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[发明专利]金负载不同晶相二氧化锆催化剂及其制备方法和应用-CN201410616115.3有效
发明人：何丹农;袁静;赵昆峰;高振源;杨玲;蔡婷;爨谦 -专利权人：上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
申请日： 2014-11-05 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： B01J23/52 文献下载
摘要：本发明提供了金负载不同晶相二氧化锆及其制备方法和应用，采用低温水热法和沉淀法制备了具有单斜相、四方相、立方相以及混合晶相结构的ZrO₂，然后将Au负载在ZrO₂上制备出了不同晶相载体担载的Au/ZrO₂催化剂。在室温（22℃）下即可将CO完全转化为CO₂，并且在此温度下，120h内转化率保持高于70%（满足二级环境标准）的CO去除率。本发明具有原材料廉价、贵金属负载量少、制备工艺简单、消除CO温度低、效率高、无二次污染等优点。
负载不同晶相二氧化锆催化剂及其制备方法应用

[发明专利]一种细化过共晶铝硅合金中初晶硅的方法-CN201210272948.3有效
发明人：郭建;武晓霞;黄小婷 -专利权人：中原工学院
申请日： 2012-08-02 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： C22C1/03 文献下载
摘要：一种细化过共晶铝硅合金中初晶硅的方法，在过共晶铝硅合金熔铸时，通过TiB2颗粒相细化过共晶铝硅合金中初晶硅相。本发明是在过共晶铝硅合金熔配时，利用自生TiB2颗粒细化过共晶铝硅合金中初晶硅相，不需要高的浇铸温度可以使初晶硅相细化至50微米以下。由于TiB2颗粒在铝合金熔体中稳定性高，不与合金中的其它合金元素发生反应，具有细化效果长效性，不影响Sr元素或Na元素对合金中共晶硅的变质细化作用，可实现过共晶铝硅合金中初晶硅和共晶硅同时细化，显著提高合金性能
一种细化共晶铝硅合金中初晶硅方法

[发明专利]一种基于“晶体相-非晶相”转变的非晶制备方法-CN202011255805.2在审
发明人：王楠;韩三轩;杨瑞宁;白杨;姚文静 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： C22C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于“晶体相‑非晶相”转变的非晶制备方法，采用激光熔凝技术，从共晶生长控制角度得到非晶相组织。通过控制相应激光功率以及扫描速度成功高效地实现了Ni‑Nb、Cu‑Zr合金体系“晶体相‑非晶相”的转变，并得到非晶相组织，此方法可适用于其他具有非晶形成能力合金体系的非晶制备。
一种基于晶体非晶相转变制备方法

[发明专利]一种β/丝光复合晶相沸石催化剂及其制备方法和应用-CN202011159383.9有效
发明人：王立刚;孙洪敏;王达锐 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司上海石油化工研究院
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： B01J29/80 文献下载
摘要：本发明涉及一种β/丝光复合晶相沸石催化剂及其制备方法和应用。本发明提出一种全新的制备路线，得到一种高度复合的β/丝光复合晶相沸石催化剂。该催化剂中，β和丝光两种晶相可以在0～100％之间简便有效调节，同时又能保证两种晶相在微观上实现了交互生长、紧密结合、均匀分布，从而达到一种复合晶相的状态。本发明β/丝光复合晶相沸石催化剂可用于多种酸催化反应，并表现出较高的活性。
一种丝光复合晶相沸石催化剂及其制备方法应用

[发明专利]一种氧化硅包覆氧化钒纳微粉体的制备方法及其应用-CN201210320139.5有效
发明人：金平实;罗宏杰;高彦峰 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2012-08-31 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： C09K9/00 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化硅包覆氧化钒纳微粉体，所述氧化硅包覆氧化钒纳微粉体包括：内层的氧化钒，且所述二氧化钒纳微粉体为金红石相二氧化钒微晶或掺杂的金红石相二氧化钒微晶，以及外层的氧化硅。
一种氧化硅包覆钒纳微粉体制备方法及其应用

[发明专利]玻璃陶瓷及其制备方法和应用-CN202111432167.1有效
发明人：熊建都;谭莉;冯军;何文礼;尹长军 -专利权人：深圳市翔通光电技术有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C03C10/04 文献下载
摘要：base:Sub>源、2％～4％的Al2O3源、0.1％～1％的SrO源和0.1％～2％的ZnO源；且所述玻璃陶瓷包括二硅酸锂晶相和二氧化锆晶核，所述二硅酸锂晶相由所述SiO2源和所述Li2O源经热处理结晶形成，所述二氧化锆晶核由所述ZrO2源经热处理结晶形成，所述二硅酸锂晶相的直径为200nm～700nm，所述二氧化锆晶核的直径小于所述二硅酸锂晶相的直径。
玻璃陶瓷及其制备方法应用

[发明专利]晶圆键合方法-CN202011193800.1在审
发明人：许健;胡思平;姚兰;严孟 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种晶圆键合方法，包括：提供第一晶圆与第二晶圆，所述第一晶圆与所述第二晶圆各具有用以相键合的第一键合层与第二键合层；将所述第二晶圆上下倒置叠加在所述第一晶圆上，通过所述第一键合层与所述第二键合层将所述第一晶圆与所述第二晶圆键合在一起；减薄所述第一晶圆远离所述第一键合层一侧的厚度；以及对所述第一晶圆与所述第二晶圆一起进行缺口修整。
晶圆键合方法

[发明专利]一种非晶合金基复合材料及其制备方法-CN200910137567.2有效
发明人：宫清;马志军;屈江涛;郭增艳;张法亮 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2009-05-14 - 公布日： 2010-11-17 - 主分类号： C22C45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种非晶合金基复合材料及其制备方法，该复合材料包括基体相和增强相，其中，所述基体相为非晶相，所述增强相为多个等轴状晶化相，所述基体相是连续的，所述多个等轴状晶化相分布在所述基体相中，该复合材料中的氧含量为本发明提供的复合材料中的氧含量为2100ppm以下，所述多个等轴状晶化相分布在所述基体相中，复合材料的塑性显著改善。
一种合金复合材料及其制备方法

[发明专利]一种纳米晶稀土永磁材料及制备方法和粘结磁体-CN202310783882.2在审
发明人：刘颖;李军;连李昱;张晓伟;王仁全 -专利权人：四川大学
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01F1/057 文献下载
摘要：本发明涉及稀土永磁材料技术领域，具体公开了一种纳米晶稀土永磁材料及制备方法和粘结磁体。本发明提供了一种基于多主元合金效应的纳米晶稀土永磁材料及制备方法，使纳米晶稀土永磁材料在高丰度元素La、Ce和Y的高取代量下仍具有较高的磁性能，La、Ce、Pr、Nd和Y五种稀土元素的协同作用，抑制了第二相的形成，可使得稀土永磁材料保持较高的硬磁相相对含量，并且抑制了快淬和晶化过程中的晶粒长大行为，使纳米晶稀土永磁材料的晶粒尺寸均匀、细小，制备得到的纳米晶稀土永磁材料包括主相RE2Fe14B，RE包括La、Ce、Pr、Nd和Y，主相RE2Fe14
一种纳米稀土永磁材料制备方法粘结磁体

[发明专利]一种具有连续共晶结构的镁铝合金及其制备方法-CN201810906231.7有效
发明人：高成德;帅词俊 -专利权人：中南大学
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： C22C23/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有连续共晶结构的镁铝合金及其制备方法，该合金由镁铝合金基体和分布在基体晶粒边缘的连续共晶相组成，其制备步骤包括：(1)将纳米钛粉和镁铝合金粉末置于球磨机中，在保护气氛下球磨得到混合粉末；(2)以该混合粉末为原料，在保护气氛下通过选区激光熔化制备具有连续共晶结构的镁铝合金。本发明在镁铝合金制备过程中引入钛，通过吸引熔池中铝原子迁移，在晶粒边缘发生共晶反应生成连续的共晶相；同时利用选区激光熔化凝固速度快的特点，在减少Mg17Al12第二相含量的同时促进连续共晶相的形成，有效减弱了镁铝合金的电偶腐蚀作用，提高了其腐蚀抗力；同时具有更好的界面结合，提高了镁铝合金的力学性能。
一种具有连续结构铝合金及其制备方法

[发明专利]一种钛基块状非晶复合材料及其制备方法-CN201110248279.1有效
发明人：杨超;陈友;刘乐华;曾劲;屈盛官;李小强;李元元 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2011-08-26 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： C22C45/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种钛基块状非晶复合材料及其制备方法。本发明所述钛基块状非晶复合材料的微观结构中以非晶相为基体、以bcc??β-Ti为第二相，所述复合材料的制备方法是高能球磨和脉冲电流烧结技术相结合的成形方法，它经混粉、高能球磨至合金粉末具有宽的过冷液相区且非晶相至少占体积的95％，然后采用放电等离子烧结系统低温烧结，烧结温度TS：非晶态合金粉末的玻璃转变温度≤TS≤非晶态合金粉末的晶化温度、烧结压力：不低于300MPa、烧结时间：1～15分钟。本发明的元素配比合理，本成形方法简单、操作方便，成材率高且近终成形，获得的较大尺寸钛基块状非晶复合材料具有较优异的综合力学性能，具有良好的推广应用前景。
一种块状复合材料及其制备方法

[发明专利]一种晶体/非晶复合粉体及其制备方法-CN201210395732.6有效
发明人：王翠萍;郁炎;刘兴军;赵璨璨;刘洪新 -专利权人：厦门大学
申请日： 2012-10-17 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： B22F9/08 文献下载
摘要：一种晶体/非晶复合粉体及其制备方法，涉及一种复合粉体。所述晶体/非晶复合粉体包括晶相和非晶相，晶相为富铜相，非晶体相为富铁硅硼相；合金元素Cu、Fe、Si、B形成偏晶型合金，形成偏晶型合金的成分按原子百分比为(Fe0.75Si0.1B0.15)100-xCux按原子百分比，设计Fe-Si-B-Cu合金的成分，称量各金属后放入真空感应炉内的熔炼装置熔化，得合金液体；将熔化的合金液体倾倒于受液斗，在液体流入雾化室的瞬间，喷射惰性气体，即得Cu基晶体/Fe-Si-B基非晶复合粉体材料
一种晶体复合及其制备方法

[发明专利]钛硅二元合金显微组织等轴细晶化工艺-CN200910113815.X无效
发明人：湛永钟;张新疆 -专利权人：广西大学
申请日： 2009-01-12 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： C22F1/18 文献下载
摘要：一种钛硅二元合金显微组织等轴细晶化工艺。将材料加热到β相区的较高温度，进行高温处理，然后冷却。对于钛硅共晶合金材料，将其加热到高于β转变点而又低于1000℃的温度保温，然后冷却，或者在β单相温度区结束热处理后，再在550-750℃温度下进行钛材热处理。采用本发明可消除钛硅二元铸态合金显微组织中条状或块状的Ti₅Si₃相，并使增强相Ti₅Si₃晶粒的平均直径细化到1钛硅二元铸态合金显微组织达到等轴细晶化。
二元合金显微组织轴细晶化工

[实用新型]一种基于双摆臂搬运的双吸头点画锡装置-CN202123148263.1有效
发明人：葛时建;刘翔;蒙国荪;杨国运 -专利权人：桂林立德智兴电子科技有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基于双摆臂搬运的双吸头点画锡装置，包括固定架，所述固定架的一侧设置有进料仓，所述固定架的另一侧设置有收料仓，所述固定架的正面设置有双摆臂搬运装置；所述双摆臂搬运装置包括连接于固定架正面的晶盘一、中转台一、晶盘二和中转台二，所述晶盘一的顶部设置有与中转台一相适配的摆臂一，所述晶盘二的顶部设置有与中转台一和中转台二相适配的摆臂二。该基于双摆臂搬运的双吸头点画锡装置，通过摆臂一将晶盘一上的芯片吸起，旋转180°后传送至中转台一上，再通过摆臂二吸取中转台一上的芯片旋转180°放至中转台二上，然后通过双吸头同时吸起晶盘二和中转台二上的芯片
一种基于双摆臂搬运吸头点画装置

[发明专利]存储器、写入设备、读取设备、写入方法和读取方法-CN01135992.7无效
发明人：西原孝史;儿岛理惠;山田升 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2001-10-29 - 公布日： 2002-05-29 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：一种存储器,包括第一和第二记录层,用于利用晶相和非晶相之间的可逆相变来记录信息,该相变是因施加电流脉冲引起的温度升高而产生的。第一和第二记录层的结晶化温度Tx1和TX2具有关系TX1二记录层的结晶化时间tx1和tx2具有关系tx1>tx2。Ra1+Ra2、Ra1+Rc2、Rc1+Ra2和Rc1+Rc2彼此不同,其中,非晶相中第一记录层的电阻值为Ra1’晶相中第一记录层的电阻值为Rc1非晶相中第二记录层的电阻值为Ra2,晶相中第二记录层的电阻值为
存储器写入设备读取方法