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[发明专利]硅异质结太阳能电池及其制作方法-CN202010718701.4有效
发明人：徐琛 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开一种硅异质结太阳能电池以及硅异质结太阳能电池的制作方法，涉及太阳能电池技术领域，以利用本征非晶硅锗层抑制硅基底界面的外延生长，以利用本征非晶硅层提升硅基底界面的钝化效果。该硅异质结太阳能电池，包括：N型硅基底；形成在N型硅基底的一面上的本征非晶硅锗层；形成在本征非晶硅锗层上的第一本征非晶硅层；以及形成在第一本征非晶硅层上的P型掺杂非晶硅层。本发明提供的硅异质结太阳能电池的制作方法用于制作上述硅异质结太阳能电池。
硅异质结太阳能电池及其制作方法

[发明专利]异质结电池的制备方法-CN202111134974.5在审
发明人：陈曦;张达奇;吴坚;蒋方丹 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明提供一种异质结电池的制备方法，包括于真空环境下，在硅基衬底的上下表面制备本征非晶硅层以及在本征非晶硅层上制备掺杂层的镀膜工艺；所述镀膜工艺包括如下步骤：先以第一沉积速率在硅基衬底的上下表面沉积第一本征非晶硅层，所述第一沉积速率介于0.4nm/s～1.2nm/s之间；再在所述第一本征非晶硅层上以第二沉积速率沉积第二本征非晶硅层，所述第二沉积速率介于0.03nm/s～0.3nm/s之间；沿远离所述本征非晶硅层的方向，在所述本征非晶硅层上形成掺杂浓度逐渐增大的掺杂层；增强钝化效果，且能够提高最终形成的异质结电池的光电转换效率。
异质结电池制备方法

[发明专利]一种晶硅/非晶硅异质结电池的电池结构及其制备方法-CN202011262779.6在审
发明人：冯乐;白焱辉;王继磊;黄金;贾慧君;鲍少娟;杨骥;任法渊;杨文亮;杜凯;师海峰 -专利权人：晋能光伏技术有限责任公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶硅/非晶硅异质结电池的电池结构包括：单晶硅片基底；单晶硅片基底正面依次生长本征非晶硅薄膜、掺杂非晶硅薄膜和透明导电薄膜；单晶硅片基底背面依次生长本征非晶硅薄膜、掺杂非晶硅薄膜和透明导电薄膜本发明在不影响HJT电池的电池结构情况下，通过使用管式PECVD进行本征非晶硅薄膜的制备，在一定的工艺条件下使其Eta可以接近板式PECVD制备的本征非晶硅薄膜电池Eta，从设备及工艺两个方向达到降本的目的本发明通过使用管式PECVD设备制备本征非晶硅层形成钝化层，使用板式PECVD设备制备n、p型掺杂非晶硅层分别形成场钝化层和p‑n结层。
一种非晶硅异质结电池结构及其制备方法

[发明专利]异质结电池结构及其制备方法-CN202011606801.4有效
发明人：赵保星;张树德;符欣;连维飞;魏青竹;倪志春 -专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L31/0376 文献下载
摘要：本申请涉及一种异质结电池结构及其制备方法，该异质结电池结构包括自下而上依次设置的底电极、背面透明导电膜层、n型掺杂非晶硅层、背面本征非晶硅层、背面本征非晶硅缓冲层、n型单晶硅片、正面本征非晶硅缓冲层、正面本征非晶硅层、p型掺杂非晶硅层、正面透明导电膜层以及顶电极。异质结电池结构及其制备方法该大幅提升非晶硅/硅衬底界面的清晰度，提升钝化效果，进而提升电池开路电压以及开路电压相关的填充因子。
异质结电池结构及其制备方法

[发明专利]双面异质结太阳能电池及其制备方法-CN202111578235.5在审
发明人：张达奇;陈曦;吴坚 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明提供一种双面异质结太阳能电池及其制备方法，所述双面异质结太阳能电池包括硅基，依次位于所述硅基主受光侧的本征非晶硅层、掺杂非晶硅层，所述本征非晶硅层包括本征过渡层、位于所述本征过渡层背离所述硅基的一侧的本征钝化层，且所述本征非晶硅层的厚度介于3.5nm～5.5nm之间。本发明中含氢的所述本征钝化层比本征过渡层的钝化效果好，两层配合可以在保证钝化效果的前提下减薄整个所述本征非晶硅层的厚度，有效减少了该层的光吸收，到达硅基的光增多，提升了电池的短路电流。
双面异质结太阳能电池及其制备方法

[实用新型]一种高效N型HIBC太阳能电池-CN202021948246.9有效
发明人：杜娟;张敏;卢刚 -专利权人：黄河水电光伏产业技术有限公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本实用新型公开了高效N型HIBC太阳能电池，包括N型硅衬、第一本征非晶硅层、N型非晶硅层和减反层、及第二本征非晶硅层、掺杂非晶硅层和接触层，N型硅衬底的厚度为160～190μm；第一本征非晶硅层的厚度为1～15nm；N型非晶硅层的厚度为5～20nm；掺杂非晶硅层包括交替间隔设置的P型非晶硅区和N型非晶硅区；第二本征非晶硅层的厚度为1～15nm；掺杂非晶硅层的厚度为0.1～0.4μm，P型非晶硅区的宽度为300～1000μm；N型非晶硅区的宽度为80～220μm，相邻的P型非晶硅区和N型非晶硅区之间的间隙宽度为10～50μm。本实用新型旨在提升电池的光电转化效率及质量。
一种高效 hibc 太阳能电池

[发明专利]P型硅衬底异质结电池-CN201310134091.3有效
发明人：包健;郭万武;余冬冬 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2013-04-18 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本发明公开了一种P型硅衬底异质结电池，它包括一P型晶体硅衬底层、一本征非晶硅层、一N型非晶硅层、一P型非晶硅掺杂层、一第一透明导电层、一上电极层、一本征非晶硅锗钝化层、一第二透明导电层和一背电极层，P型晶体硅衬底层具有一正面和一背面；本征非晶硅层沉积在P型晶体硅衬底层的正面上；N型非晶硅层沉积在本征非晶硅层的上表面上；第一透明导电层位于N型非晶硅层的上表面上；本征非晶硅锗钝化层沉积在P型晶体硅衬底层的背面上；P型非晶硅掺杂层沉积在本征非晶硅锗钝化层的下表面上；第二透明导电层位于P型非晶硅掺杂层的下表面上；背电极层位于第二透明导电层的下表面上并通过第二透明导电层与P型非晶硅掺杂层电性连接。
衬底异质结电池

[发明专利]一种二氧化碳梯度分层掺杂钝化非晶硅方法及太阳能电池-CN202310623520.7在审
发明人：王豫林;汤安民;闫凯;郭小勇;杨文栋;唐旋 -专利权人：眉山琏升光伏科技有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种二氧化碳梯度分层掺杂钝化非晶硅方法及太阳能电池，方法包括：提供制绒清洗后的晶体硅衬底，晶体硅衬底包括N面和P面；于晶体硅衬底的N面制备若干本征非晶硅层，各本征非晶硅层内包括掺杂有二氧化碳的本征非晶硅层，并于N面的本征非晶硅层上远离晶体硅衬底的一侧设置N型掺杂非晶硅层；于晶体硅衬底的P面制备若干本征非晶硅层，并于P面的本征非晶硅层上远离晶体硅衬底的一侧设置P型掺杂非晶硅层。本发明采用CO2梯度分层掺杂工艺在保证钝化效果无较大损失的情况下，由于CO2的梯度分层掺入使得电池片非晶硅层的整体禁带宽度得到拓宽
一种二氧化碳梯度分层掺杂钝化非晶硅方法太阳能电池

[实用新型]HIT太阳电池-CN200920124019.1有效
发明人：李志强;季凯春;陈筑;易月星;杨玉光;胡宏勋 -专利权人：宁波尤利卡太阳能科技发展有限公司
申请日： 2009-07-01 - 公布日： 2010-05-19 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本实用新型公开一种HIT太阳电池，包括N型单晶硅片、N型单晶硅片的正面的本征非晶硅薄膜，在正面的本征非晶硅薄膜上沉积的P型重掺非晶硅薄膜；在P型重掺非晶硅薄膜上镀有的正面的透明导电薄膜，在正面的透明导电薄膜上印刷有的银金属栅线正电极；N型单晶硅片的背面的本征非晶硅薄膜，在背面的本征非晶硅薄膜上沉积的N型重掺非晶硅薄膜，在N型重掺非晶硅薄膜上镀有的背面的透明导电薄膜，在背面的透明导电薄膜上印刷有银金属栅线背电极，它还包括至少一层本征非晶硅层，所述的本征非晶硅层的每层厚度为0.5～10nm。本实用新型的HIT太阳电池可以减少缺陷复合中心，降低暗电流、提高电池的开路电压和填充因子。
hit 太阳电池

[发明专利]一种高效晶硅/非晶硅异质结太阳能电池及其制备方法-CN201911206365.9在审
发明人：冯乐;白焱辉;王继磊;张娟;高勇;白星亮;黄金;杨骥;任法渊;贾慧君 -专利权人：晋能光伏技术有限责任公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效晶硅/非晶硅异质结太阳能电池，包括硅层衬底、设置在硅层衬底正面的本征非晶硅层一以及设置在硅层衬底背面的本征非晶硅层二；所述本征非晶硅层二的背面依次设置有掺杂非晶硅层A和TCO层一，还包括：受光面掺杂层和TCO层二，所述受光面掺杂层设置在所述本征非晶硅层一的正面，所述TCO层二设置在所述受光面掺杂层的正面；所述受光面掺杂层至少包括掺杂非晶硅层B和掺杂微晶硅层。本发明制备的高效晶硅/非晶硅异质结太阳能电池在减小HJT电池受光面非晶硅寄生吸收的同时，也提高受光面非晶硅层的导电性，膜层同时具有优异的光学性能和电学性能。
一种高效非晶硅异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种异质结电池制备方法-CN201910990752.X有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：苏州联诺太阳能科技有限公司
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结电池制备方法，异质结电池包括依次顺序设置的栅电极、透明导电层、n型非晶硅层、本征非晶硅层、单晶硅基底、本征非晶硅层、p型非晶硅层、透明导电层及栅电极，制备方法包括：在单晶硅基底的一端面上进行本征非晶硅层的镀膜工艺，翻片，在和单晶硅基底的一端面相对设置的另一端面上进行本征非晶硅层的镀膜工艺，进行n型非晶硅层的镀膜工艺，翻片，进行p型非晶硅层的镀膜工艺。该制备方法可降低掺杂的n或者p型材料污染另外一面没有镀本征非晶硅层的硅片的表面；而且，可更好地匹配各薄膜层镀膜时的工艺温度，从而提升异质结电池的性能。
一种异质结电池制备方法

[实用新型]P型硅衬底异质结电池-CN201320194906.2有效
发明人：包健;郭万武;余冬冬;杨同春 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2013-04-18 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种P型硅衬底异质结电池，它包括一P型晶体硅衬底层、一本征非晶硅层、一N型非晶硅层、一P型非晶硅掺杂层、一第一透明导电层、一上电极层、一本征非晶硅锗钝化层、一第二透明导电层和一背电极层，P型晶体硅衬底层具有一正面和一背面；本征非晶硅层沉积在P型晶体硅衬底层的正面上；N型非晶硅层沉积在本征非晶硅层的上表面上；第一透明导电层位于N型非晶硅层的上表面上；本征非晶硅锗钝化层沉积在P型晶体硅衬底层的背面上；P型非晶硅掺杂层沉积在本征非晶硅锗钝化层的下表面上；第二透明导电层位于P型非晶硅掺杂层的下表面上；背电极层位于第二透明导电层的下表面上并通过第二透明导电层与P型非晶硅掺杂层电性连接。本实用新型可以增加空穴在衬底背面的跃迁几率，增加载流子的收集利用，增加短路电流，提升电池的转换效率。
衬底异质结电池

[实用新型]一种HJT结构及太阳能电池-CN202321645548.2有效
发明人：朱晶晶;赵福祥 -专利权人：韩华新能源（启东）有限公司
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种HJT结构及太阳能电池，结构包括硅基体，硅基体的正面由内向外依次设有隧穿氧化层、第一碳化硅层、第二碳化硅层、正面TCO导电膜，正面TCO导电膜远离第二碳化硅层一侧设有正金属电极；硅基体的背面由内向外依次设有第一本征非晶硅层、第二本征非晶硅层、掺杂非晶硅层、背面TCO导电膜，背面TCO导电膜远离掺杂非晶硅层的一侧设有背金属电极，其中，第二本征非晶硅层的厚度大于等于第一本征非晶硅层的厚度。本实用新型提供的HJT结构，硅基体背面采用双层本征非晶硅层，第一本征非晶硅层为超薄非晶硅层，可有效抑制纳米孪晶缺陷；第一碳化硅层提供优异钝化特性，第二碳化硅层提供优异导电性，实现钝化和接触共赢。
一种 hjt 结构太阳能电池

[发明专利]一种钝化接触结构的制备方法和太阳能电池-CN202310765836.X在审
发明人：王红娟;赵福祥;沈健锋 -专利权人：韩华新能源（启东）有限公司
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种钝化接触结构的制备方法和太阳能电池，方法包括：(1)对硅衬底背面进行湿法化学抛光、清洗；(2)在硅衬底抛光面上生长隧穿氧化层；(3)在隧穿氧化层上依次沉积多层本征非晶硅层，其中，在靠近隧穿氧化层至远离隧穿氧化层的方向上，后一个本征非晶硅层沉积时炉管内压力大于前一个本征非晶硅层沉积时炉管内压力，后一个本征非晶硅层沉积时SiH4流量大于前一个本征非晶硅层沉积时SiH4流量；(4)对多层本征非晶硅层掺杂处理，使掺杂后的本征非晶硅层晶化后与隧穿氧化层形成钝化接触结构。本发明的方法，既可提高多晶硅掺杂浓度，又可阻止过多掺杂源穿透隧穿氧化层进入硅衬底，保证钝化同时改善金属接触，提高电池效率。
一种钝化接触结构制备方法太阳能电池

[发明专利]异质结太阳能电池及其制备方法、基础异质结太阳能电池-CN202011578413.X在审
发明人：倪志春;符欣;魏青竹 -专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：该制备方法包括如下步骤：A、在硅片上制备本征非晶硅层，在本征非晶硅层上制备掺杂非晶硅层；B、在掺杂非晶硅层上制备透明导电氧化物薄膜；C、在透明导电氧化物薄膜上制备金属电极制得基础电池片；在制备本征非晶硅层、掺杂非晶硅层和透明导电氧化物薄膜之前，预先在硅片表面的需进行划片的位置上放置掩膜，从而在本征非晶硅层、掺杂非晶硅层和透明导电氧化物薄膜中形成有隔离沟道，隔离沟道自硅片的表面依次贯穿本征非晶硅层、掺杂非晶硅层和透明导电氧化物薄膜本发明能够避免在划片分切时损伤非晶硅层和导电薄膜层。
异质结太阳能电池及其制备方法基础