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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种钕铁硼磁体材料及其制备方法-CN202210860412.7在审
发明人：刘路军;毛华云;易鹏鹏;毛琮尧;刘永;黄治锋 -专利权人：金力永磁（宁波）科技有限公司;江西金力永磁科技股份有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01F1/057 文献下载
摘要：本发明提供了一种高性能烧结钕铁硼磁体材料及其制备方法，包括以下步骤：A)将钕铁硼主相合金速凝片和晶界调控合金速凝片混合，再依次经过氢破碎、气流磨，得到双合金氢化物粉；B)将所述双合金氢化物粉在磁场中取向成型，再依次进行烧结和热处理，得到精坯；C)在所述精坯表面涂覆重稀土粉末和溶剂的混合物，再进行晶界扩散，冷却后时效处理，得到钕铁硼磁体材料。本申请制备了主相合金和晶界调控合金的晶界扩散前驱体，再在钕铁硼磁体表面涂覆重稀土的合金，并实施晶界扩散，最终提高了磁体材料的磁性能。
一种钕铁硼磁体材料及其制备方法

[发明专利]一种单晶高温合金小取向差晶界的表征判定方法-CN202210161386.9在审
发明人：许庆彦;夏鹄翔;冯秋水 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： G01N23/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种单晶高温合金小取向差晶界的表征判定方法。所述方法包括：制备单晶高温合金的楔形样品；在透射电子显微镜下观察所述楔形样品中的小取向差晶界两侧的等厚条纹，观察到等厚条纹断裂错层的位置即判定为晶界所在位置。本发明的方法利用透射电镜布拉格消光产生等厚条纹的原理，从纳米尺度下判断单晶高温合金是否含有小取向差晶界缺陷，有效解决了传统方法中观察尺度过大、分辨率较差的问题，为单晶高温合金小取向差晶界提供了新的判定方法
一种高温合金取向差晶界表征判定方法

[发明专利]基于纳米机器人的晶界立体结构与电性能原位映射表征方法-CN202211048841.0在审
发明人：曹宁 -专利权人：郑州轻工业大学
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G01B15/04 文献下载
摘要：本发明属于微纳测量技术领域，公开一种基于纳米机器人的晶界立体结构与电性能原位映射表征方法，包括以下步骤：步骤1，氧化锌抛光放置；对氧化锌进行抛光处理，将抛光后的面记为X‑Y面，将氧化锌放置到SEM的样品室内，使X‑Y面水平向上；步骤2，筛选两个晶界表面；步骤3，对晶界表面的立体结构进行三维表征；在晶界表面划分位置点，探测位置点的Z向高度，提取Z向高度数据；步骤4，获取位置点的电性能；步骤5，建立晶界立体结构与电性能原位映射表征数据库
基于纳米机器人立体结构性能原位映射表征方法

[发明专利]多晶体中各组成晶粒的晶体取向和微观力学性能测定方法-CN200810034471.9有效
发明人：王秀芳;杨晓萍;宋洪伟;郭振丹;季思凯;王国栋 -专利权人：宝山钢铁股份有限公司
申请日： 2008-03-11 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： G01N23/207 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶体中各组成晶粒的晶体取向和微观力学性能测定方法，包括以下步骤：(1)用浸蚀方法处理试样待测表面；(2)对试样待测表面进行显微组织观察；(3)用电解抛光方法处理试样待测表面；(4)再次对试样待测表面进行观察，确认多晶体试样的晶界是否可见；(5)针对晶界可见和晶界不可见两种情况，在试样待测表面刻划不同的网格；(6)对于晶界可见和晶界不可见两种试样，在试样待测表面进行不同顺序的纳米压入与电子背散射衍射测试；(7)将测得的各晶粒的晶体取向、
多晶体各组晶粒晶体取向微观力学性能测定方法

[发明专利]一种低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法-CN201810826079.1有效
发明人：喻春霖;胡岩;袁洪光;袁志龙;杨晓东;周成;张春鹏;张党龙;蔡少波;陈振东 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2018-07-25 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，在形成多晶硅薄膜之后，确定多晶硅薄膜的晶界比率；然后确定晶界比率是否在预先获得的标准范围内；如果晶界比率在标准范围内，则根据预设的离子注入量对多晶对薄膜进行离子注入；如果晶界比率不在标准范围内，则对预设的离子注入量进行调整，根据调整后的离子注入量对多晶对薄膜进行离子注入。通过对晶界比率进行监控，从而达到监控LTPS特性的目的，而对于拦截到的特性异常的情况，通过调整离子注入浓度，可在前端修复特性不良，降低特性不良损失，提升良率。
一种低温多晶薄膜晶体管制备方法

[发明专利]NdFeB烧结磁铁-CN201610370890.4有效
发明人：佐川真人 -专利权人：因太金属株式会社
申请日： 2010-07-09 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： H01F1/057 文献下载
摘要：本发明的NdFeB烧结磁铁是通过晶界扩散法使Dy或/及Tb沿NdFeB烧结磁铁的基材的晶界扩散而成的，所述基材中的金属状态的稀土类的量以原子比计为12.7％～16.0％，在所述基材的晶界，富稀土类相在该基材的表面与距离该表面2.5mm的深度之间连续，通过所述晶界扩散法扩散的R_H所存在的晶界达到距离表面2.5mm的深度。
ndfeb 烧结磁铁

[发明专利]稀土永磁材料及其制造方法-CN200710305291.5有效
发明人：郝忠彬 -专利权人：横店集团东磁股份有限公司
申请日： 2007-12-29 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： H01F1/053 文献下载
摘要：稀土永磁体包括速凝合金和晶界物，所述的晶界物为金属Nd、Pr、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Al、Cu、Sn、Zn中的一种或几种，所述的晶界混合物占总重量的0.3～2％。此晶界物无需熔炼，直接将纯金属或金属混合物氢破碎加气流磨制粉，然后与主相速凝合金粉混合、成型、烧结即可，磁体的性能比传统工艺同成分磁体有所改善。本发明省掉晶界物的熔炼工艺，直接制粉添加，节约了磁体的生产成本。
稀土永磁材料及其制造方法

[发明专利]晶界扩散重稀土钕铁硼磁体的制备方法及其钕铁硼磁体-CN201910186801.4有效
发明人：路河树;朱海松;曹振宝 -专利权人：宁波雄海稀土速凝技术有限公司
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：本发明涉及钕铁硼磁体，公开了晶界扩散重稀土钕铁硼磁体的制备方法及其钕铁硼磁体，其制备方法将钕铁硼粉末压成钕铁硼粗坯后浸入重稀土源熔融体，并使重稀土源熔融体主动浸入钕铁硼粗坯内部，重稀土源熔融体与钕铁硼粗坯之间方发生固溶和渗透，填补钕铁硼粗坯内缝隙和缺陷，同时重稀土元素在钕铁硼粗坯内晶界扩散，提高重稀土元素的晶界扩散效率，使得晶界扩散重稀土元素工艺对厚度较大的钕铁硼磁体矫顽力加强成为可行，且获得一种厚度大于5mm且矫顽力加强效果高于现有的晶界扩散重稀土元素工艺的钕铁硼磁体
扩散稀土钕铁硼磁体制备方法及其

[发明专利]一种晶界层电容器的制作方法-CN201910311066.5有效
发明人：杨昌平;李伟恒;胡竞楚;张木森;徐玲芳;梁世恒;王瑞龙;肖海波 -专利权人：太原科技大学;湖北大学;南京铱方巨人新能源科技有限公司
申请日： 2019-04-18 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：本发明提供一种晶界层电容器的制作方法，采用三步法制备STO晶界层电容器。首先将STO生瓷片在还原性气氛中烧结得到半导体化基片，再选用适当氧化剂对STO半导体化基片进行绝缘化，最后利用STO晶界层电容器电阻值随负载电压及加压时间不断增加的特点，在加载电压条件下，对晶界层电容进行快速热处理来提高电容器的绝缘电阻值和一致性该方法效果明显，对SrTiO3晶界层电容器在微波集成技术、微波电路和微波通讯中的应用具有重要意义。
一种晶界层电容器制作方法

[发明专利]用于热辅助磁记录的合金和结构设计-CN200710086010.1无效
发明人： A·达斯;M·G·拉辛 -专利权人：贺利氏公司
申请日： 2007-03-07 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： G11B5/62 文献下载
摘要：用于热辅助磁记录的磁记录介质包括具有由晶界相分隔的磁性晶粒的磁性数据存储层。所述晶界相具有比所述磁性晶粒的热导率更高的热导率。所述一个或多个中间层的每一个具有由晶界相分隔的结晶相晶粒。所述晶界相具有比所述结晶相晶粒的热导率更高的热导率。在所述磁性数据存储层和所述中间层中的晶界相提供了高热导率导管，以将热从所述磁性数据存储层扩散至所述吸热层。
用于辅助记录合金结构设计

[发明专利]热辅助磁记录用的磁记录介质-CN201280071385.X有效
发明人：内田真治 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2012-07-11 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：本发明的热辅助磁记录用的磁记录介质至少包括非磁性基体和磁记录层，磁记录层具有下部磁记录层与上部磁记录层，下部磁记录层具有包括磁性晶粒以及非磁性晶界的粒状结构，该非磁性晶界包围磁性晶粒，且由以碳为主要成分的材料构成，上部磁记录层具有包括磁性晶粒以及非磁性晶界的粒状结构，该非磁性晶界包围磁性晶粒，且由与下部磁记录层的非磁性晶界不同的材料构成。
辅助记录介质

[发明专利]一种提升7xxx系铝合金应力腐蚀抗力的形变热处理方法-CN202111282761.7在审
发明人：周亮;黄元春;盛智勇;胡兴华;刘强;李先伟;陈康华;陈送义 -专利权人：湖南中创空天新材料股份有限公司
申请日： 2021-11-01 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： C22F1/053 文献下载
摘要：本申请提供的形变热处理方法先采用预冷变形，在合金晶粒内部和晶界处形成大量位错，可促进晶内析出相和晶界析出相不同程度析出，再通过缩短后续过时效时间保证晶内析出相粗化不明显的同时，使得晶界析出相明显粗化以及高离散化分布，形成阻断阳极溶解通道的效果；此外，预冷变形产生的位错，为晶内Cu原子向晶界扩散提供通道，促进了晶界析出相中Cu原子含量大幅提升，其电极电位由此增加，达到了提升阳极溶解壁垒的效果。
一种提升 xxx 铝合金应力腐蚀抗力形变热处理方法

[发明专利]R－T－B系永久磁铁-CN202011387591.4在审
发明人：三轮将史;三浦晃嗣;坪仓多惠子 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2020-12-02 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01F1/057 文献下载
摘要：本发明提供一种永久磁铁，其含有稀土元素R(Nd等)、过渡金属元素T(Fe等)、B、Zr和Cu，永久磁铁具有含有Nd、T和B的主相颗粒和晶界多重点，一个晶界多重点为由三个以上的主相颗粒包围的晶界，一个晶界多重点包含ZrB2的结晶和含有R及Cu的富R－Cu相这两者，包含ZrB2的结晶和富R－Cu相这两者的一个晶界多重点中的B的浓度为5原子％以上20原子％以下，包含ZrB2的结晶和富R－Cu相这两者的一个晶界多重点中的Cu的浓度为5原子％以上25原子％以下，主相颗粒的表层部含有Tb和Dy中至少一种重稀土元素
永久磁铁

[发明专利]一种高性能烧结钕铁硼磁体的分步晶界扩散工艺-CN202210742061.X在审
发明人：王芳;常瑞;许小红;平沛苑;李耀文;秦秀芳 -专利权人：山西师范大学
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：本发明属于稀土永磁材料领域，具体涉及一种高性能烧结钕铁硼磁体的分步晶界扩散工艺。在酸化的不含重稀土元素的N50烧结钕铁硼磁体表面首先沉积Dy单质薄膜，经第一次高温热处理使Dy元素沿晶界向磁体内部扩散，得到一次晶界扩散样品。所得一次晶界扩散样品再次酸化处理后，将Tb单质薄膜沉积在磁体表面，采用与第一次高温热处理相同的二级热处理工艺，再次晶界扩散便可成功制备高矫顽力烧结钕铁硼磁体。本发明制备的烧结钕铁硼磁体较传统晶界扩散重稀土单质Dy、Tb或其低熔点共晶合金，可显著提高磁体的室温矫顽力，且重稀土元素向磁体内部扩散深度大、微观组织结构均匀，适合较厚尺寸磁体。
一种性能烧结钕铁硼磁体分步扩散工艺

[发明专利]一种低成本高性能多主相稀土永磁材料及其制备方法-CN202210393709.7在审
发明人：金佳莹;张志恒;严密 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01F1/057 文献下载
摘要：本发明公开一种低成本高性能多主相稀土永磁材料及其制备方法，基于多主相合金技术和晶界重构技术制备多主相烧结磁体，通过降低主相合金中B元素的含量，增加Ga、Cu、Al等至少一种金属元素的含量，此外主相合金成分中稀土元素含量较低，提供了低稀土量、低成本的特征主相合金；创新设计晶界重构辅合金成分，在烧结和热处理的过程中显著提高了磁体中晶界相的质量分数，优化晶界相的分布及形态，形成连续非铁磁性晶界相，更有效地隔绝相邻主相晶粒之间的短程磁交换作用；同时构造了多主相磁体不均匀的重稀土多核壳结构，减少重稀土元素在晶界区域的富集，从而高效利用重稀土元素，大幅提高磁体的矫顽力，提高磁体的综合磁性能。
一种低成本性能多主相稀土永磁材料及其制备方法

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