“晶界”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果222338个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种抑制面心立方高熵合金中有害晶界析出相析出的晶界调控工艺-CN202211664645.6在审
发明人：韩冬;杨柏俊;孙文海;王晓明;韩国峰;蔡少鑫;吕威闫;王建强 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C22F1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种抑制面心立方高熵合金中有害晶界析出相析出的晶界调控工艺，属于共格析出强化面心立方高熵合金领域。该工艺包括高温固溶、小变形冷轧、短时退火和水淬四个步骤；所制备的共格析出强化面心立方高熵合金中低能态晶界比例高于70％，其中Σ3晶界比例大于60％。该方法对晶界析出相析出行为的抑制作用有望显著提成合金与晶界相关的性能，促进共格析出强化面心立方高熵合金在苛刻使役环境下的应用。
一种抑制立方合金有害析出调控工艺

[发明专利]离子研磨与晶界扩散相结合提高钕铁硼磁体矫顽力的方法-CN202211286255.X在审
发明人：陈夫刚;孙慧;赵勇;王晓丽 -专利权人：江苏科技大学
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：本发明公开了离子研磨与晶界扩散相结合提高钕铁硼磁体矫顽力的方法，包括以下步骤：(1)通过离子研磨对钕铁硼磁体的表面进行刻蚀处理；(2)将含重稀土元素的扩散源粉末涂敷在经刻蚀处理后的钕铁硼磁体表面，再进行晶界扩散处理；(3)经晶界扩散处理后的钕铁硼磁体进行退火处理，即得高矫顽力的钕铁硼磁体。相较于现有技术中仅对钕铁硼磁体采用简单的机械打磨，本发明先对钕铁硼磁体表面进行刻蚀处理再结合晶界扩散处理，通过预先去除钕铁硼磁体表面的氧化膜、表层晶界相的氧化物和应力层，能够有效提升晶界扩散的深度和均匀性
离子研磨扩散相结合提高钕铁硼磁体矫顽力方法

[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法、半导体制造检查装置和检查装置-CN200910007501.1有效
发明人：加藤隆彦;中野广;赤星晴夫;高田裕二;须藤敬己;藤原彻男;菅野至;庄野友陵;广濑幸范 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2009-02-11 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：在该半导体装置中，通过确定阻挡膜和籽膜，且使晶界∑值27以下的对应(CSL)晶界占该Cu布线的全部晶界的比例(频度)为60％以上，能够把表面缺陷降低到能实用的现状级别的1/10以下。或者，在该半导体装置中，通过确定该阻挡膜和籽膜，且使晶界∑值3的对应(CSL)晶界占该Cu布线的全部晶界的比例(频度)为40％以上，能够得到同样的降低表面缺陷的效果。
半导体装置制造方法检查

[发明专利]一种钢材晶粒的自动晶界提取方法-CN201610281874.8有效
发明人：许桢英;赵稼宸;邹荣;王匀;张琦;朱建栋 -专利权人：江苏大学
申请日： 2016-04-29 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： G06T7/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种钢材晶粒的自动晶界提取方法，包括1、晶粒图像预处理，包括灰度转换、中值滤波去噪、二值化处理；2、晶粒特征点提取与特征距离的计算，包括距离变换、生成尺度空间、构造高斯差分尺度空间、寻找尺度空间特征点以及计算特征距离；3、晶界自动提取，包括画出初始轮廓、水平集演化提取晶界、最终确定晶界。通过运用sift算法求取距离变换后图像特征点和计算对应的特征距离，并以此构造初始轮廓，使水平集算法演化效率和精度提高，有效地实现了高精度晶界提取和晶粒测量的要求，克服了以往晶界提取和晶粒测量精度低、效果差的缺陷
一种钢材晶粒自动提取方法

[发明专利]一种单晶高温合金小角度晶界形成倾向性的评定方法-CN201910631742.7有效
发明人：杨彦红;王新广;孟杰;周亦胄 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2019-07-12 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： G01N21/84 文献下载
摘要：本发明涉及熔模铸造技术领域，具体为一种单晶高温合金小角度晶界形成倾向性的评定方法。设计具有不同平台长度和恒定高度的变截面的模具，将陶瓷材料与蜡进行组合，并制成相应的模壳；(2)在定向凝固炉中制成多种合金的单晶高温合金铸件；(3)将不同截面的单晶高温合金进行晶体取向测试；(4)分析各横截面中小角晶界的角度差异，定量评价单晶高温合金的小角晶界形成能力。晶界间的角度差越大，表明合金的形成小角晶界倾向性越强。从而，在不使用模拟技术的前提下，可以定量表征不同单晶高温合金小角度晶界的形成能力。
一种高温合金角度形成倾向性评定方法

[发明专利]表面被覆切削工具-CN201580003733.3有效
发明人：阿侬萨克·帕索斯;金冈秀明;出谷隆典;今村晋也 -专利权人：住友电工硬质合金株式会社
申请日： 2015-07-13 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： B23B27/14 文献下载
摘要：₃层，所述α‑Al₂O₃层包含多个α‑Al₂O₃的晶粒并且示出(001)取向，所述晶粒的粒界包括CSL粒界和一般粒界，并且CSL粒界中的Σ3晶界的长度超过Σ3‑29晶界长度的80％，并且为全部粒界的总长的10％以上50％以下，其中所述全部粒界的总长为所述Σ3‑29晶界的长度和所述一般粒界的长度的总和
表面被覆切削工具

[发明专利]一种超低温结构用奥氏体钢及其制备工艺-CN202110351155.X在审
发明人：徐斌;翟汝宗;张洪林;孙明月;李殿中 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： C22C38/58 文献下载
摘要：本发明钢具有完全奥氏体结构，经超导成相热处理后晶界无第二相析出或晶界析出相呈不连续沿晶分布，晶界析出相平均有效宽度小于50nm，且晶界析出相占奥氏体钢总量的质量百分含量＜0.3％。本发明通过优化固溶热处理温度，均匀组织，并通过控制晶界析出相的析出量及析出形貌，最终避免热处理后晶间析出相的大量生成，从而有效保证了其时效后的低温力学性能，在超低温(4.2K)下具有高强、高塑和无磁性的优良性能
一种超低温结构奥氏体及其制备工艺

[发明专利]一种38CrNi3MoV晶界的显示方法-CN201510274415.2在审
发明人：王卫;孙明月;彭艳 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2015-05-26 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： G01N21/84 文献下载
摘要：本发明涉及钢的晶界腐蚀领域，具体涉及一种38CrNi3MoV晶界的显示方法，解决了现有的腐蚀38CrNi3MoV钢晶界的方法时无法清晰显示38CrNi3MoV钢晶界的问题。本发明可以使38CrNi3MoV钢晶界得到清晰的显示，对38CrNi3MoV钢晶粒度的评级更加准确，腐蚀效率高、腐蚀速率快、易掌握，可以应用于38CrNi3MoV钢晶粒度评定。
一种 38 crni3mov 显示方法

[发明专利]薄金属带的高摩擦轧制-CN201980035563.5在审
发明人： T.王;K.米什拉;J.E.凯弗 -专利权人：纽科尔公司
申请日： 2019-04-05 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： B21B1/46 文献下载
摘要：本文描述了具有热轧外侧表面的薄金属带，该热轧外侧表面的特征在于基本上或实质上没有所有的先前的奥氏体晶界，或至少基本上或实质上没有所有的先前的奥氏体晶界，且包括长形的表面结构。结果，由于先前的奥氏体晶界基本上或实质上不存在，所有的这样的先前的奥氏体晶界不会由于酸蚀或酸洗而易受晶界蚀刻。
金属摩擦轧制

[发明专利]一种基于重位点阵搜索的扭转和倾斜晶界自动建模方法-CN201810884330.X有效
发明人：张瑞丰;刘昭睿 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2018-08-06 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于重位点阵搜索的扭转和倾斜晶界自动建模方法，属于金属材料技术领域。所述方法由四部分组成，分别是重位点阵自动搜索、扭转晶界模型自动构建、倾斜晶界模型自动构建、点阵重合度自动计算。本发明可以批量构建符合周期性边界条件的扭转和倾斜晶界，以实现高通量材料界面计算模拟，方便用户构建大量模型，以分析材料失效机理，本发明方法能够在微观尺度上了解晶界与位错之间的关系，对新材料设计提供有利的帮助
一种基于点阵搜索扭转倾斜自动建模方法

[发明专利]一种加工态的变形铝合金晶界腐蚀剂及其制备方法与应用-CN201811325953.X有效
发明人：郭海霞;张欣耀;袁晓冬 -专利权人：中国船舶重工集团公司第七二五研究所
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： C23F1/36 文献下载
摘要：本发明属于金属材料金相检验技术领域；具体涉及一种加工态的变形铝合金晶界腐蚀剂及其制备方法与应用。所述的加工态的变形铝合金晶界腐蚀剂，包含如下组分：水、氢氧化钠和氨水，其中，水和氢氧化钠的质量比为100：(1～1.5)，水和氨水的体积比为100：(2～3)。本发明还提供了一种加工态的变形铝合金晶界的晶界腐蚀方法，该方法易操作、成功率极高且效果颇佳，能够清晰完整地显示晶界，满足晶粒度检测的目的。
一种加工变形铝合金腐蚀剂及其制备方法应用

[发明专利]一种大深度晶界扩散的钕铁硼磁体的制备方法-CN202110533903.6有效
发明人：陈夫刚 -专利权人：江苏科技大学
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种大深度晶界扩散的钕铁硼磁体的制备方法。先将烧结钕铁硼磁体块体浸入‑196℃的液氮中进行深度冷却处理，然后将磁体取出自然升温到室温。重复以上步骤3～5次，进行钕铁硼磁体晶界扩散前的深冷处理。再利用富含重稀土元素的扩散源对磁体进行晶界扩散处理。本发明的方法可以有效克服钕铁硼磁体晶界扩散深度浅的技术难题，可以制备大厚度的低重稀土含量、高矫顽力和高磁能积钕铁硼磁体，促进烧结钕铁硼磁体晶界扩散技术的应用范围。
一种深度扩散钕铁硼磁体制备方法

[发明专利]一种高柔韧性的铜杆及其制备方法-CN202110353847.8在审
发明人：周涛 -专利权人：江西中晟金属有限公司
申请日： 2021-04-01 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高柔韧性的铜杆及其制备方法，铜和钛复合，制成铜基的合金，增加材料的柔韧性和强度，且在复合过程中加入锆，钛固溶于铜中，同时锆的加入能阻碍钛元素在晶界的扩散，从而使钛铜合金的耐热性有显著提高，钛铜合金与硼粉碎后高压烧结，使得晶界二次重组，烧结时位于晶界边界处的硼抑制晶界的β‑Cu4Ti不断析出，减少晶间断裂产生，增加柔韧性，且Mg‑Zn‑Al合金的添加抑制钛铜合金的平衡相在晶界、孪晶界、位错和其他缺陷处的不均匀形核，使晶体更加规律，同时改善第二相的分布，消除合金的热脆性，提高金属强度，增加其力学性能。
一种柔韧性及其制备方法

[发明专利]用于锂金属固态电池的改性固态电解质-CN202110023716.3在审
发明人：安德鲁·罗伯特·德雷斯;阿斯马·沙拉菲 -专利权人：福特全球技术公司
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01M10/0562 文献下载
摘要：所述隔膜包括离子传导体相的晶粒和在所述晶粒之间限定的晶界，其中所述晶界包含氧化剂。所述氧化剂被配置为使所述锂金属氧化，所述锂金属经由在所述阳极上镀所述锂金属而产生的在所述晶界处的锂金属成核或沿着所述晶界的枝晶生长而与所述氧化剂接触，以形成电子绝缘相从而防止沿着所述晶界形成电子传导路径所述氧化剂还被配置为在所述锂金属氧化时部分地还原，以形成离子传导相从而促进沿着所述晶界的离子传导。
用于金属固态电池改性电解质

[发明专利]一种马氏体型耐热钢原始奥氏体晶界显示方法-CN201810601380.2有效
发明人：李俊儒;王力伟;程联军;李红 -专利权人：青岛大学
申请日： 2018-06-12 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： G01N1/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种马氏体型耐热钢原始奥氏体晶界显示方法，涉及原始奥氏体晶界的显示技术领域。本发明通过恒温保温的方式改变了马氏体型耐热钢的原始奥氏体晶界与晶粒内组织晶界之间的耐蚀性，这种方式能够清晰显示原始奥氏体晶界而不显示晶内组织，大幅度改善了原始奥氏体晶界的显示效果。
一种马氏体耐热钢原始奥氏体显示方法

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top