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[发明专利]多孔性绝缘材料及其制备方法-CN99807063.7无效
发明人： P·A·科尔 -专利权人：佐治亚技术研究公司
申请日： 1999-06-04 - 公布日： 2001-07-18 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明涉及一种形成多孔性绝缘组合物的方法,包括步骤(A)提供至少一种包括至少一种有机牺牲材料和至少一种介电材料的有机牺牲材料/介电材料组合物;和(B)将至少一种有机牺牲材料/介电材料组合物中的至少一种有机牺牲材料移出,以使至少一种介电材料内产生微孔。还公开一种用于制造多孔性绝缘体的组合物,包括至少一种热活性的成孔有机牺牲材料和至少一种介电材料。或者,制造多孔性绝缘体所用的组合物包括至少一种成孔有机牺牲材料和至少一种介电材料,其中至少一种成孔材料是降冰片烯型聚合物。
多孔绝缘材料及其制备方法

[发明专利]介电材料、有机晶体管及其制备方法-CN202111072887.1有效
发明人：孙佳;刘婉蓉;阳军亮 -专利权人：中南大学
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种介电材料、有机晶体管及其制备方法；介电材料由以下制备方法制成：以金属单质或金属混合物作为靶材，采用磁控溅射工艺对所述靶材进行处理，并在处理过程中通入反应气体和溅射气体，处理设定时间后即得到所述介电材料；有机晶体管包括自下至上依次设置的基底、介电层、有机半导体层和电极，其中介电层的材料为上述方法制得的介电材料。本发明大大简化了高K介电材料的制备工艺流程、降低了生产要求和成本，有利于高绝缘性能介电材料的产业化生产，制得的介电材料具有良好的绝缘性能，采用本发明制备的介电材料生产的有机晶体管工作电压仅3V，电流开关比可达到
材料有机晶体管及其制备方法

[发明专利]自生长疏水性纳米分子有机防扩散膜及其制备方法-CN02144045.X无效
发明人：胡荣治 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2002-09-27 - 公布日： 2003-08-06 - 主分类号： H01L21/312 文献下载
摘要：公开一种在介电材料上的疏水性纳米有机分子防扩散膜及其制备方法。本发明提供了在等离子体干蚀刻或化学机械抛光之后在介电材料上制备疏水性纳米有机分子防扩散膜的方法。该疏水性纳米有机分子防扩散膜可以自动起疏水性有机屏障膜的作用，防止介电材料的吸湿，其厚度在纳米级。而且，所述疏水性纳米有机分子防扩散膜可以成功阻止Cu原子扩散到介电材料中。因此，通过本发明的纳米分子有机防扩散膜能有效解决介电材料的吸湿问题以及Cu原子扩散。
生长疏水纳米分子有机扩散及其制备方法

[发明专利]用于倒置型有机发光组件的阴极结构-CN200410084121.5有效
发明人：叶永辉;吴忠帜;陈介伟;林俊良;杨志仁 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2004-10-18 - 公布日： 2006-04-26 - 主分类号： H05B33/20 文献下载
摘要：一种用于倒置型有机发光组件的阴极结构，包括一导电电极层、一有机材料层、一介电材料层以及一金属层；其特征在于所述有机材料层位于导电电极层之上，介电材料层位于有机材料层之上，金属层位于介电材料层之上；这种用于倒置型有机发光组件的阴极结构，可避免使用低功函数、高活性的金属，因此有利于有机发光组件和显示器的制作以及环境稳定性。
用于倒置有机发光组件阴极结构

[发明专利]一种含双层介电层的有机薄膜晶体管及其制备方法-CN201810166052.4在审
发明人：孟鸿;魏潇赟;李爱源;曹菊鹏;朱淼 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种含双层介电层的有机薄膜晶体管及其制备方法，其中，有机薄膜晶体管从下至上依次包括：栅极衬底、第一介电层、第二介电层、有机半导体层和电极；所述第一介电层的材料为无机介电材料或者介电常数大于5的聚合物材料；所述第二介电层的材料为含氟聚酰亚胺；所述有机半导体层和所述第二介电层均与所述电极搭接。本发明利用上层含氟聚酰亚胺的疏水性来降低电荷被陷阱俘获的概率，同时利用含氟聚酰亚胺较匹配的热膨胀系数以及良好的延展性来提升晶体管的热稳定性；而下层介电层则用于降低器件暗电流，抑制阈值电压的正向漂移。本发明通过设计双层介电层，改善了有机薄膜晶体管的热稳定性和电稳定性。
介电层有机薄膜晶体管含氟聚酰亚胺双层介电层有机半导体层热稳定性电极制备无机介电材料延展性漂移聚合物材料热膨胀系数电稳定性降低器件介电常数阈值电压电荷暗电流疏水性栅极衬晶体管俘获搭接正向下层匹配上层陷阱概率

[发明专利]一种低介电低密度石英质陶瓷材料制备方法-CN202011477340.5有效
发明人：曹俊倡;朱保鑫;盖莹;杨显锋;韦其红;邢政鹏;王洪升;栾强;姜立平;崔唐茵;胡春玲;陈东杰;唐建新 -专利权人：山东工业陶瓷研究设计院有限公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： C04B38/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种低介电低密度石英质陶瓷材料制备方法，属于陶瓷材料技术领域，以石英粉为原料，结合注凝工艺，采用有机物造孔、低温排胶、高温烧结制备得到目标材料。工艺操作简便，产品性能稳定，介电系数较低能够达到2.0～2.8，产品强度达到20MPa以上，很好地解决了低介电低密度石英陶瓷的制备存在的困难。传统低介电材料多为有机材料，耐高温性能非常有限，本专利提供方法制备产品为陶瓷质材料，很好的解决了有机低介电材料不能耐受500℃以上高温的问题，在高温低介电领域尤其是微波通信领域应用前景非常广阔。
一种低介电低密度石英陶瓷材料制备方法

[发明专利]具有分级电压响应的电压可切换介电材料的配方及其制造方法-CN200780035343.X无效
发明人： L·科索沃斯基;R·弗莱明 -专利权人：肖克科技有限公司
申请日： 2007-09-24 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： H01L29/12 文献下载
摘要：电压可切换介电材料的配方包括均匀分散在介电基质材料内的两种或多种不同类型的半导电材料。半导电材料被选择成具有不同的带隙能量以为电压可切换介电材料提供分级电压响应。半导电材料可包括无机微粒、有机微粒、或可溶解于介电基质材料或可与介电基质材料混溶的有机材料。配方还可任选地包括导电材料。配方中的导电或半导电材料的至少一种可包括以至少3或更大的长径比为特征的粒子。
具有分级电压响应切换材料配方及其制造方法

[发明专利]用于预金属和/或浅槽隔离应用中所用的旋涂介电材料的UV固化方法-CN200580050060.3无效
发明人： C·沃尔弗里德;O·埃斯科尔恰 -专利权人：艾克塞利斯技术公司
申请日： 2005-06-09 - 公布日： 2008-06-04 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：一种用于预金属和浅槽隔离应用中所用的介电材料的紫外固化方法，包括：涂布合适的介电材料到底物上；和使介电材料暴露于有效量的紫外辐射以降低介电材料的有机物含量和/或增加介电材料的密度和/或增加介电材料的耐湿法蚀刻性能任选地，紫外固化的介电材料可暴露于多种紫外辐射模式。
用于金属隔离应用所用旋涂介电材料 uv 固化方法

[发明专利]多孔材料-CN01117235.5有效
发明人： Y·尤;A·A·拉莫拉;R·H·戈尔;M·K·格拉戈尔;N·安南 -专利权人：希普雷公司
申请日： 2001-03-27 - 公布日： 2002-05-08 - 主分类号： C08J5/00 文献下载
摘要：揭示一种用于电子器件制造中所用的具有低介电常数的多孔有机多硅介电材料以及该多孔有机多硅介电材料的制备方法。还揭示了形成含有这种多孔以及聚硅氧烷介电材料的集成电路的方法。
多孔材料

[发明专利]一种微米尺度有机小分子单晶材料及其制备方法-CN201110404326.7有效
发明人：江潮;金桥;李德兴;祁琼 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2011-12-07 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种微米尺度有机小分子单晶材料的制备方法，该方法包括利用有机半导体材料在介电材料表面形成有机半导体纳米薄膜，并在无水无氧条件下将表面形成有有机半导体纳米薄膜的介电材料进行退火，使所述纳米薄膜转化为有机单晶纳米材料，再利用气相生长法使所述有机单晶纳米材料生长，以在介电材料表面形成微米尺度有机小分子单晶材料，其中，所述纳米薄膜的厚度为0.1-10nm。本发明方法在介电材料原位生成产物，单晶生长过程中晶粒不会受到污染或损坏，工艺简单而又易控制，具有一定的普适性；制得的微米尺度有机小分子单晶材料具有极好的晶体完整性、丰富的宏观形貌及一定分布范围的二维尺度等特性
一种微米尺度有机分子材料及其制备方法

[发明专利]半导体结构、有机中介层及其形成方法-CN202111305467.3在审
发明人：蒋伟韩;郑明达;郑敬禾;张纬森;许鸿生;萧景文;陈俊宏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明涉及半导体结构、有机中介层及其形成方法。该有机中介层包括互连级介电材料层、至少一介电覆盖层、接合级介电层以及双层电感结构。互连级介电材料层内埋重分布互连结构。所述至少一介电覆盖层覆于最顶层互连级介电材料层之上。接合级介电层覆盖于所述至少一介电覆盖层之上。双层电感结构可包括下导电线圈、导电通孔结构以及上导电线圈。下导电线圈内埋于最顶层互连级介电材料层内。导电通孔结构垂直地延伸通过所述至少一介电覆盖层。上导电线圈内埋于接合级介电层内，并包括铜。
半导体结构有机中介及其形成方法

[发明专利]薄膜电容器用电介质树脂组合物和薄膜电容器-CN201280051364.1有效
发明人：市川智道;吉川宣弘;中村一郎;小林真一;中祖一朗;日置泰典;稻仓智生 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2012-07-16 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01G4/18 文献下载
摘要：本发明提供一种耐电压性和耐热性高且介电损耗低的薄膜电容器用电介质树脂组合物。薄膜电容器用电介质树脂组合物是包含有机材料A和有机材料B的混合物，有机材料A由至少2种具有可将彼此交联的反应性基团（例如，OH、NCO）的有机材料成分A1、A2、…构成，有机材料B不具有能够与有机材料A反应的反应性部位，且温度125℃时的介电损耗tanδ为0.3%以下。有机材料A和有机材料B优选均具有芳香环R。混合物的玻璃化转变温度为130℃以上，优选为280℃以下。根据该电介质树脂组合物，能够提高耐热性和介电击穿强度且减小介电损耗。
薄膜电容器用电介质树脂组合电容器

[发明专利]半导体结构-CN202210937879.7在审
发明人：张旭凯;朱家宏;梁顺鑫;林耕竹;林斌彦;王菘豊 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体结构可包括基板，基板上方的栅极结构，相邻栅极结构的源/漏极(S/D)接触结构，位于源/漏极接触结构上方和栅极结构上方的介电材料层，穿过介电材料层形成的有机金属材料层，以及穿过介电材料层形成且接触源有机金属材料层可位于介电材料层和沟槽导体层之间。
半导体结构

[发明专利]树脂介电层及其材料的制备方法、液晶面板及显示器件-CN201110179460.1无效
发明人：郭建;闵泰烨;陈旭;谢振宇;张文余 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2011-06-29 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： G03F7/039 文献下载
摘要：本发明公开了一种树脂介电层及其材料的制备方法、液晶面板及显示器件，涉及制造技术领域，为提供降低的介电常数而发明。所述树脂介电层材料的制备方法包括：步骤11，合成单体树脂；步骤12，将合成的单体树脂添加到有机溶剂中，搅拌使合成的单体树脂在有机溶剂中溶解，以制得树脂介电层材料。所述树脂介电层的制备方法包括：步骤21，在基板上涂覆如上所述的方法制备的树脂介电层材料，形成树脂介电层薄膜；步骤22，对树脂介电层薄膜进行热固化，形成树脂介电层。
树脂介电层及其材料制备方法液晶面板显示器件

[发明专利]介电陶瓷颗粒及其制备方法和应用-CN201410426384.3有效
发明人：刘晓林;窦晓亮;赵勇;陈建峰 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2014-08-26 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明提供了介电陶瓷颗粒及其制备方法和应用，所述介电陶瓷颗粒包括芯体，所述芯体是实心陶瓷颗粒；外壳，所述外壳包裹在所述芯体的外部；孔道，所述孔道形成在所述外壳上。该介电陶瓷颗粒具有较好的介电性能，能够有效用于制备有机无机介电复合材料，且制备获得的有机无机介电复合材料同时具有较高的介电常数和击穿场强。
陶瓷颗粒及其制备方法应用

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