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[发明专利]一种阿尔法氧化铝磨料在PI材料抛光中的用途-CN201811654586.8有效
发明人： 李守田;尹先升;贾长征 -专利权人：安集微电子（上海）有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种阿尔法氧化铝磨料在PI材料抛光中的用途，其中，所述阿尔法氧化铝磨料混合于化学机械抛光液形成组合物使用，所述阿尔法氧化铝磨料的含量为0.1％‑1.0％，所述化学机械抛光液在pH7的范围内具有良好的胶体稳定性。本发明使用阿尔法氧化铝磨料，通过控制所述阿尔法氧化铝的含量和抛光液的pH值，提高了对PI材料的抛光速率。
一种阿尔法氧化铝磨料 pi 材料抛光中的用途

[发明专利]一种绝缘膜抛光液及其使用方法-CN202111590690.7在审
发明人：徐鹏宇;王兴平;陈寅斌;刘凤如;贾长征;李守田 -专利权人：安集微电子科技（上海）股份有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种绝缘膜抛光液，包括：氧化铈，阴离子型高分子，阳离子型高分子，绝缘膜抑制剂和水；所述绝缘膜抛光液的抛光速率的图形抛光速率为无图形抛光速率5倍以上。本发明中的绝缘膜抛光液具有较好的稳定性，并且能够实现自动停止功能。
一种绝缘抛光及其使用方法

[发明专利]一种化学机械抛光液及其使用方法-CN202111592296.7在审
发明人：徐鹏宇;王兴平;李守田 -专利权人：安集微电子科技（上海）股份有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种化学机械抛光液，包括：氧化铈颗粒，阴离子化合物，阳离子化合物，抑制剂和pH调节剂；其中所述抑制剂为非离子高分子化合物；所述化学机械抛光液对于绝缘膜相/多晶硅的抛光选择比高于100。本发明中的化学机械抛光液，能够有效保持绝缘层对停止层较大的抛光选择比，并且，所述停止层为多晶硅停止层。
一种化学机械抛光及其使用方法

[发明专利]一种制备氧化铈纳米复合物的方法、一种氧化铈纳米复合物及一种化学机械抛光液-CN202111466639.5在审
发明人：王兴平;徐鹏宇;陈寅斌;李守田 -专利权人：安集微电子（上海）有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种制备氧化铈纳米复合物的方法，包括，第一步：将阴离子表面修饰剂与纳米氧化铈颗粒的水分散液接触制得表面带有负电荷的氧化铈纳米复合物，所述阴离子表面修饰剂选自无机多元酸及其衍生物、阴离子有机高分子；第二步：将阳离子表面修饰剂与第一步中带负电的氧化铈纳米复合物接触制得表面带正电的氧化铈纳米复合物，所述阳离子表面修饰剂选自无机路易斯酸及其衍生物、阳离子有机高分子。本发明通过对纳米氧化铈进行表面修饰实现对其化学机械抛光性能的调节，能够解决负电荷氧化铈颗粒氧化硅抛光速度不够高，平坦化效率低的问题。
一种制备氧化纳米复合物方法化学机械抛光

[发明专利]一种制备纳米复合颗粒分散液的方法及纳米复合颗粒分散液、化学机械抛光液-CN202111450137.3在审
发明人：王兴平;徐鹏宇;贾长征;刘凤茹;李守田;陈湛 -专利权人：安集微电子（上海）有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种制备纳米复合颗粒分散液的方法，所述方法包括：制备负电荷有机‑无机纳米复合颗粒分散液：向阴离子有机高分子溶液中添加带有正电荷的无机纳米颗粒，充分搅拌，分散均匀，得到带有负电荷的有机‑无机纳米复合颗粒分散液；制备正电荷有机‑无机纳米复合颗粒分散液：向阳离子有机高分子溶液中添加带有负电荷的有机高分子‑无机金属氧化物复合物分散液，充分搅拌，分散均匀，得到带有正电荷的有机高分子‑无机纳米复合颗粒分散液；交替重复步骤(1)和(2)，通过调整步骤(1)和(2)的次数分别获得负电荷和正电荷有机‑无机纳米复合颗粒分散液。通过上述方法，可以实现对CMP抛光液性能的有效调控。
一种制备纳米复合颗粒分散方法化学机械抛光

[发明专利]一种化学机械抛光液及其使用方法-CN202011443385.0在审
发明人：贾长征;李守田 -专利权人：安集微电子（上海）有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种化学机械抛光液及其使用方法。所述化学机械抛光液，含有氧化铈研磨颗粒，曲酸和pH调节剂。本发明中的化学机械抛光液能够有效降低抛光速率对压力的敏感性，同时能够保证适当的抛光速率的抛光液。
一种化学机械抛光及其使用方法

[发明专利]一种化学机械抛光液及其使用方法-CN202011443410.5在审
发明人：贾长征;李守田 -专利权人：安集微电子（上海）有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种化学机械抛光液及其使用方法。所述化学机械抛光液，含有氧化铈研磨颗粒，羟胺衍生物和pH调节剂。本发明中的化学机械抛光液能够有效降低抛光速率对压力的敏感性，同时能够保证适当的抛光速率的抛光液。
一种化学机械抛光及其使用方法

[发明专利]一种化学机械抛光液及其使用方法-CN202011452923.2在审
发明人： 李守田;贾长征 -专利权人：安集微电子（上海）有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种化学机械抛光液及其使用方法。所述化学机械抛光液含有，氧化铈研磨颗粒，羟胺及其衍生物，以及pH调节剂,其中所述氧化铈研磨颗粒表面带有正电荷。使用本发明中的化学机械抛光液，随着晶圆上图案台阶高度的降低，抛光液的抛光速率也随之降低，从而实现自动停止的功能，并且使用条件较为温和，能够实现规模化生产使用，能够适用于具有不同图形的图片晶圆，在本领域具有广泛的使用前景。
一种化学机械抛光及其使用方法

[发明专利]一种化学机械抛光液及其使用方法-CN202011452927.0在审
发明人：贾长征;李守田 -专利权人：安集微电子（上海）有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种化学机械抛光液及其使用方法。所述抛光液含有氧化铈研磨颗粒和2‑甲胺乙醇。本发明中的抛光液能够有效降低抛光速率对压力的敏感性，使抛光过程更加可控、平稳，并且由于降低了对压力的敏感性，该化学机械抛光液可以适用于更加广泛的抛光材料和使用场景；同时保持适合的抛光效率，提高抛光效率。
一种化学机械抛光及其使用方法

[发明专利]一种焦性没食子酸在二氧化硅抛光中的用途-CN201811627089.9有效
发明人： 李守田;尹先升;贾长征;王雨春 -专利权人：安集微电子科技（上海）股份有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种焦性没食子酸在二氧化硅抛光中的用途，所述焦性没食子酸与化学机械抛光液混合使用，所述化学机械抛光液包括氧化铈研磨颗粒，所述焦性没食子酸的浓度为20‑1000ppm，所述化学机械抛光液的pH为4.5。本发明通过向化学机械抛光液中添加焦性没食子酸，能够适当抑制二氧化硅的抛光速率，从而避免了抛光过程中在二氧化硅表面产生蝶形缺陷，提升了抛光产品的质量。
一种焦性没食子酸二氧化硅抛光中的用途

[发明专利]一种乙酸在STI抛光中的用途-CN201811627090.1有效
发明人： 李守田;尹先升;贾长征;王雨春 -专利权人：安集微电子（上海）有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种乙酸在STI抛光中的用途。其中，所述乙酸与化学机械抛光液混合使用，所述化学机械抛光液包括氧化铈磨料，所述氧化铈磨料为胶体纳米氧化铈磨料。所述乙酸的浓度为25‑500ppm。所述抛光液的pH为4.5‑4.8，所述pH条件下，氧化铈磨料表面带正电荷。本发明的抛光液不仅具有较高的二氧化硅抛光速率，还具有较高的二氧化硅/氮化硅抛光速率选择比，在抛光过程中，能够在高效地去除二氧化硅介质层的同时，使抛光停止在氮化硅层，从而得到满足工业生产要求的抛光产品。
一种乙酸 sti 抛光中的用途

[发明专利]一种聚醚胺化合物在PI介电材料抛光中的用途-CN201811652979.5有效
发明人： 李守田;尹先升;贾长征 -专利权人：安集微电子（上海）有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种聚醚胺类化合物在PI介电材料抛光中的用途，本发明在含有研磨颗粒的化学机械抛光液中添加聚醚胺类化合物，能够适当抑制PI介电材料的抛光速率，从而在图形晶圆介电材料PI膜平坦化抛光过程中保护低点，避免低点区域的过抛，从而提高平坦化抛光的效率。
一种聚醚胺化合物 pi 材料抛光中的用途

[发明专利]一种氧化铈磨料在PI介电材料抛光中的用途-CN201811654753.9有效
发明人： 李守田;尹先升;贾长征 -专利权人：安集微电子（上海）有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种氧化铈磨料在PI介电材料抛光中的用途，其中所述氧化铈磨料混合于化学机械抛光液形成组合物使用，所述氧化铈磨料的含量为0.1％‑1％，所述化学机械抛光液的pH值＜7。本发明的抛光液使用氧化铈作为磨料，在适当的氧化铈磨料含量和抛光液pH范围下，表现出较高的PI介电材料的抛光速率。
一种氧化磨料 pi 材料抛光中的用途

[发明专利]一种化学机械抛光液-CN201710569719.0有效
发明人： 李守田;尹先升;贾长征;王雨春 -专利权人：安集微电子科技（上海）股份有限公司
申请日： 2017-07-13 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种化学机械抛光液，包括溶胶型氧化铈、以及聚季铵盐。本发明采用溶胶型氧化铈作为研磨颗粒，同时添加聚季铵盐作为添加剂，在聚季铵盐作用下，实现抑制氮化硅的抛光速率、提高二氧化硅的抛光速率，同时控制蝶形凹陷的产生的技术效果。
一种化学机械抛光

[发明专利]一种化学机械抛光液-CN201710569909.2有效
发明人： 李守田;尹先升;贾长征;王雨春 -专利权人：安集微电子科技（上海）股份有限公司
申请日： 2017-07-13 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种化学机械抛光液，包含氧化铈磨料颗粒、聚季铵盐及pH调节剂。本发明中的聚季铵盐可控制氧化硅的抛光速率，使得在高压下达到高的氧化硅抛光速率，在低压下实现低的氧化硅的抛光速率，从而取得较低碟形凹陷(dishing)。
一种化学机械抛光

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