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[发明专利]双层非晶硅本征层的异质结太阳能电池结构及其制备方法-CN201910601631.1在审
发明人：郭小勇;易治凯;王永谦 -专利权人：江苏爱康能源研究院有限公司
申请日： 2019-07-05 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明涉及的一种双层非晶硅本征层的异质结太阳能电池结构及其制备方法，它包括硅衬底，所述硅衬底的正面和背面均设有第一非晶硅本征层；所述硅衬底和第一非晶硅本征层之间设有第二非晶硅本征层，所述第二非晶硅本征层采用二氧化碳和纯硅烷进行沉积，所述第一非晶硅本征层的外侧设有非晶硅掺杂层，所述非晶硅掺杂层的外侧设有TCO导电膜，所述TCO导电膜的外侧设有若干Ag电极。本发明有效的避免了非晶硅薄膜的外延生长，减少硅表面缺陷，保证本征非晶硅薄膜的钝化效果，提升异质结太阳能电池性能。
非晶硅本征层异质结太阳能电池硅衬底掺杂层导电膜非晶硅制备本征非晶硅薄膜非晶硅薄膜钝化效果外延生长纯硅烷硅表面电极二氧化碳沉积背面保证

[发明专利]一种新型微晶-晶硅叠层异质结电池结构及其制备方法-CN202111490927.4在审
发明人：白焱辉;杨立友;王继磊;黄金;鲍少娟;师海峰;杨文亮;冀杨洲;高英杰;潘国鑫;贾慧君 -专利权人：晋能清洁能源科技股份公司
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明提供一种新型微晶‑晶硅叠层异质结电池结构及其制备方法，包括硅衬底，所述硅衬底的一面依次叠加设置正面本征非晶硅层、正面掺杂微晶硅/纳米晶硅/非晶硅层、正面TCO层，所述硅衬底的另一面依次叠加设置背面本征非晶硅层、背面掺杂微晶硅/纳米晶硅/非晶硅层、背面TCO层，在所述正面本征非晶硅层和所述正面掺杂微晶硅/纳米晶硅/非晶硅层之间设置正面本征微晶硅/纳米晶硅层，和/或在所述背面本征非晶硅层和所述背面掺杂微晶硅/纳米晶硅/非晶硅层之间设置背面本征微晶硅/纳米晶硅层。
一种新型晶硅叠层异质结电池结构及其制备方法

[实用新型]具有双层非晶硅本征层的异质结太阳能电池结构-CN201921038438.3有效
发明人：郭小勇;易治凯;汪涛 -专利权人：江苏爱康能源研究院有限公司
申请日： 2019-07-05 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本实用新型涉及的一种具有双层非晶硅本征层的异质结太阳能电池结构，它包括硅衬底，所述硅衬底的正面和背面均设有第一非晶硅本征层；所述硅衬底和第一非晶硅本征层之间设有第二非晶硅本征层，所述第二非晶硅本征层采用二氧化碳和纯硅烷进行沉积，所述第一非晶硅本征层的外侧设有非晶硅掺杂层，所述非晶硅掺杂层的外侧设有TCO导电膜，所述TCO导电膜的外侧设有若干Ag电极。本实用新型有效的避免了非晶硅薄膜的外延生长，减少硅表面缺陷，保证本征非晶硅薄膜的钝化效果，提升异质结太阳能电池性能。
具有双层非晶硅异质结太阳能电池结构

[实用新型]叠层本征层的晶硅异质结太阳能电池电极结构-CN201822091559.6有效
发明人：郭小勇;易治凯;汪涛;王永谦 -专利权人：江苏爱康能源研究院有限公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型涉及的一种叠层本征层的晶硅异质结太阳能电池电极结构，它包括N型晶体硅片，所述N型晶体硅片的正面设有n面非晶硅本征层第一层、n面非晶硅本征层第二层和n面非晶硅本征层第三层，所述N型晶体硅片的背面设有p面非晶硅本征层；所述n面非晶硅本征层第一层采用纯硅烷沉积，所述n面非晶硅本征层第二层采用硅烷和二氧化碳的混合气体沉积，所述n面非晶硅本征层第三层采用硅烷、二氧化碳和氢气的混合气体沉积；所述n面非晶硅本征层第三层和p面非晶硅本征层的外侧均设有非晶硅掺杂层，所述非晶硅掺杂层的外侧设有TCO导电膜。本实用新型既能有效地钝化晶硅表面，又使非晶硅本征层自身的透过率高，提升电池的光电转换效率。
非晶硅本征层第三层沉积异质结太阳能电池本实用新型电极结构混合气体本征层掺杂层第一层非晶硅二氧化碳叠层硅烷晶硅光电转换效率晶硅表面氢气纯硅烷导电膜透过率有效地钝化背面电池

[发明专利]叠层本征层的晶硅异质结太阳能电池电极结构及其制备方法-CN201811524083.9在审
发明人：郭小勇;易治凯;汪涛;王永谦 -专利权人：江苏爱康能源研究院有限公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及的一种叠层本征层的晶硅异质结太阳能电池电极结构及其制备方法，它包括N型晶体硅片，所述N型晶体硅片的正面设有n面非晶硅本征层第一层、n面非晶硅本征层第二层和n面非晶硅本征层第三层，所述N型晶体硅片的背面设有p面非晶硅本征层；所述n面非晶硅本征层第一层采用纯硅烷沉积，所述n面非晶硅本征层第二层采用硅烷和二氧化碳的混合气体沉积，所述n面非晶硅本征层第三层采用硅烷、二氧化碳和氢气的混合气体沉积；所述n面非晶硅本征层第三层和p面非晶硅本征层的外侧均设有非晶硅掺杂层，所述非晶硅掺杂层的外侧设有TCO导电膜。本发明既能有效地钝化晶硅表面，又使非晶硅本征层自身的透过率高，提升电池的光电转换效率。
非晶硅本征层第三层沉积异质结太阳能电池电极结构混合气体本征层掺杂层第一层非晶硅二氧化碳叠层硅烷晶硅制备光电转换效率晶硅表面氢气纯硅烷导电膜透过率有效地钝化背面电池

[发明专利]PECVD法沉积本征非晶硅薄膜的方法、电池制备方法及电池-CN202111123246.4在审
发明人：陈曦;张达奇;吴坚;蒋方丹 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明公开了PECVD法沉积本征非晶硅薄膜的方法、电池制备方法及电池，其中，PECVD法沉积本征非晶硅薄膜的方法包括如下步骤：以硅烷为反应气体，在硅片衬底上依次沉积第一本征非晶硅膜层和第二本征非晶硅膜层，其中，所述第一本征非晶硅膜层沉积时的沉积速率V1为0.4nm/s‑1.2nm/s；第二本征非晶硅膜层沉积时的射频功率W2小于第一本征非晶硅膜层沉积时的射频功率W1；以硅烷和氢气的混合气体为反应气体，在第二本征非晶硅膜层之上沉积成型第三本征非晶硅膜层本发明实施例避免了射频源从高射频功率骤减为零的情况的出现，进而避免了由于射频功率的骤减在非晶硅薄膜上形成的硅粉层，提升了本征非晶硅薄膜的钝化效果。
pecvd 沉积征非晶硅薄膜方法电池制备

[发明专利]一种高效硅基异质结双面电池及其制备方法-CN201510474317.3有效
发明人：杨与胜;王树林;宋广华;庄辉虎 -专利权人：钧石(中国)能源有限公司
申请日： 2015-08-05 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效硅基异质结双面电池及其制备方法，其中所述一种高效硅基异质结双面电池，包括：N型硅片；在所述N型硅片的正面依序设有第一本征非晶硅层、第二本征非晶硅层、P型掺杂非晶硅层、透明导电膜层、金属栅线电极；所述第二本征非晶硅层的电子带隙大于第一本征非晶硅层；在所述N型硅片的反面依序设有第三本征非晶硅层、N型掺杂非晶硅层、透明导电膜层，金属栅线电极。本发明通过的第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层分别在不同的腔室内制备完成，第一本征非晶硅层的制备温度比第二本征非晶硅层的制备温度高，从而使得第二本征非晶硅层具有相对较宽的电子带隙，其对应于晶体硅的禁带宽度
本征非晶硅层制备硅基异质结双面电池金属栅线电极透明导电膜层电子带隙空穴电学性能电子扩散电池片发射极晶体硅阻挡层禁带带宽复合室内阻挡

[发明专利]光生伏打装置-CN200510105632.5有效
发明人：寺川朗 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2005-09-28 - 公布日： 2006-04-05 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明是一种在n型单晶硅基板和含有氢的p型非晶硅层之间，设置了含有氢的实质本征非晶硅层的光生伏打装置，在该装置中，在所述p型非晶硅层和所述本征非晶硅层之间，设有氢浓度比所述本征非晶硅层的氢浓度低的捕获层利用该捕获层抑制氢从本征非晶硅层向p型非晶硅层扩散。
光生伏打装置

[发明专利]具有本征氢化非晶硅层的量产线异质结电池-CN202211514361.9在审
发明人：王守志;王丽婷;王金淳;杜敬良;周啸颖;刘阳;黄国平;李菁楠 -专利权人：中节能太阳能科技（镇江）有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有本征氢化非晶硅层的量产线异质结电池，包括单晶硅片，单晶硅片的上表面上由内向外依次设有本征非晶硅层A1、n型磷掺杂非晶硅层、透明导电膜层、栅线，构成电池正面，单晶硅片的下表面上由内向外依次设有本征非晶硅层A2、p型硼掺杂非晶硅层、透明导电膜层、栅线，构成电池背面，本征非晶硅层A1与n型磷掺杂非晶硅层之间还设有本征氢化非晶硅层B1，本征非晶硅层A2与p型硼掺杂非晶硅层之间还设有本征氢化非晶硅层本发明以量产线异质结电池为基础，优化设计入光侧和背光侧本征氢化非晶硅层的膜厚及两者的匹配，提高异质结电池在钝化效果、透过率、电池转换效率上的性能。
具有氢化非晶硅层量产线异质结电池

[实用新型]多步沉积的高效晶硅异质结太阳能电池结构-CN201822090103.8有效
发明人：郭小勇;易治凯;汪涛;王永谦 -专利权人：江苏爱康能源研究院有限公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型涉及的一种多步沉积的高效晶硅异质结太阳能电池结构，它包括N型晶体硅片，所述N型晶体硅片的正面和背面均设有多层非晶硅本征层，所述正背面的非晶硅本征层的外侧设有非晶硅掺杂层，所述非晶硅掺杂层外侧设有TCO导电膜，所述TCO导电膜的外侧均设有若干Ag电极，相邻两层非晶硅本征层之间均设有H等离子体处理层，最外层的非晶硅本征层和非晶硅掺杂层之间设有H等离子体处理层。本实用新型采用多步沉积非晶硅本征层，在完成每一步沉积后都加一步H等离子体处理，既可以增加薄膜中H原子含量，提高非晶硅本征层对晶硅表面的钝化效果，同时降低非晶硅本征层自身的缺陷态密度，提升太阳能电池的光电转换效率
非晶硅本征层多步沉积掺杂层非晶硅异质结太阳能电池本实用新型导电膜晶硅光电转换效率缺陷态密度太阳能电池钝化效果晶硅表面最外层电极沉积多层两层薄膜背面

[发明专利]多步沉积的高效晶硅异质结太阳能电池电极结构及其制备方法-CN201811523260.1在审
发明人：郭小勇;易治凯;汪涛;王永谦 -专利权人：江苏爱康能源研究院有限公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及的一种多步沉积的高效晶硅异质结太阳能电池电极结构及其制备方法，它包括N型晶体硅片，所述N型晶体硅片的正面和背面均设有多层非晶硅本征层，所述正背面的非晶硅本征层的外侧设有非晶硅掺杂层，所述非晶硅掺杂层外侧设有TCO导电膜，所述TCO导电膜的外侧均设有若干Ag电极，相邻两层非晶硅本征层之间均设有H等离子体处理层，最外层的非晶硅本征层和非晶硅掺杂层之间设有H等离子体处理层。本发明采用多步沉积非晶硅本征层，在完成每一步沉积后都加一步H等离子体处理，既可以增加薄膜中H原子含量，提高非晶硅本征层对晶硅表面的钝化效果，同时降低非晶硅本征层自身的缺陷态密度，提升太阳能电池的光电转换效率
非晶硅本征层多步沉积掺杂层非晶硅异质结太阳能电池电极结构导电膜晶硅制备光电转换效率缺陷态密度太阳能电池钝化效果晶硅表面最外层电极沉积多层两层薄膜背面

[发明专利]硅异质结太阳能电池及其制作方法-CN202010723462.1在审
发明人：徐琛 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开一种硅异质结太阳能电池以及硅异质结太阳能电池的制作方法，涉及太阳能电池技术领域，以在保证本征非晶硅层钝化效果的同时，提高本征非晶硅层的膜层质量。该硅异质结太阳能电池，包括：晶硅基底；至少形成在晶硅基底一面上的本征非晶硅叠层；本征非晶硅叠层包括层叠设置的至少三层本征非晶硅层；沿背离硅基底的方向，各层本征非晶硅层含有的氢元素含量逐渐减小。本发明提供的硅异质结太阳能电池的制作方法用于制作上述硅异质结太阳能电池。
硅异质结太阳能电池及其制作方法

[实用新型]一种太阳能电池结构-CN202123150144.X有效
发明人：杨睿;冯志强 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种太阳能电池结构，所述太阳能电池结构包括硅基底；所述硅基底的一侧表面依次层叠设置有第一选择性非晶硅本征层、第一非晶硅本征层和第一金属栅线；所述硅基底的另一侧表面依次层叠设置有第二选择性非晶硅本征层、第二非晶硅本征层和第二金属栅线；所述第一选择性非晶硅本征层与非第一金属栅线的位置相对应；所述第二选择性非晶硅本征层与非第二金属栅线的位置相对应。本实用新型通过选择性非晶硅本征层的设置，既解决了非晶硅薄膜外延生长带来的缺陷问题，又尽可能的减少对电流传输的影响，从而提高电池效率。
一种太阳能电池结构

[发明专利]薄膜非晶硅-N型晶体硅异质结叠层太阳能电池-CN201210041796.6无效
发明人：包健 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2012-02-23 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜非晶硅-N型晶体硅异质结叠层太阳能电池，具有N型晶体硅基体，N型晶体硅基体背面沉积有厚度为2～10nm的背面非晶硅本征层，背面非晶硅本征层的背面钝化后沉积有厚度为5～15nm的N型微晶硅层，N型晶体硅基体正面沉积有厚度为2～10nm的正面第一非晶硅本征层，正面第一非晶硅本征层的正面钝化后沉积有厚度为10～20nm的P型微晶硅层，P型微晶硅层正面依次沉积有厚度为5～15nm的N型非晶硅层、厚度为50～200nm的正面第二非晶硅本征层、厚度为10～20nm的P型非晶硅层。本发明可以减少非晶硅本征薄膜的厚度，可以提高对太阳光的利用率，从而提升太阳能电池的效率。
薄膜非晶硅晶体硅异质结叠层太阳能电池

[发明专利]用于为具有降低的光致衰退的光伏器件淀积非晶硅膜以改进稳定性能的方法-CN200980134039.X无效
发明人： S·贝纳格利;D·博雷洛;E·瓦拉特-索瓦因;J·迈尔;U·克罗尔 -专利权人：欧瑞康太阳IP股份公司(特吕巴赫)
申请日： 2009-08-26 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： H01L31/0392 文献下载
摘要：通过用于制造p-i-n结半导体层堆叠的方法实现在衬底上的薄膜光伏器件，该堆叠具有p型微晶硅层、p型非晶硅层、选包括本征非晶硅的缓冲硅层、本征型非晶硅层以及在本征型非晶硅层上的n型硅层。
用于具有降低衰退器件淀积非晶硅膜改进稳定性能方法

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