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[发明专利]一种无损监测晶界弛豫强化纳米金属的方法及工艺参数的确定方法-CN202210990911.8在审
发明人：柴泽;陈小奇 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： G01N23/2055 文献下载
摘要：本发明公开了一种无损监测晶界弛豫强化纳米金属的方法及工艺参数的确定方法，监测方法包括以下步骤：(1)采用X射线衍射仪，获取纳米金属晶界弛豫过程中的至少两个衍射晶面的衍射图谱；(2)计算纳米金属晶界弛豫过程中各衍射晶面的晶面间距；(3)计算纳米金属晶界弛豫过程中各衍射晶面的晶格应变。本发明首次提出利用X射线衍射技术原位监测晶界弛豫(低温热处理)过程中晶面间距的变化，以平均晶格应变作为准确反映晶界弛豫程度的微观结构特征指标，有效解决了热处理工艺参数难以确定及晶界弛豫强化效果难以保证的问题
一种无损监测晶界弛豫强化纳米金属方法工艺参数确定

[发明专利]一种提高激光增材制造构件整体性能的方法-CN202310353424.5在审
发明人：王小艳;何俊林;王琪;张杰召;余文涛;边培莹 -专利权人：西安文理学院
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B22F10/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高激光增材制造构件整体性能的方法，处理步骤如下：a.利用激光金属增材制造加工系统进行金属粉末三维立体成型；b.待步骤a完成后，将激光增材制造成型金属构件置于热处理炉中，调整热处理温度、时间，使得温度位于晶界迁移温度区间，并保证合适的热处理时间使得构件内发生特殊晶界增殖反应；c.待步骤b完成后，将构件进行冷却处理。本发明通过对激光增材制造构件进行晶界工程热处理，在消除残余应力的同时，以残余应力消除过程中的位错运动为特殊晶界增殖反应驱动力，实现材料内部晶界特征分布优化控制，制备出残余应力低，低能特殊晶界比例高、高能晶界弥散分布的高性能激光增材制造构件
一种提高激光制造构件整体性能方法

[发明专利]纳米Zn晶界改性的高耐蚀性烧结钕铁硼磁体及其制备方法-CN200910098783.0无效
发明人：严密;崔熙贵;马天宇;罗伟 -专利权人：浙江大学
申请日： 2009-05-14 - 公布日： 2009-12-30 - 主分类号： H01F1/057 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米Zn晶界改性的高耐蚀性烧结钕铁硼磁体的制备方法。其步骤为：1)主相合金与晶界相合金分别制备，主相合金采用铸造工艺或速凝甩带工艺制成铸锭或速凝薄带，晶界相合金采用快淬工艺制成快淬带；2)将制备的主相合金和晶界相合金分别制粉；3)将纳米Zn粉与晶界相合金粉末均匀混合，使其均匀分散在晶界相合金粉末表面；4)将纳米Zn改性的晶界相合金粉末与主相合金粉均匀混合后，在磁场中取向压型制成生坯；5)将生坯在高真空烧结炉内烧结并回火制成最终磁体。
纳米 zn 改性高耐蚀性烧结钕铁硼磁体及其制备方法

[发明专利]一种晶界扩散类钕铁硼的成分分析制样方法-CN202011010723.1在审
发明人：喻玺;庞再升;钟春燕;戚植奇 -专利权人：赣州富尔特电子股份有限公司
申请日： 2020-09-23 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明涉及晶界扩散类钕铁硼成分分析技术领域，且公开了一种晶界扩散类钕铁硼的成分分析制样方法，包括以下步骤：S1、钕铁硼前处理，S2、制作晶界扩散类钕铁硼，S3、晶界扩散类钕铁硼的选取，S4、清洗烘干，S5该晶界扩散类钕铁硼的成分分析制样方法，通过S1、钕铁硼前处理，S2、制作晶界扩散类钕铁硼，S3、晶界扩散类钕铁硼的选取，S4、清洗烘干，S5样品粉碎，S6样品分析制样六个步骤对晶界扩散类钕铁硼进行成分分析制样
一种扩散类钕铁硼成分分析方法

[发明专利]晶界多层结构调控的高丰度稀土烧结钕铁硼磁体的制备方法及其产品-CN201611150726.9有效
发明人：张培;胡梅娟 -专利权人：中国工程物理研究院材料研究所
申请日： 2016-12-14 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： H01F1/057 文献下载
摘要：本发明公开了晶界多层结构调控的高丰度稀土烧结钕铁硼磁体的制备方法及其产品，目的在于解决现有方法无法实现对晶界结构的精细调控，导致晶界强化效果单一、重稀土资源浪费严重，而随着磁体用量的剧增，将导致有限的稀土资源大量消耗的问题本发明中，采用双合金工艺和二次烧结技术，实现了晶界多层结构调控的高丰度稀土烧结钕铁硼磁体的制备。本发明制备的磁体具有双主相结构，即同时具有Nd2Fe14B主相和(La,Nd)2Fe14B/(Ce,Nd)2Fe14B主相；且晶界相具有重稀土薄壳层/含高丰度稀土的高电位晶界中心层/重稀土薄壳层多层晶界结构本发明在实现了高丰度稀土充分利用的基础上，通过对晶界结构的精细调控，实现了磁体磁性能和抗腐蚀性能的全面提高，具有较高的应用价值和经济价值。
多层结构调控高丰度稀土烧结钕铁硼磁体制备方法及其产品

[发明专利]一种提高铸造高温合金可焊性的晶界调控方法和焊接工艺-CN202011299270.9有效
发明人：孙元;文明月;于金江;杨彦红;周亦胄;孙晓峰 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： C22C19/05 文献下载
摘要：本发明公开一种提高铸造高温合金可焊性的晶界调控方法和焊接工艺，属于高温合金材料技术领域。晶界调控方法为：对铸态合金板进行固溶热处理后，采用炉内缓冷的方式冷却，冷却速率为2～5℃/min，冷却至300℃以下取出；对晶界调控后的母材采用TIG焊的工艺方式进行焊接，焊接电流15～35A，焊接电压在焊接过程中，晶界析出相M23X6在高温发生固溶，在B元素偏析的作用下，液膜晶界处连续均匀分布。在焊接冷却过程中，连续液膜保证了晶界滑移变形的连续性，导致高温合金具有良好的抗裂性能。同时本发明晶界调控方法形成的锯齿状晶界，能够有效的阻碍接头热影响区中的裂纹破坏过程。
一种提高铸造高温合金可焊性调控方法焊接工艺

[发明专利]一种氮化硅陶瓷烧结体及其制备方法-CN202210941639.4有效
发明人：乔竹辉;王鲁杰;李彤阳;王梓岳;于源;汤华国 -专利权人：中国科学院兰州化学物理研究所;烟台中科先进材料与绿色化工产业技术研究院;烟台先进材料与绿色制造山东省实验室
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： C04B35/596 文献下载
摘要：本发明提供的氮化硅陶瓷烧结体，包括烧结主体和形成于所述烧结主体表面的硬质表层；硬质表层的厚度为10～1000μm；烧结主体包括氮化硅结晶相和第一晶界相，第一晶界相包括金属钨相，金属钨相为钨单质和/或钨合金；硬质表层包括氮化硅结晶相和第二晶界相，第二晶界相包括碳化钨颗粒；第一晶界相中，金属钨相中的钨元素占第一晶界相中总钨元素的质量百分含量为80～100wt％；第二晶界相中，碳化钨颗粒中的钨元素占第二晶界相中总钨元素的质量百分含量为
一种氮化陶瓷烧结及其制备方法

[发明专利]蓄电装置容器用钢箔、蓄电装置用容器和蓄电装置以及蓄电装置容器用钢箔的制造方法-CN201580039626.6有效
发明人：茨木雅晴;能势幸一;石冢清和;后藤靖人;长崎修司;海野裕人 -专利权人：新日铁住金株式会社;新日铁住金高新材料株式会社
申请日： 2015-07-22 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： C22C38/06 文献下载
摘要：所述下层部与所述轧制钢箔接触，且其金属元素中含有Fe和小于90质量％的Ni，所述镍层中的轧制方向的反极图的<111>极密度为3.0以上且6.0以下，所述镍层具有相对取向差为2°以上且5°以下的两个晶体的晶界即亚晶界、和相对取向差为15°以上的两个晶体的晶界即大角度晶界，所述亚晶界的长度即晶界长度L5与所述大角度晶界的长度即晶界长度L15之比L5/L15的平均值为1.0以上。
装置容器用钢箔以及制造方法

[发明专利]一种无重稀土的钕铁硼烧结磁体及其制备方法-CN201811027482.4有效
发明人：李志学;曹利军;董广乐;李勇 -专利权人：天津三环乐喜新材料有限公司;北京中科三环高技术股份有限公司
申请日： 2018-09-04 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01F1/057 文献下载
摘要：本发明的无重稀土的钕铁硼烧结磁体，包括主相和晶界相，晶界相包含a晶界相、b1晶界相、b2晶界相、富稀土相；所述a晶界相为R6T13M相，所述a晶界相中，各成分的原子数百分比为R＝26～30at％，M＝4.5～6.5at％，余量为T或余量为T+O；所述b1晶界相中，各成分的原子数百分比为R＝49～60at％，M＝4.5～19at％，余量为T或余量为T+O；所述b2晶界相中，各成分的原子数百分比为R＝30.5～40.5at％，M＝0.5～15.5at％，余量为T或余量为T+O；所述富稀土相中，各成分的原子数百分比为R＞70at％
一种稀土钕铁硼烧结磁体及其制备方法

[发明专利]大块体致密纳米陶瓷材料及其制备方法-CN95111751.3在审
发明人：张宗涛;胡黎明 -专利权人：华东理工大学
申请日： 1995-09-07 - 公布日： 1996-06-26 - 主分类号： C04B35/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种大块体致密纳米陶瓷材料及其制备方法，以纳米陶瓷颗粒(3～100nm)为主晶相，玻璃为晶界相，在主晶相不发生晶粒长大而晶界相玻璃已经熔化(或软化)的温度下热压，通过主晶相颗粒重排、晶界液相的塑性流动排除气孔实现致密化，然后再通过热处理工艺，使晶界相的玻璃析出纳米晶，从而制备得致密接近100％、晶粒尺寸小于100nm的大块体的纳米陶瓷材料。
块体致密纳米陶瓷材料及其制备方法

[实用新型]一种用于观测石墨烯晶界观察分析装置-CN201620998315.4有效
发明人：沈宇栋;顾灵锋;王欢;张晓 -专利权人：无锡东恒新能源科技有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： G01N21/01 文献下载
摘要：本实用新型提供的一种用于观测石墨烯晶界观察分析装置。本实用新型所述的用于观测石墨烯晶界观察分析装置，包括罩壳，底座，热能装置，所述的底座上布置罩壳，罩壳的顶部设有热能装置；底座上设有传输设备，传输设备上放置石墨烯晶；传输设备将石墨烯晶界从观察仓输送至罩壳内本实用新型提供的用于观测石墨烯晶界观察分析装置，可实时观测石墨烯晶界的生长，并且进行记录分析，方便研究石墨烯材料的实验。该设备结构简单，体积轻小，方便各级别的实验场所使用。
一种用于观测石墨烯晶界观察分析装置

[发明专利]通过单步形变热处理提高铁镍基合金中低能晶界比例方法-CN201810879856.9有效
发明人：赵明久;胡红磊;戎利建 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2018-08-03 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： C22C38/02 文献下载
摘要：本发明涉及铁镍基合金领域，具体地说是通过单步形变热处理提高铁镍基合金中低能晶界比例的方法。采用单步形变热处理方法，提高低能晶界比例，具体为：高温固溶处理→冷轧变形→保温→水冷→时效处理的工艺路线，该方法具有工艺简单、无需反复冷轧变形和易于实现的优点。本发明处理的铁镍基合金，低能晶界比例不低于60～85％，其中∑3晶界的比例不低于50％。本发明处理的铁镍基合金，可形成较强的低能晶界网络、打断大角度随机晶界的连通性，有望显著提高铁镍基合金的抗高温蠕变断裂和耐氢致沿晶开裂能力，具有广泛的应用前景。
铁镍基合金晶界形变热处理单步中低能冷轧变形工艺路线固溶处理蠕变断裂时效处理抗高温连通性氢致水冷保温打断应用网络

[发明专利]一种高晶界密度MoO3-CN201910692722.0有效
发明人：王梁炳;解杨岑子;谢子铖;侯婷婷 -专利权人：中南大学
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： B01J23/28 文献下载
摘要：本发明属于催化材料领域，具体涉及一种高晶界密度MoO3纳米晶，其晶界密度不低于30,000m/mg。此外，本发明还提供了通过多孔Mo在450‑550℃的温度下氧化烧结得到所述高晶界密度MoO3纳米晶的制备方法。本发明还提供了所述的高晶界密度MoO3纳米晶将其用作芳伯醇氧化制备芳基甲酸的催化剂的应用。本发明研究发现，MoO3纳米晶的晶界密度对芳伯醇催化氧化性能有重大影响，并进一步研究发现，控制在所要求的高晶界密度的条件下，其可以在芳伯醇氧化的反应中表现出优异的催化活性
一种高晶界密度 moo base sub

[外观设计]用于显示屏幕面板的晶圆状况图形用户界面-CN202230161095.0有效
发明人：邵康鹏;刘永利;杨文浩 -专利权人：杭州广立微电子股份有限公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： 14-04 文献下载
摘要：；设计1主视图用于查看晶圆的失效类型的良率、整体晶圆良率以及晶圆失效位置；在设计1主视图中框选想要具体查看的晶圆，跳转至设计1界面变化状态图1，设计1界面变化状态图1能够展示用户所框选的区域；在设计1界面变化状态图1中结束框选，跳转至设计1界面变化状态图2，设计1界面变化状态图2能够通过晶圆堆叠图、晶圆柱状图将需要查看的参数可视化，并形成对比，以具体晶圆失效位置以及晶圆失效率；设计2主视图用于查看整体晶圆良率，以及根据晶圆失效位置汇总成的晶圆良率堆叠图；在设计2主视图中框选想要具体查看的晶圆，跳转至设计2界面变化状态图1，设计2界面变化状态图1能够展示用户所框选的区域；在设计2界面变化状态图1中结束框选，跳转至设计2界面变化状态图2，设计2界面变化状态图设计4主视图用于查看整体晶圆良率；在设计4主视图中框选想要具体查看的晶圆，跳转至设计4界面变化状态图1，设计4界面变化状态图1能够展示用户所框选的区域；在设计4界面变化状态图1中结束框选，跳转至设计4界面变化状态图2，设计4界面变化状态图2能够通过柱状图展示晶圆失效率。
用于显示屏幕面板状况图形用户界面

[发明专利]重稀土晶界扩散型RE-Fe-B类稀土磁铁及其制备方法-CN201910499481.8有效
发明人：孔君胜;金东奂 -专利权人：星林尖端产业(株)
申请日： 2019-06-11 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01F1/057 文献下载
摘要：本发明涉及重稀土晶界扩散型RE‑Fe‑B类稀土磁铁的制备方法及由此制备的重稀土晶界扩散型RE‑Fe‑B类稀土磁铁，更详细地涉及如下的重稀土晶界扩散型RE‑Fe‑B类稀土磁铁的制备方法及由此制备的重稀土晶界扩散型RE‑Fe‑B类稀土磁铁，即，在制备重稀土得以减少的晶界扩散型RE‑Fe‑B类稀土烧结磁体中，当制备晶界扩散型磁体时主要使用重稀土氢化合物来作为扩散物质，从而解决重稀土无法均匀地扩散到内部的问题，进而生产均匀且稳定的优质产品
稀土扩散 re fe 磁铁及其制备方法