料可以使缺陷、划伤、粘污和其它残留明显下降，且通过使用不同尺寸颗粒来调节阻挡层和氧化物层的抛光选择比，以解决两种底物的去除速率不易于各自调整的难题，而且还可以防止金属抛光过程中产生的局部和整体腐蚀
用于阻挡化学机械抛光浆料

[发明专利]用于化学机械抛光圆片级超薄硅片的临时黏合方法-CN201610217363.X有效
发明人：曾毅波;郭航 -专利权人：厦门大学
申请日： 2016-04-08 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：用于化学机械抛光圆片级超薄硅片的临时黏合方法，涉及半导体工艺和微制造领域。在承载片上加工出比超薄硅片外径略大三段等径同心圆弧槽，并开设三段溢流槽，溢流槽与圆弧槽相连；采用旋涂的方法，把黏胶涂覆于圆弧槽底，用于圆弧槽定位和承载超薄硅片；对整体硅片进行热压；当超薄硅片完成后续化学机械抛光后不仅可解决超薄硅片在化学机械抛光过程中难以夹持，易破碎的问题，同时能有效减小超薄硅片后续抛光时累积加工误差，显著降低工艺成本。
用于化学机械抛光圆片级超薄硅片临时方法

[实用新型]一种化学机械抛光修整器-CN201320385493.6有效
发明人：唐强 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2013-07-01 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： B24B53/017 文献下载
摘要：本实用新型提供一种化学机械抛光修整器，所述化学机械抛光修整器至少包括：圆盘，中央设有一通孔；磨料颗粒，设于所述圆盘上；所述磨料颗粒包括大磨料颗粒和小磨料颗粒；所述大磨料颗粒设于圆盘的内圈表面上，所述小磨料颗粒设于圆盘的外圈表面上本实用新型提供的修整器通过对圆盘上的磨料颗粒进行重新排列，将大磨料颗粒设于圆盘的内圈表面上，小磨料颗粒设于圆盘的外圈表面上，优化了圆盘硬件结构，使磨料颗粒在抛光过程中不易脱落或断裂，延长修整器的寿命，增强污垢的去除率该化学机械抛光修整器结构简单，操作方便，适用于工业化生产。
一种化学机械抛光修整

[发明专利]一种可提高抛光性能的化学机械抛光方法-CN200710045481.8有效
发明人：邓永平 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-08-31 - 公布日： 2009-03-04 - 主分类号： B24B29/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种可提高抛光性能的化学机械抛光方法。现有技术中的第一阶段抛光依据所检测到的抛光终点终止抛光，从而使整个抛光过程难以控制而出现过抛凹陷及腐蚀或被抛光层残留等抛光性能不佳的问题。本发明的可提高抛光性能的化学机械抛光方法包括第一阶段和第二阶段抛光，该第一阶段抛光的压力大于第二阶段抛光，该方法先统计得出第一阶段和第二阶段抛光的总时间；然后将第一阶段抛光的时间设定为该总时间的60％至80％，且依照所设定的时间进行第一阶段抛光；最后进行第二阶段抛光且检测其抛光终点，在检测到抛光终点时停止第二阶段抛光。本发明可大大提高抛光过程的可控性，从而避免出现过抛凹陷及腐蚀或被抛光层残留等抛光性能不佳的现象。
一种提高抛光性能化学机械抛光方法

[发明专利]一种化学机械抛光装置及其控制方法-CN201911413659.9有效
发明人：赵德文;刘远航;李长坤;倪孟骐;路新春 -专利权人：清华大学;华海清科股份有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： B24B37/00 文献下载
摘要：一种化学机械抛光装置，包括：抛光垫、承载头、修整器、传感器组件和控制器；所述抛光垫固定于耦接至第一驱动组件的抛光盘上；所述承载头耦接至第二驱动组件，用于将基板抵压于所述抛光垫上进行抛光；所述修整器耦接至第三驱动组件，用于在抛光过程中对所述抛光垫进行修整；所述传感器组件与第一驱动组件和/或第二驱动组件和/或第三驱动组件连接，用于传送至少一个驱动组件产生的实时数据信号；所述控制器用于接收所述实时数据信号并根据该信号控制抛光过程
一种化学机械抛光装置及其控制方法

[发明专利]一种机械抛光用抛光膏制作工艺-CN202010654986.X在审
发明人：闵友付 -专利权人：江苏安全技术职业学院
申请日： 2020-07-09 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种机械抛光用抛光膏制作工艺，由石蜡、氧化锆、氧化铬、白泥、氧化铝、碳酸钙、凡士林、油酸、石油磺酸钠制成；与现有技术相比，本发明的抛光剂采用科学的配比以及特殊的工艺制成抛光剂，尤其适用于金属表面的抛光，能够将金属表面快速抛光，能够将机械零件表面抛光至良好的光洁度，且在抛光过程中产生高温过程不产生异味，无有害气体产生，具有推广应用的价值。
一种机械抛光抛光制作工艺

[发明专利]一种扫描电镜用金相样品的制备方法-CN201510801343.2有效
发明人：陈煜达;潘睿;陈春焕;任瑞铭 -专利权人：大连交通大学
申请日： 2015-11-18 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： G01N1/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种扫描电镜用金相样品的制备方法，属于金相样品制备技术领域，所述制备方法包括粗磨细磨步骤、机械抛光步骤；所述机械抛光步骤为将经过粗磨细磨后的试样置于湿润的抛光盘上加入抛光剂抛光；所述抛光剂包括碱性硅溶胶、碱液、水与洗涤剂，所述碱性硅溶胶、碱液、水与洗涤剂的体积比为48～140：7～20：48～140：1～3，本发明有益效果为抛光过程既对试样抛光，又将组织形貌浸蚀出来，尤其对于塑性变形组织、纳米晶结构、
一种扫描电镜金相样品制备方法

[发明专利]一种整体叶轮的旋转化学机械抛光方法-CN201910576307.9有效
发明人：张振宇;廖龙兴;王林海;谢文祥 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： B24B31/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种整体叶轮的旋转化学机械抛光方法，该方法通过应用不同组分的化学试剂与磨料组成的混合抛光液，分别对整体叶轮进行粗抛、半精抛及精抛加工。整个抛光过程中只需整体叶轮绕轴线进行旋转运动，即可保证混合抛光液中的化学试剂、磨粒与叶片表面发生化学反应及刮擦，从而实现将整体叶轮表面凹凸不平的部位去除。本发明提供的一种整体叶轮的旋转化学机械抛光方法代替了人工抛光或其他高端装备加工的方式，实现了其自动抛光，且抛光精度好，效率高，成本低。
一种整体叶轮旋转化学机械抛光方法

[发明专利]一种化学机械抛光方法-CN201210584555.6无效
发明人：姚颖;荆建芬;王雨春;王文龙 -专利权人：安集微电子（上海）有限公司
申请日： 2012-12-28 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01L21/321 文献下载
摘要：本发明揭示了一种用于硅通孔的抛光工艺方法，用于TSV硅通孔化学机械抛光的工艺方法，包括以下步骤：步骤A：用铜抛光液去除铜覆盖层并对表面进行平坦化；步骤B：用阻挡层抛光液去除钽阻挡层和部分介电层并对表面进行平坦化；步骤C：用加入氮化硅抑制剂的阻挡层化学机械抛光液去除介电层并保留氮化硅层，其中，所述氮化硅抑制剂单独从一个供料管在线加入。该抛光方法可提高产能，同时介电层抛光后能停在氮化硅停止层上，能较好的控制抛光过程。
一种化学机械抛光方法

[发明专利]一种抛光液及CH3-CN202310691346.X在审
发明人：蔡健聪;徐闰;王文贞;潘秋涛;赖紫怡;王豪;陈斐雪;赖建明 -专利权人：上海大学
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种抛光液及CH3NH3PbI3晶体抛光方法，其中，抛光液，包括以下成分基于抛光液的CH3NH3PbI3晶体抛光方法，利用该抛光液可有效均衡CH3NH3PbI3晶体化学机械抛光过程中的机械作业和化学反应作用，使得CH3NH3PbI3晶体化学机械抛光处理过程高效、稳定，并大幅提高了CH3NH3PbI3晶体化学机械抛光的质量，获得优质的抛光表面，提高晶体的物理、电学性能，实用性好。
一种抛光 ch base sub

[发明专利]基于无线传输的化学机械抛光界面温度检测控制系统-CN201310692456.4有效
发明人：苏建修;马胜奇;陈艳锋;郭予新;彭中华;胡阳;吴浩;王振玲;冯东辉 -专利权人：河南科技学院
申请日： 2013-12-18 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： B24B37/015 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于无线传输的化学机械抛光界面温度检测控制系统。本发明的技术方案要点为：基于无线传输的化学机械抛光界面温度检测控制系统，采用热电偶温度传感器对化学机械抛光过程中基片的温度进行监测，采用目前主流的ARMSTM32F103系列微处理器进行处理，并通过NRF905
基于无线传输化学机械抛光界面温度检测控制系统

[发明专利]一种乙酸在STI抛光中的用途-CN201811627090.1有效
发明人：李守田;尹先升;贾长征;王雨春 -专利权人：安集微电子（上海）有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种乙酸在STI抛光中的用途。其中，所述乙酸与化学机械抛光液混合使用，所述化学机械抛光液包括氧化铈磨料，所述氧化铈磨料为胶体纳米氧化铈磨料。所述乙酸的浓度为25‑500ppm。所述抛光液的pH为4.5‑4.8，所述pH条件下，氧化铈磨料表面带正电荷。本发明的抛光液不仅具有较高的二氧化硅抛光速率，还具有较高的二氧化硅/氮化硅抛光速率选择比，在抛光过程中，能够在高效地去除二氧化硅介质层的同时，使抛光停止在氮化硅层，从而得到满足工业生产要求的抛光产品。
一种乙酸 sti 抛光中的用途